• Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini nuqtalar bo‘yicha qurish Ishni bajarishdan maqsad
  • 1-rasm. Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini olishs xemasi
  • IE,mA Offset, V
  • 3-laboratoriya ishi




    Download 345,77 Kb.
    bet2/2
    Sana14.05.2024
    Hajmi345,77 Kb.
    #232595
    1   2
    Bog'liq
    ЭваС 3-Лабаратория А.Атаханов

    UKE,V

     

    V


    0

    1

    2

    3

    4

    8

    12

    0

    U,V

    0.119 µ

    792.1m

    837.5m

    853.4m

    863.3m

    884.5m

    896.0m

    I,mkA

    -0.000 µ

    20.79 µ

    116.3 µ

    214.7 µ

    313.7 µ

    711.6 µ

    1.110m

    12

    U,V

    -0.000 µ

    684.0m

    720.6m

    735.5m

    744.9m

    765.6m

    776.9m

    I,mkA

    -0.000 µ

    31.60 µ

    127.9 µ

    226.5 µ

    325.5 µ

    723.4 µ

    1.122m

    6. Funksional generator Offset parametrining qiymatini 0 dan 12V gacha 1V qadam bilan o‘zgartirib ampermetr va voltmetrning ko‘rsatishlarini yozib oling va ularni 1-jadvalda keltiring.
    7. Olingan natijalarga asosan umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning statik volt-amper xarakteristikalarini UKE=0V va UKE=12V uchun quring
    Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini nuqtalar bo‘yicha qurish
    Ishni bajarishdan maqsad: Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini qurish va uning ishlashini tahlil qilish.
    Sxemaning tavsifi
    Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi emitter tokining o‘zgarmas qiymatida kollektor baza kuchlanishi va kollektor toki orasidagi bog‘lanishni ifodalaydi, ya’ni
    IK= f(UKB), IE=const.
    Tajriba sxemasi 1-rasmda keltirilgan.
    1-rasm. Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini olishs xemasi
    Sxemada ikkita SS ulab-uzgich mavjud bo‘lib , ular yordamida 1 mA yoki 10 mA ga teng bo‘lgan emittera toki IE o‘rnatiladi. Ampermetr A1 va voltmetr V1 kollektor toki va kuchlanishini o‘lchash uchun xizmat qiladi.
    GEN generatorning Offset parametri yordamida qiymatlari 1 kOm yoki 10 kOm bo‘lgan cheklovchi rezistorlar orqali tranzistorning kollektoriga kuchlanish beriladi.
     
    Ishni bajarish tartibi
    1. EWB dasturini ishga tushiring va 1-rasmda ko‘rsatilgan sxemani yig‘ing.
    2. Sxema elementlarining parametrlarini 1-rasmda ko‘rsatilgandek o‘rnating.
    3. Sxemani Ctrl va G klavishalarini bosib ishga tushiring.
    4. SS ulab-uzgichni 1 mA li tok manbasiga ulang, ushbu holda emitter toki IE=1 mA bo‘ladi.
    5. GEN generatorning Offset parametrini 0 V teng qilib o‘rnating va ampermetr hamda voltmetrning ko‘rsatishlarini yozib oling.
    6. GEN generatorning Offset parametrini 0 V dan 20 V gacha 1-jadvalda ko‘rsatilgan qadam bilan o‘zgartirib, uning har bir qiymati uchun ampermetr va voltmetrning ko‘rsatishlarini yozib oling.
    7. Olingan natijalarni 2-jadvalda keltiring.

    IE,mA

     

    Offset, V


    0

    2

    4

    6

    8

    9

    10

    11

    12

    15

    20

    1

    U,V

    -771.6m

    -765.2m

    -756.8m

    -744.1m

    -718.7m

    -675.7m

    98.84m

    1.097

    2.096

    5.091

    10.08

    I,mA

    -77.16µ

    -276.5 µ

    -475.7µ

    -674.4 µ

    -871.9 µ

    -967.6 µ

    -990.1 µ

    -990.3 µ

    -990.4 µ

    -990.9 µ

    -991.8 µ

    10

    U,V

    -831.0m

    -824.6m

    -816.0m

    -803.2m

    -777.0m

    -728.5m

    98.98m

    1.099

    2.099

    5.098

    10.10

    I,mA

    -831.0 µ

    -2.825m

    -4.816m

    -6.803m

    -8.777m

    -9.728m

    -9.901m

    -9.901m

    -9.901m

    -9.902m

    -9.903m

    2-jadval
    8. SS ulab-uzgichni 10 mA li tok manbasiga ulang va tajribaning 5, 6 va 7 punktlarini qaytadan bajaring.
    9. Olingan natijalarga asosan umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikalarini emitter tokining 1 mA va 10 mA qiymatlari uchun quring.
    Xulosa
    2-labaratoriya ishida biz asosiy o’rinda “Electronics Workbench” dasturi yordamida “Umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish xarakteristikasini nuqtalar bo‘yicha qurish uchun sxema” va “Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini olishs xemasi” bajaradigan ishini, tuzilishini, qo’llanganda qanday vazifalarni bajarishini xamda uning natijalarini o’rgandim. Bu orqali biz ijtimoiy sohalarda qo’llaganimizda xam xato va kamchiliklarga yo’l qo’ymaslikni o’rgandim. O’zim amaliyotda sinash uchun kerakli bilimlarga va ko’nikmalarga ega bo’ldim. Keyingi labaratoriya mashg’ulotlarimizda bundan xam yaxshiroq tajribalar va sinovlar o’tkazishimizga asqotadigan “Electronics Workbench” dasturidan unumli foydalanish uchun ushbu dasturni mukammal o’rganishga kirishdim. Oxirgi ma’lumotlarga qo’shimcha so’z isboti bilan deganlaridek sizlarga “Electronics Workbench” dasturida tuzgan tarmoqlarimning na’munalarini siz ustozlarimizga tadbiq etaman. Xato va kamchiliklari uchun oldindan uzur.
    Download 345,77 Kb.
    1   2




    Download 345,77 Kb.