|
Dinamik va static xotira tizimlari
|
| bet | 2/3 | | Sana | 27.04.2023 | | Hajmi | 303 Kb. | | #54266 |
Bog'liq 9-mavzu. Kesh xotira.(97-110) 3. Kompyuter tizimlari va tarmoqlari, Elektromagnit maydon energiya, Galiley va Eynshteynning nisbiylik tamoyili, iqtisodiyotda-matematik-modellashtirish, Fizikaviy jarayonlarni modellashtirish imkoniyatini beruvchi das, 2 маъруза Ахборот технологиялар ва уларнинг дидактик имкониятлари (2), Самостоятельная работа №3, (Упражнение) Future Continuous, 6, QULMURODOVDURBEK, 1232sa1s1, 1232sa1s11, Ispaniya, BMI NodirDinamik va static xotira tizimlari
Tezkor va doimiy xotira qurilmalari. Ko‘rib chiqilgan xotiralarning barcha xillari bitta umumiy xususiyatga ega: ularda axborotni ham yozish, ham o‘qish ikoniyatlarini mavjud. Bunday xotira tezkor xotira qurilmasi (TXQ) deb ataladi (Random Access Memory - RAM, rus tilida - operativnoye zapominayuщyeye ustroystvo - OZU). Tezkor xotira qurilmasining ikki xili mavjud:
Statik TXQ (Static RAM - SRAM). Bu xildagi xotira D-triggerlar asosida quriladi. Statik TXQsida axborot, unga manba ulangan vaqt davomida saqlanadi: bu vaqtning davomiyligi - sekundlarga, minutlarga, soatlarga va kunlarga ham teng bo‘lishi mumkin. Statik TXQ juda tez ish- laydi, unga murojaat qilish vaqti bir necha nanosekundlarga teng bo‘lishi mumkin. Shu sababli statik TXQ, ko‘pincha ikkinchi sath kesh-xotirasi si- fatida ishlatilmoqda.
9.9-rasm. 4-ta 3 razryadli so‘zni saqlay oladigan xotiraning mantiqiy blok-sxemasi.
Dinamik TXQ (Dynamic RAM - DRAM). Bu xildagi xotirani qurishda triggerlar ishlatilmaydi. Dinamik TXQ tranzistorlar va juda kichik kondensatorlardan qurilgan, yacheykalar to‘plamidan iborat bo‘ladi. Kondensatorlar zaryadlangan va zaryadlanmagan holatlarda bo‘lishi mum- kin, bu hol 1 va 0 ni saqlash imkonini beradi. Kondensatorda zaryad yo‘qolishi mumkin bo‘lganligi sababli, bu xildagi xotirada ma’lumotlar yo‘qolib ketmasligi uchun har bir bit, vaqti-vaqti bilan qayta zaryadlanib turishi kerak bo‘ladi. Dinamik TXQda bir bit axborotni saqlash uchun 1-ta tranzistor va 1-ta kondensator kerak bo‘ladi. Statik TXQda esa bir bit axborotni saqlash uchun kamida 6-ta tranzistor kerak bo‘ladi. Shuning uchun asosiy xotira deyarli har doim dinamik TXQ asosida quriladi. Dinamik TXQ, statik TXQga nisbatan ancha sekin ishlaydi. Dinamik TXQning bir necha xillari mavjud:
Asosiy xotira va uning turlari
FPM (Fast Page Mode) - tezkor sahifalar rejimiga ega dinamik xotira (rus tilida - bыstrыy postranichnыy rejim);
EDO (Extended Data Output) - ulanish nuqtalarining imkoniyatlari kengaytirilgan dinamik xotira - (rus tilida - pamyat s rasshirennыmi vozmojnostyami vыvoda);
DRAM, SDRAM (Synchronous RAM) - sinxron dinamik TXQlari (rus tilida - sinxronnoye dinamicheskoye OZU);
DDR (Double Data Rate) - ma’lumotlami ikki karra tez uzata oluvchi (rus tilida - peredacha dannыx s dvoynoy skorostyu).
Doimiy xotira qurilmalari. Elektr manbai uzilganda ham ma’lumotlami saqlay oladigan xotira - doimiy xotira qurilmasi (DXQ) deb ataladi (ROM - Read-Only Memory, rus tilida - postoyannoye zapominayuщyeye ustroystvo - PZU). Odatda doimiy xotira qurilmalaridagi axborotni o‘zgartirish yoki o‘chirib tashlash mumkin emas. Ammo hozirda DXQni ishlab chiqarish paytidagina emas, balki uni qo‘llashdan avval, ya’ni uni ishlatish paytida ham axborotni yozish mumkin bo‘lgan va axborotni o‘chirib yozish mumkin bo‘lgan doimiy xotira qurilmalari ham ishlab chi- qilgan. Ular quyidagicha nomlanadilar:
PROM (Programmable ROM) - programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida - programmirumыye PZU).
EPROM (Erasable PROM) - axborotni o‘chirish va qayta yozish mumkin bo‘lgan programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida - stirayemoye programmiruyemoye PZU);
EEPROM (Electronically EPROM) - axborotni elektron tarzda o‘chirish va yozish mumkin bo‘lgan programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida - elektronno-pereprogrammiruyemoye PZU);
flesh-xotira.
|
| |
