|
Amaliy mashg‘ulot
|
| bet | 1/3 | | Sana | 23.05.2024 | | Hajmi | 144,16 Kb. | | #251705 |
amaliy mashg‘ulot
Integral mikrosxemalar ishonchliligini hisoblash
Apparaturalarni ishlab chiqishda ishonchlilik masalalariga katta e’tibor beriladi. Ishonchlilik xarakteristikalari mezonlar deyiladi. Rad etishning yuzaga kelish jarayoni tabiatan tasodifiy, u holda ishonchlilik mezonlari statistik kattalik hisobanadi va matematik statistika qoidalari asosida aniqlanadi.
Ishonchlilik mezonlariga quyidagilar kiradi:
p(t) rad etmasdan ishlash ehtimolligii;
v(t) rad etishlar chastotasi;
λ(t) rad etishlar intensivligi.
Ishonchliligini hisoblash usuli ko‘p jihatdan rad etishlar taqsimoti qonunining turiga bog‘liq.
Bizning holda faqat to‘satdan rad etishlar hisobga olinadi. Bunda istalgan elementning rad etishi butun qurilmaning rad etiishiga olib keladi deb hisoblaymiz va qurilmaning rad etmasdan ishlash ehtimolligi barcha elementlarning rad etmasdan ishlash ehtimolliklarining ko‘paytmasiga teng bo‘ladi:
𝑁
𝑃𝑐 = 𝖦 𝑝𝑖(𝑡), (5.1)
𝑖=1
bu erda pi(t) – i-nchi elementning rad etmasdan ishlash ehtimolligi.
Radioelektron apparatura (REA) uchun rad etishlar intensivligi o‘zgarmas (λ(t)-const) hisoblanadi, ya’ni ular normal ishlatish oralig‘i olinadi va shuning uchun bu erda eksponensial taqsimot qonuni qo‘llaniladi. Ko‘plab REA tugunlari va bloklari, shu jumladan integral mikrosxemalar (IMS) uchun amal qiladigan rad etishlarning vaqt bo‘yicha taqsimoti eksponensial qonunida rad etishlar intensivligi vaqtga bog‘liq emas. SHuning uchun, eksponensial qonun uchun quyidagiga ega bo‘lamiz:
pi (t)
e it
(5.2)
IMSlarni ishlatish sharoitlari turli fizik-kimyoviy tabiatga ega bo‘lgan, juda keng chegaralarda o‘zgaradigan va IMSlarning ishlash qobilyatiga va ularning ishonchliligiga har xil ta’sir ko‘rsatadigan ta’sir etuvchi omillar kompleksi bilan tavsiflanadi. Qo‘llanishi sohasiga bog‘liq ravishda IMSlar ularning ishlash qobiliyatiga turli xil ta’sir ko‘rsatadigan alohida omillar ta’siriga uchraydi.
To‘satdan rad etishlarning paydo bo‘lish vaqti eksponensial qonun bo‘yicha taqsimlanishi hisobga olinganda yarimo‘tkazgichli IMSlarning rad etishlar intensivligi quyidagi ifoda orqali aniqlanadi:
𝑚
λ ИМС = ∑ 𝑛 𝑖𝛼 𝑖𝑘 𝑖λ 𝑖 , (5.3)
𝑖=1
bu erda m - elementlar guruhlari soni;
n i- bir xil ishlash rejimiga ega bo‘lgan bu turdagi elementlar soni;
α i - bu atrof-muhit va elektr yuklamaning ta’sirini hisobga oladigan tuzatish koeffitsienti;
k i - bu mexanik kuchanish, nisbiy namlik va atmosfera bosimining o‘zgarishini hisobga oladigan tuzatish koeffitsienti;
λ i – tuzilma (tranzistorlar, rezistorlar), metallashtirish, kristall va konstruksiya elementlarning (ulanishlar, korpus) rad etishlar intensivligi.
Misol uchun, K555LA3 IMSning rad etishlar intensivliginihisoblaymiz (5.1- rasm). K555LA3 mikrosxema 4 ta 2VA-YO‘Q elementlariga ega.
5.1-rasm. K555LA3 mikrosxema
K555LA3 mikrosxema quyidagilardan tashkil topgan: np = 16 - rezistorlar soni;
ntp = 16 - tranzistorlar soni; nd = 4 - diodlar soni;
nv = 14 - chiqishlar soni.
Mikrosxema tuzilmasi elementlarining rad etishlar intensivliklari, tuzatish koeffitsientlari:
λr=0,6∙10-8 1/soat; λtr=1∙10-8 1/soat; λd=0,5∙10-8 1/ch soat; λv=0,1∙10-8 1/ch soat; αr=αv=1,15; αtr=αd=1,34
k=1.
U holda K555LA3 uchun quyidagini olamiz:
λims= 16∙1,15∙0,6∙10-8+4∙1,5∙0,5∙10-8+16∙1,5∙1∙10-8+
+14∙1,15∙0,1∙10-8=39,65∙10-8 (1/soat).
|
| |
