• Input Xarakteristikasi: IB-IC Xarakteristikasi
  • VBE-IB Xarakteristikasi
  • VCE-IC Xarakteristikasi
  • Bajaruvchi: Nazarov u tekshiruvchi: nizamov a samarqand-2022 1-laboratoriya mashg’ulotini mavzu: yarimo’tkazgichli diod parametrlari va xarakteristika-larini tadqiq etish




    Download 0,91 Mb.
    bet3/6
    Sana01.02.2024
    Hajmi0,91 Mb.
    #150022
    1   2   3   4   5   6
    Bog'liq
    Nazarov
    Zaynura kreativlik, 4-mustaqil ish elektronika 2, Hisobot to\'liq , maqolalar ro\'yxati xayit, Хасанов Хайитмурод обьективка 2023 янги — копия, asdasd, 1, ахборот хати 23-24-ноябрь (2) (2), 101-variant Chiziqli tuzilishga ega bo`lgan algoritmning blok-sx-fayllar.org, Ижара шартнома, Mustaqil ish Dasturlash Karimberdiyev Karimberdi, Урок-презентация Сказки А. Пушкина, KOMPLEKS HADLI QATORLAR. TEYLOR QATORI.LORAN QATORI., Laplas operatorining silindrik va sferik koordinatalarda ifodalanishi. Maydonlar nazariyasining tadbiqi.Laplas operatorining silindrik va sferik koordinatalarda ifodalanishi. Maydonlar nazariyasining tadbiqi, Allaberdiyeva Aziza Baxtiyorovna
    Foydalanilgan adabiyotlar:
    https://hozir.org/qattiq-jism-zonalar-nazariyasi-elementlari-reja.html
    https://hozir.org/qattiq-jism-zonalar-nazariyasi-elementlari.html

    2-MAVZU: UE ULANISH SXEMASIDAGI BTNI STATIK VAXLARINI TADQIQ ETISH.
    Topshiriq maqsadi: Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini o’rganish.

    Umumiy emitter ulanish sxemasi asosan bipolyar tranzistorning tashqi ulanishini (collectordan emitterga) ko'rsatadi. Bu sxemada emitteri birlangan (common emitter) ulanishdagi bipolyar tranzistorning asosiy statik xarakteristikalari quyidagi yo'lda tasvirlanadi:



    1. Input Xarakteristikasi:

      • IB-IC Xarakteristikasi: Bu xarakteristika tranzistorning bazasidan olib kelgan hodisasi (IB) bilan collector hodisasi (IC) orasidagi munosabatni ko'rsatadi. O'rtacha hodisa (IC) va collector-to-emitter voltaj (VCE) o'rtasidagi munosabat bu xarakteristikada tasvirlanadi.

      • VBE-IB Xarakteristikasi: Bu xarakteristika, bazaning emitterga kelgan voltaj (VBE) va bazaning emitterga kelgan hodisasi (IB) orasidagi munosabatni tasvirlaydi.

    2. Output Xarakteristikasi:

      • IC-VCE Xarakteristikasi: Bu xarakteristika tranzistorning o'rtacha hodisasi (IC) va collector-to-emitter voltaj (VCE) orasidagi bog'lovchi munosabatni ifodalaydi. Bu xarakteristika op-amp'ning ishlovchi sharoitini va o'zlashtirilgan hodisa (transistor ishlovchi) holatini ko'rsatadi.

      • VCE-IC Xarakteristikasi: Bu xarakteristika, VCE va IC o'rtasidagi munosabatni ifodalaydi va tranzistorning ishlovchi sharoitini tasvirlaydi.

    3. Output Resistance (rO): Bu xarakteristika tranzistorning ochiq bo'lgan holda ishlashida, collector hodisasining emitterga kelgan hodisasiga nisbatan o'zgarishlarga qanday ta'sir ko'rsatishini ko'rsatadi.


    4. Download 0,91 Mb.
    1   2   3   4   5   6




    Download 0,91 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Bajaruvchi: Nazarov u tekshiruvchi: nizamov a samarqand-2022 1-laboratoriya mashg’ulotini mavzu: yarimo’tkazgichli diod parametrlari va xarakteristika-larini tadqiq etish

    Download 0,91 Mb.