• Input Xarakteristika: IB-VBE Xarakteristikasi (Emitter-Base Voltage-Current Characteristic)
  • Output Xarakteristika: IC-VC Xarakteristikasi (Collector-Collector Voltage Characteristic)
  • Bajaruvchi: Nazarov u tekshiruvchi: nizamov a samarqand-2022 1-laboratoriya mashg’ulotini mavzu: yarimo’tkazgichli diod parametrlari va xarakteristika-larini tadqiq etish




    Download 0,91 Mb.
    bet5/6
    Sana01.02.2024
    Hajmi0,91 Mb.
    #150022
    1   2   3   4   5   6
    Bog'liq
    Nazarov
    Zaynura kreativlik, 4-mustaqil ish elektronika 2, Hisobot to\'liq , maqolalar ro\'yxati xayit, Хасанов Хайитмурод обьективка 2023 янги — копия, asdasd, 1, ахборот хати 23-24-ноябрь (2) (2), 101-variant Chiziqli tuzilishga ega bo`lgan algoritmning blok-sx-fayllar.org, Ижара шартнома, Mustaqil ish Dasturlash Karimberdiyev Karimberdi, Урок-презентация Сказки А. Пушкина, KOMPLEKS HADLI QATORLAR. TEYLOR QATORI.LORAN QATORI., Laplas operatorining silindrik va sferik koordinatalarda ifodalanishi. Maydonlar nazariyasining tadbiqi.Laplas operatorining silindrik va sferik koordinatalarda ifodalanishi. Maydonlar nazariyasining tadbiqi, Allaberdiyeva Aziza Baxtiyorovna
    Foydalanilgan adabiyotlar:
    https://hozir.org/qattiq-jism-zonalar-nazariyasi-elementlari-reja.html
    https://hozir.org/qattiq-jism-zonalar-nazariyasi-elementlari.html

    3-MAVZU: UB ULANISH SXEMASIDAGI BTNI STATIK VAXLARINI TADQIQ ETISH.
    Topshiriq maqsadi: Umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini o’rganish.
    Bipolyar tranzistorlar (BJT), elektronik texnikasida amalga oshiriladigan integrallar va o'zlashtirilgan devicelarda keng qo'llaniladi. Bu tranzistorlar uchun asosiy statik xarakteristikalarning ikki turi mavjud: input xarakteristika (tashqi xarakteristika) va output xarakteristika (ichki xarakteristika).

    1. Input Xarakteristika:

      • IB-VBE Xarakteristikasi (Emitter-Base Voltage-Current Characteristic): Bu xarakteristika tranzistorning emitter to base voltajiga bog'liq bazaga kelgan emitter-to-base hodisasi (IB) bilan bazaning emitterga bog'liq bazaning emitter-to-base voltajini (VBE) tasvirlaydi. Bu xarakteristika trigonometrik o'lchamlarda, ya'ni IB va VBEning uzunlik va burchi miqdorlarini ko'rsatadi.

    2. Output Xarakteristika:

      • IC-VC Xarakteristikasi (Collector-Collector Voltage Characteristic): Bu xarakteristika tranzistorning collector to collector voltajiga bog'liq collector hodisasi (IC) bilan collectorning collector-to-collector voltajini (VC) tasvirlaydi. Bu xarakteristika ham trigonometrik o'lchamlarda tasvirlanadi va tranzistorning o'zlashtirilgan ish rejimini ko'rsatadi.

    Bu xarakteristikalar tranzistorning stabil, o'zlashtirilgan, normal, doimiy hodisalarni tasvirlaydi. Static xarakteristikalar o'zaro bog'liq holda, tranzistorning hodisalarining tezligini va hodisalarning o'rtacha o'lchamlarini ko'rsatishda yordam bera oladi. Xususan, bu xarakteristikalar elektronik texnikada tranzistor hodisalarini analiz qilishda va dizayn qilishda juda muhimdir.

    Bipolyar tranzistorlarning statik xarakteristikalari o'z ichiga o'rtacha hodisalarni tasvirlaydi va elektronik devicelarni tuzishda, analiz qilishda yoki dizayn qilishda foydalaniladi. Quyidagi ma'lumotlar tranzistorning statik xarakteristikalari haqida ko'proq tafsilot bera oladi:




    1. Download 0,91 Mb.
    1   2   3   4   5   6




    Download 0,91 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Bajaruvchi: Nazarov u tekshiruvchi: nizamov a samarqand-2022 1-laboratoriya mashg’ulotini mavzu: yarimo’tkazgichli diod parametrlari va xarakteristika-larini tadqiq etish

    Download 0,91 Mb.