|
Bajaruvchi: Nazarov u tekshiruvchi: nizamov a samarqand-2022 1-laboratoriya mashg’ulotini mavzu: yarimo’tkazgichli diod parametrlari va xarakteristika-larini tadqiq etish
|
| bet | 4/6 | | Sana | 01.02.2024 | | Hajmi | 0,91 Mb. | | #150022 |
Bog'liq Nazarov Zaynura kreativlik, 4-mustaqil ish elektronika 2, Hisobot to\'liq , maqolalar ro\'yxati xayit, Хасанов Хайитмурод обьективка 2023 янги — копия, asdasd, 1, ахборот хати 23-24-ноябрь (2) (2), 101-variant Chiziqli tuzilishga ega bo`lgan algoritmning blok-sx-fayllar.org, Ижара шартнома, Mustaqil ish Dasturlash Karimberdiyev Karimberdi, Урок-презентация Сказки А. Пушкина, KOMPLEKS HADLI QATORLAR. TEYLOR QATORI.LORAN QATORI., Laplas operatorining silindrik va sferik koordinatalarda ifodalanishi. Maydonlar nazariyasining tadbiqi.Laplas operatorining silindrik va sferik koordinatalarda ifodalanishi. Maydonlar nazariyasining tadbiqi, Allaberdiyeva Aziza BaxtiyorovnaCommon Emitter Gain (hfe): Bu xarakteristika, emitterining birlangan ulanishda o'zlashtirilgan hodisani (IC) bazaning birlangan ulanishdagi hodisasi (IB) ga nisbatini ko'rsatadi.
Early Voltage (VA): Bu xarakteristika tranzistorning collector hodisasi o'zgarishlariga qarab emitter bilan collector hodisasi orasidagi voltaj bo'lishini ifodalaydi. VA parametri o'zlashtirilgan hodisani (IC) o'zgarishlarga nisbatan qanday o'zgarishlarga olib keladi.
Umumiy emitter ulanish sxemasi va xarakteristikalari, bipolyar tranzistorning statik xususiyatlari va ishlashini tushuntirishda juda muhimdir. Bu xarakteristikalar, tizimni dizayn qilish, optimal ish rejimlarni tanlash va tuzishda qo'llaniladi.
Input Impedance (Zin): Bu xarakteristika tranzistorning bazasiga kelgan hodisasini o'z ichiga qanday kuchli qabul qilishi yoki qanday ko'payishi, deb tasvirlaydi. Yani, tranzistorning baza uchun suyiqlikni bildiradi.
Output Impedance (Zout): Bu xarakteristika tranzistorning emitterga kelgan hodisasini o'z ichiga qanday kuchli chiqarishi yoki qanday kamayishi, deb tasvirlaydi. Yani, tranzistorning emitter uchun suyiqlikni bildiradi.
Transconductance (gm): Bu xarakteristika tranzistorning ishlovchi tezligini (transconductance) tasvirlaydi. Transconductance, bazaning emitterga kelgan hodisasi (IB) va collector hodisasi (IC) orasidagi munosabatda qanday o'zgarishlarni ta'minlaydi.
Small-Signal Model: Bu xarakteristika tranzistorning small-signal modelini ifodalaydi. Small-signal modeli, tranzistorning o'rtacha hodisasi bo'lgan ishlovchi kuchini, baza o'zgarishlari (small-signal) asosida tasvirlaydi.
Temperature Dependence: Bu xarakteristika tranzistorning temperaturaga qanday ta'sir ko'rsatishi, deb tasvirlaydi. Temperatura o'zgarishi tranzistorning elektr xususiyatlari va ishlashiga ta'sir qilishi mumkin.
Xulosa:
Bu xarakteristikalar, bipolyar tranzistorning umumiy emitter ulanishini tushuntirishda va tranzistorlar bilan ishlovchilar tuzishda yordam beradi. Ular tizimni dizayn qilish, ishlovchi sharoitlarni belgilash va optimal ish rejimlarni tanlashda katta ahamiyatga ega.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Bajaruvchi: Nazarov u tekshiruvchi: nizamov a samarqand-2022 1-laboratoriya mashg’ulotini mavzu: yarimo’tkazgichli diod parametrlari va xarakteristika-larini tadqiq etish
|
