|
Bərk ciSİm elektronikasi, radioelektron komponentləRİ, Mİkro və nanoelektronika ixtisası üzrə doktorluq imtahanının proqrami
|
| bet | 5/15 | | Sana | 02.03.2022 | | Hajmi | 240,5 Kb. | | #7648 |
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1.1.Общие свойства п/п. Природа химической связи в п/п-х. Структура кристаллов. Идеальные и реальные кристаллы. Дефекты в кристаллах. Свойства основных монокристаллических материалов микроэлектроники: Si, GaAs, Ge и др. Поликристаллические и амфорные п/п.
1.2.Зонная теория твердого тела. Энергетические спектры электронов в металлах, п/п-ах, диэлектриках. Зона проводимости и валентная зона. Эффективная масса электрона. Собственные и примесные п/п. Роль донорных и акцепторных примесей.
1.3.Основы статистической физики. Функция распределения Ферми-Дирака. Концентрация электронов и дырок в зонах. Температурные зависимости. Распределение Максвелла-Больцмана. Критерий вырождения электронного газа. Вырожденные и невырожденные п/п.
1.4.Рекомбинация носителей. Рекомбинация «зона-зона» и рекомбинация через примеси и дефекты. Теория рекомбинации Шокли-Рида. Диффузионная длина и время носителей. Поверхностная рекомбинация.
1.5.Электропроводность п/п-ов. Носители заряда в слабом электрическом поле. Взаимодействие с фотонами, примесными атомами, дефектами. Подвижность электронов и дырок. Условие электронейтральности. Диффузия и дрейф носителей заряда. Соотношение Эйнштейна. Носители зарядов в сильном электрическом поле. Горячие электроны. Лавинное умножение в п/п. Эффект Ганна. Сверхпроводность. Уравнение для плотности электрического тока в п/п. Уравнение непрерывности. Уравнение Пуассона.
1.6.Электронно-дырочный переход (р-n). Инжекция и экстракция неосновных носителей заряда. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) р-n перехода. Токи носителей заряда в р-n переходе, квазиуровни Ферми. Коэффициент инжекции. Генерация и рекомбинация носителей в р-n переходе. Барьерная и диффузионная ёмкость перехода. Пробой р-n перехода: тепловой, лавинный, туннельный.
1.7.Гетеропереходы. Энергетические диаграммы резких и варизонных переходов. Контакт металл-проводник. Омический и выпрямляющий переходы Шоттки.
1.8.Транзисторный эффект. Зонная диаграмма п/п структуры с двумя близко расположенными р-п переходами. Коэффициент инжекции. Коэффициент переноса носителей через базу. Коэффициент усиления транзистора.
1.9.Поверхностные состояния. Структуры металл-диэлектрик-п/п (МДП). Зонная диаграмма и ее изменение при приложении напряжения. Роль поверхностных состояний, подвижных и неподвижных зарядов в диэлектрике. Полевой эффект в МДП-структурах. Емкость МДП структур.
1.10.Фотоэлектрические явления в п/п. Поглощение излучения: собственное и примесное, экситонное и на свободных носителях. Закон Бугера. Красная граница поглощения. Фотопроводимость. Спектральная характеристика. Фотовольтаический эффект в р-п переходе.
1.11.Теплопроводность п/п. Термоэлектрические явления. Термо- и гальвомагнитные эффекты. Эффект Холла. Электро-, магнито-, акустооптические эффекты. Поверхностные акустические волны. Акустоэлектронные волны.
1.12.Поглощение излучения в п/п. Прямые и непрямые переходы носителей заряда. Виды люминесценции: инжекторная, катодо-фотолюминесценция. Электролюминесценция порошковых и пленочных п/п. Основные материалы оптоэлектроники: соединения А3В5 и А2В6. Спектры излучения. Правило Стокса, антистоксова люминесценция. Квантовый выход. Вывод излучения из п/п.
1.13.Лазерный эффект в п/п-ах. Индуцированное (стимулированное) излучение. Оптический резонатор, усиление и генерация света. Пороговый ток.
|
|
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Bərk ciSİm elektronikasi, radioelektron komponentləRİ, Mİkro və nanoelektronika ixtisası üzrə doktorluq imtahanının proqrami
|
