|
YARIMKEÇİRİCİ CİHAZLARIN VƏ İNTEQRAL MİKROSXEMLƏRİN İSTEHSALINDA TEXNOLOJİ PROSESLƏR
|
| bet | 8/15 | | Sana | 02.03.2022 | | Hajmi | 240,5 Kb. | | #7648 |
YARIMKEÇİRİCİ CİHAZLARIN VƏ İNTEQRAL MİKROSXEMLƏRİN İSTEHSALINDA TEXNOLOJİ PROSESLƏR
3.1.Y/k-nin kristalloqrafik oriyentasiyasının təyini. Lövhələrin oriyentasiyalı kəsilməsi, pardaqlanması və cilalanması. Elektrokimyəvi kəsmə. Germanium, silisium, qallium arsenidin kimyəvi aşılanması və kimyəvi cilalanması. Lövhələrin finiş təmizlənməsi.
3.2.Təmizlənmə keyfiyyətinin yoxlanılması metodları. Diffuziya prosesinin fiziki əsasları. Əsas tənliklər. Daha vacib diffuziya halları üçün sərhəd şərtləri və hesablama düsturları. Diffuziya proseslərinin aparılmasının praktiki metodları. Diffuziya sobalarının struktur sxemləri. Elektron və ion dəstələrinin alınması metodları.
3.3.İon aşqarlaması. Y/k, dielektrik və metal təbəqələrin plazmokimyəvi və ion-plazma emalı metodları. Elektron-ion emalının yaratdığı defektlər və onların aradan qaldırılması. Cəld termiki emal metodu.
3.4.Epitaksiya. Təcrübi epitaksial artırma metodları. Epitaksial təbəqələrə nəzarət metodları. Epitaksial təbəqələrdə aşqarların paylanması. Epitaksial pərdələrin defektlərı. Epitaksial heterokeçidlərin alınması. А3В5 epitaksial pərdələrin yetişdirilməsi. Pərdələrin epitaksial yetişdirilməsi avadanlığı. Qaz fazalı, maye fazalı və molekulyar epitaksiyanın müqayisəsi. Silisiumun su buxarında, quru və nəm oksigendə, termiki oksidləşdirilməsi, vakuumda buxarlandırma və kondensasiya, anod oksidləşməsi, oksidin qaz fazasından kimyəvi çökdürülməsi. Silisium 2-oksid pərdəsinin maskalama qabiliyyəti. Pərdələrdəki yüklənmiş aşqarlar, pərdə yükünün ölçülmə metodları. Silisium nitrid pərdələri.
3.5.Vakuumda termiki buxarlanma ilə nazik pərdələrin alınması. İon tozlandırması, ion-plazma anodlaşdırması. Qaz fazasından kimyəvi çökdürmə. Nazik pərdələr almaq üçün avadanlıqlar. Nazikpərdəli texnologiya materialları.
3.6.Fotolitoqrafiya. Fotolitoqrafiya avadanlıqlarının əsas tipləri. Elektronolitoqlafiya, rentgenolitoqrafiya, ion litoqrafiya. Ayırdetmə qabiliyyəti və maksimal təsvir sahəsi. Fotoşablonlar və onların texnologiyası. Mikrosxemlərin, fotolitoqrafik proseslərlə əlaqədar olan defektlərı.
3.7.Y/k inteqral sxemlərin (İS) konstruksiya olunmasının əsasları. Elementlərin izolyasiya olunma metodları. P-n keçidli izolyasiya. İzoplanar texnologiya, epik-proses, «silisium izolyatorda» texnologiyası. İS elementlərinin strukturu və xassələri.
3.8.Nazik və qalınpərdəli İS-lərin texnologiyası. Y/k cihazlar və inteqral sxemlərin yığılması və montajı. Y/k cihazlar və inteqral sxemlərin korpusları. Hermetizasiya metodları. Korpussuz cihazlar. Y/k cihazlarda və İS-də istilik ötürmə metodları. İBİS-lərin təkmilləşdirilməsinin əsas istiqamətləri. İBİS-lərin inteqrasiya dərəcəsinin və sürətiinin artırılması. Submikron texnologiyası.
|
|
|
|
| |
