|
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
|
| bet | 9/15 | | Sana | 02.03.2022 | | Hajmi | 240,5 Kb. | | #7648 |
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
3.1.Определение кристаллографической ориентации п/п. Ориентированная резка, шлифовка и полировка пластин. Станки для полировки п/п. Химическое травление и химическая полировка германия, кремния и арсенида галлия. Химико-механическая полировка. Финишная очистка пластин.
3.2.Методы контроля качества очистки. Пленарная технология. Физические основы процесса диффузии. Основные уравнения. Граничные условия и расчетные формулы для наиболее важных частных случаев диффузии. Практические методы проведения диффузионных процессов. Структурные схемы диффузионных печей.
Методы получения электронных и ионных пучков.
3.3.Ионное легирование. Плазмохимические и ионно-плазменные методы обработки п/п-х, диэлектрических и металлических слоев. Дефекты, вносимые электронно-ионной обработкой, их устранение.
3.4.Эпитаксия. Практические методы эпитаксиального выращивания Si. Методы контроля эпитаксиальных слоев. Распределение примесей в эпитаксиальных слоях. Дефекты эпитаксиальных пленок. Получение эпитаксиальных гетеропереходов. Выращивание эпитаксиальных пленок А3В5. Оборудование для эпитаксиального наращивания пленок. Сравнение газотранспортной, жидкофазной и молекулярной эпитаксии.
Термическое окисление кремния в парах воды, в сухом и влажном кислороде; распыление и конденсация окислов кремния в вакууме; анодное окисление; химическое осаждение окисла из газовой фазы. Маскирующая способность пленок двуокиси кремния. Заряженные примеси в пленках, методы изменения заряда пленок. Пленки нитрида кремния.
3.5.Получение тонких пленок термическим испарением в вакууме. Ионно-плазменное распыление. Химическое осаждение из газовой фазы. Оборудование для получения тонких пленок. Материалы тонкопленочной технологии.
3.6.Фотолитография. Основные типы оборудования для фотолитографии. Проекционная фотолитография. Фотошаблоны и их изготовление. Дефекты микросхем, связанные с фотолитографическими процессами.
3.7.Основы конструирования структуры п/п-х ИС. Методы изоляции элементов. Изопланарная технология, эпик-процесс, технология "кремний на изоляторе". Структура и свойства элементов ИС.
3.8.Сборка и монгаж п/п-х приборов и интегральных микросхем. Корпуса п/п-х приборов и интегральных микросхем. Методы герметизации Бескорпусные приборы. Методы отвода тепла в мощных п/п-х приборах. Тенденция развития планарной технологии Субмикронная технология.
|
|
|
| |
