|
ПРИБОРЫ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
|
| bet | 7/15 | | Sana | 02.03.2022 | | Hajmi | 240,5 Kb. | | #7648 |
ПРИБОРЫ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
2.1.П/п диоды. Основные параметры и характеристики диодов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы. Импульсные и частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды. Диоды с накоплением заряда. Варикапы. Стабилитроны. Туннельные и обращенные диоды Лавинно-пролетные диоды. Диоды Шоттки. Диоды Ганна. Диоды для СВЧ.
2.2.П/п транзисторы.
2.2.1.Биополярные транзисторы Структура и принцип действия. Распределение носителей в областях транзисторов. Эффект Эрли. Основные параметры и характеристики транзисторов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы и математические модели транзистора: модели Эберса-Молла, Лингвилла, зарядовая. Импульсные и частотные свойства транзисторов. Работа транзистора при высоком уровне инжекции. Пробой транзистора и смыкание переходов. Шумы в транзисторах. Мощные транзисторы. СВЧ транзисторы.
2.2.2. Тиристоры, принцип их действия и классификация. Основные параметры и характеристики.
2.2.3.Полевые транзисторы МДП, с р-n переходом и с барьером Шоттки. Принцип действия. Модуляция глубины канала. Основные параметры и характеристики полевых транзисторов. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Частотные и импульсные свойства полевых транзисторов. Шумы полевых транзисторов в диапазоне низких частот и на СВЧ. МОП-структуры.
2.2.5.Интегральные микросхемы. Элементы ИС: транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы в составе ИС. Классификация ИС по конструктивно-технологическому и функциональному решению. Цифровые и аналоговые ИС. П/п ЗУ и микропоцессоры. Биполярные ТТЛ, ЭСЛ и И2 Л- схемы, МДП-ИС: с р- и n- каналами, К/МОП.
2.2.6.Приборы с зарядовой связью. Принцип действия, основные параметры и области применения.
2.2.7.Оптоэлектронные приборы. Назначение и области применения. Фотоприемники: фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы, лавинные фотодиоды. Основные параметры и характеристики: фоточувствительность, обнаружительная способность, быстродействие. Солнечные батареи. П/п излучатели: светодиоды и лазеры. Приборы для систем отображения информации. Оптроны и Оптоэлектронные интегральные семмы.
Термоэлектрические и гальваномагнитные п/п приборы. Твердотельные датчики, включая микроэлектронные преобразователи информации.
2.2.8.Акустоэлектроника, магнитоэлектроника, криоэлектроника (общее представление). Функциональная электроника.
|
|
|
| |
