|
Ko‘p bosqichli kuchaytirigichlar
|
bet | 5/6 | Sana | 04.06.2024 | Hajmi | 0,97 Mb. | | #260058 |
Bog'liq BIPOLYAR TRANZISTORLAR ASOSIY PARAMETRLARIKo‘p bosqichli kuchaytirigichlar. Kuchaytirgich parametrlarining yaxshi barqarorligini ta’minlab beruvchi manfiy teskari aloqa kuchaytirish koeffisientini keskin kamaytiradi. Katta KU qiymatini olish uchun keng polosali ko‘p bosqichli kuchaytirgichlar qo‘llaniladi.
Mahalliy MTAdan tashqari kuchaytirgichda umumiy teskari aloqa qo‘llanilgan. U kuchaytirgich bosqich chiqishini VT1 tranzistor emitteri bilan bog‘lovchi RTA rezistor zanjirida bajarilgan. Mahalliy (bosqichlar ichidagi) teskari aloqalarga nisbatan butun kuchaytirigichni qamrab oladigan teskari aloqa, yanada yuqori barqarorlikni hamda alohida bosqichlarni kuchaytirish koeffisienti og‘ishiga sezgirlikni kamayishini ta’minlaydi. 13 – sxema integral kuchaytirgich yasashda asos hisoblanadi.
Lekin teskari aloqali asosiy uch bosqichli kuchaytirgichdan tashqari, integral kuchaytirgich sxemasi kichik chiqish qarshiligini ta’minlash uchun va kuchaytirigichda qo‘shimcha keng polosalik,
XULOSA
Xulosa qilib aytganda Tranzistor uchta soxadan iborat yarim o‘tkazgichli asbobdir. . Urta kismi baza deb deb atalib aralashma kontsentratsiyasi chetki kismlariga nisbatan kam va yupka bo‘ladi. Baza kalinligi LБ elektron yoki kovakning rekombinatsiyalashgunga kadar erkin yugurib utgan masofasi Lд ga nisbatan kichik LБ < LД.bulsa yupka baza deb yuritiladi. LД shuningdek, diffuziya siljish uzunligi deb ham ataladi. Chetki kismlaridan biri emitter, ikkinchisi kollektor deb ataladi. Tranzistorning tuzilishi triodga kiyoslansa, emitter – katodga, baza- turga, kollektor - anodga uxshatiladi.
Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi in’ektsiya, ya’ni injektsiyalanadi degan ma’noni anglatadi. Mana shu xususiyati bilan elektron lampadagi katoddan termoelektron emissiya xodisasi tufayli elektronlar hosil bulishi orasidagi fark tushuntiriladi. Tranzistor va vakuumli triod ishlash printsipi jihatidan ham fark kiladi. Triodda turga kuchlanish berilsa ham, anod toki hosil bo‘ladi. Tranzistorda esa baza toki bulmasa, kollektor toki ham bulmaydi. Diskret tranzistorda r-n utishlar yarim o‘tkazgichli plastinaning karama – qarshi tomonlarida joylashgan. Utishlari bir tomonga joylashgan tranzistorlar ham mavjud. Bunday tranzistorlar integral tranzistorlar deb ataladi. Emitter soxasida aralashma miqdori ko‘p rok bo‘ladi. Kollektor zaryad tashuvchilarni ekstraktsiyalash (sugurib olish) vazifasini bajaradi.
|
| |