|
Bipolyar tranzistorning ishchi nuqtasini o’rnatish
|
| bet | 2/4 | | Sana | 10.07.2024 | | Hajmi | 1,93 Mb. | | #267258 |
Bog'liq slQcJnUZxvve4yjOdlxzgAZnyY1amuEhMDjvHcIoBipolyar tranzistorning ishchi nuqtasini o’rnatish.
Bu bazada fiksatsiyalangan kuchlanish sxemasi va bazada fiksatsiyalangan tok sxemasi. BT ni ishchi nuqtasini o’rnatishning ikkita asosiy usuli mavjud bo’lib, u rasmda ko’rsatilgan
BT ning ishchi nuqtasi bir vaqtda kirish va chiqish VAX koordinatalar sistemasida hosil qilinadi va ikkala holda ham va kattaiklar, qiymatlari bilan belgilanadi.
Farq faqat boshqariluchi kattalik tanlovida bo’ladi: bazada fiksatsiyalangan kuchlanish sxemasida tashqi kuchlanish siljitishi olinib, qiymati ga teng, bunda BT ning kiruvchi VAX si bo’yicha BT ning baza-emitter o’tishi orqali o’tuvchi tok ga teng bo’ladi, baza tokini fiksatsiyalash sxemasida tok manbai toki birato’la qilib olinadi. Shu yo’l bilan yana o’sha kiruvchi VAX ga muvofiq zarur o’rnatilishi ta’minlanadi.
Doimiy tok bo’yicha ishchi nuqtani aniqlashning bu ikki usuli amalda o’xshash bo’lib, unga mos qiymat bilan yoki teskarisi unga mos bu kirish VAX da bitta nuqta, biroq bu BE o’tishni siljituvchi ikki usul o’zgaruvchan tok bo’yich kuchaytiruvchi kaskadlarga har xil ta’sir qiladi ayniqsa ularning termostabilligiga. Biroq amalda qator cheklangan holatlarda, masalan tor temperaturalar diapazonida ularni qo’llash imkoniyati yuqori.
Ishchi nuqta termostabilizatsiyasi, termokompensatsiya.
Kuchaytirgich ishchi nuqtasi stabilizatsiyasi .
Kuchaytirgich kaskadida tashqi destabilizatsiyalovchi faktorlarning tranzistor sokinllik tokiga ta’siri kuchaytirgichning ishchi rejimini o’zgartiradi.
Asosiy destabilizasiyalovchi faktorlar: quvvat manbai kuchlanishi barqaror emasligi, atrof muhit temperaturasining o’zgarishi va yuklama qarshligi.
Kuchaytirgich ishchi nuqtasi stabilizatsiyasi uchun termokompensatsiya metodlari ishlatiladi.
Termokompensatsiya metodida kuchaytirgich kaskadida, masalan, UE bilan baza emitter zanjirida kompensatsion element – diod yoki termistor qo’yiladi.
Termokompensatsiya metodi qo’llaniladigan UE ulangan kuchaytirgich sxemasi.
Termokompensatsiyasi ishlash printsipi shunga asoslanganki, atrof muhit temperaturasi ta’sirida VD dioddagi kuchlanishning temperaturaviy o’zgarshi baza emitter o’tishidagi kuchlanishning temperaturaviy o’zgarishini kompensatsiyalaydi. Rсм rezistor VD diod bilan birgalikda tranzistor ishchi nuqtasini belgilovchi kuchlanish bo’lgichini hhosil qiladi.
UE sxemasi bo’yicha kuchaytirgich termostabilizasiyasi metodi kuchaytirgichga atrof muhit temperaturasi ta’sir qilganda teskari manfiy aloqa ta’siri qo’llanilishiga asoslangan. Termostabilizatsiya metodlariga kollektorli va emitterli stabilizatsiya kiradi. Masalan, emitterli stabilizatsiyaning qo’llanilishi 8 rasmdagi sxemada ko’rsatilgan.
Sxemada quyidagi belgilar kiritilgan (8-rasm): Ec - kirish signali manbai; Rm - kirish signali manbasining ichki qarshiligi; R, - emitter o’tishining qarshiligi; C-yuqori sig'imli shuntlovchi kondensator.
Salbiy qayta aloqa signali tranzistorning bazasiga etib boradi va shu bilan kuchaytirishni kamaytiradi, bu kaskad parametrlarini barqarorlashtirish, chastota o'tkazish qobiliyatini kengaytirish, kirish qarshiligini oshirish va kuchaytirgichning buzilishini kamaytirish imkonini beradi.
|
| |
