Frotorezistorlar.
Fotorezistorning ulanish sxemasi va konstruksiyasi. Qorong‘i va yorug‘li tok.
22-rasm mono 23-rasm. Plenkali
kristalli fotorezistor fotorezistor
Yorug‘lik ta’sirida o‘tkazuvchanligi o‘zgaradigan yarim o‘tkazgichli asboblar fotorezistorlar deyiladi. Monokristalli va plenkali fotorezistorlar konstruksiyalari 22, 23 rasmlarda ko‘rsatilgan. Fotorezistorning asosiy elementi bo‘lib birinchi holatda monokristall hisoblanadi, ikkinchisida esa – yarimo‘tkazuvchi materialning yupqa plenkasi.
Agar fotorezistor kuchlanish manba bilan ketma-ket ulanib yoritilmagan bo‘lsa, Bunda uning zanjirida qorong‘i toki oqa boshlaydi.
Ik = E\(RQ + Ryu),
F
If
Rn
24-rasm.
Bunda YE-ta’minlovchi manbai EYuK; RQ-qorong‘ida fotorezistorning elektr qarshiligini miqdori, qorong‘ilik qarshiligi deb nomlanadi; Ryu-yuklash qarshiligi.
Fotorezistorni yoritganda fotonlar energiyasi elektronlarni o‘tkazuvchanlik zonasiga sarflanadi. Elektron teshikli juftlarni bo‘sh soni oshib boradi, fotorezistorning qarshiligi kamayadi va u orqali yorug‘lik toki oqa boshlaydi
Iyo = YE / (Re + Ryu).
Yorug‘lik va qorong‘ilik tokini farqi (ayirmasi) If tokini miqdorini berib, fotokokning birlamchi o‘tkazuvchanligi degan nom olgan.
If = Iyo – IQ
Nurli oqim kam bo‘lganda, o‘tkzuvchanlikni birlamchi fototoki amalda inersiyaga ega emas va fotorezistorga tushayotgan nurli oqimni miqdoriga to‘g‘ri proporsional o‘zgaradi, nurli oqim miqdori oshgan sari o‘tkazuvchanlikni elektronlar soni ko‘payib boradi. Imolddani ichida harakatlanib, elektronlar atomlar bilan to‘qnashadi, ularni ionlashtiradi va zaryadlar-ning qo‘shimcha oqimini yaratadi bu esa o‘tkazuvchanlikni ikkilamchi fototoki degan nom olgan. Ionlashtirilgan atomlarn sonini ko‘paytirishi o‘tkazuvchanlik elektronlar harakatini to‘xtatadi. Buning natijasida fototokni o‘zgarishi yorug‘lik oqimini o‘zgarishiga nisbatan faqt bo‘yicha kechikadi, bu esa fotorezistorning ba’zi inersiyaligini bildiradi.
| 