Maydon tranzistor indutsiyalangan (inversali) kanal bilan
Yuqoridagidan u shunday farq qiladiki, zatvor ma’lum bir qutblikda kuchlanish berilgandagina kanal paydo bo‘ladi (20-rasm).
N
Z
S
20-rasm.
Zatvorda kuchlanish bo‘lmaganida kanal yo‘q, p-tipdagi istok va stok oralig‘ida faqat n-tipdagi kristall joylashgan va n-p-o‘tishlaridan birida teskari kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu holatda stok va istok oralig‘idagi qarshilik juda yuqori va tranzistor yopiq. Zatvorga musbat qutili kuchlanish berilganida, zatvorning maydoni ta’sirida o‘tkazuvchanlik elektronlari zatvor yo‘nalishi bo‘yicha stok va istok hududidan va n-hududidan o‘tishni boshlaydi. Zatvorda kuchlanish o‘zining yopuvchi (bo‘sag‘ali) miqdoriga (birlar voltiga) yetib borganida, yuzaning tepa qatlamida elektronlar konsentratsiyasi shunday ko‘payadiki, teshiklar konsentratsiyasidan oshib ketadi va bu qatlamda inversiya tipidagi elektr o‘tkazuvchanlik sodir bo‘ladi, ya’ni yupqa p-tipdagi kanal hosil bo‘ladi va tranzistor tok o‘tkaza boshlaydi. Zatvorda qancha kuchlanish ko‘p bo‘lsa, shuncha stokda tok katta bo‘ladi. Ko‘rinib turibdiki, bunday tranzistor faqat boyitish rejimida ishlay oladi. Agar asosi p-tipda bo‘lsa, unda n-tipdagi induksiyalangan kanalli tranzistorlar ko‘pincha qayta ulash qurilmalarda (ovoz texnikasida) uchratiladi.
Maydon tranzistorlarning ulanish sxemalari qo‘sh qutblarni ulanish sxemalariga o‘xshash. Ta’kidlash kerakki, maydon tranzistori, qo‘sh qutbliga qaraganda, ancha katta kuchaytirish koeffitsiyentini olishga imkon yaratadi.
Yuqori kirish (va kichik chiqish) qarshiliklarga ega bo‘lib, maydon tranzistorlari muntazam ravishda qo‘sh qutblarni siqib chiqaryapdi. Yana shuni esda tutish kerakki, maydon tranzistori statik elektrdan juda «qo‘rqishadi», shuning uchun ular bilan ishlaganda statik elektrdan himoyalash bo‘yicha juda qattiq talablar qo‘yiladi.
6. Fotoelektrik va elektrooptik signallarni o‘zgartirish asosidagi yarim o‘tkazuvchi elementlari
21-rasmda fotoelementning prinsipial sxemasi keltirilgan.
21-rasm. Fotoelementning prinsipial sxemasi.
Hozirgi zamon elektron texnikasida fotoelektrik va elektrooptik signallarni o‘zgartirish prinsiplariga asoslangan yarim o‘tkazuvchi asboblar keng qo‘llaniladi. Bu prinsiplardan birinchisi unda yorug‘lik energiyasini (yorug‘lik kvantlari) yutish natijasida moddalarning elektrofizik xususiyatlarini o‘zgarishiga olib kelishi. Bunda moddaning o‘tkazuvchanligi o‘zgaradi yoki elektr yurutuvchi kuch (EYUK) paydo bo‘ladi, bu esa foto sezgirlik element ulangan zanjirdagi tokning o‘zgarishiga olib keladi. Ikkinchi prinsip moddada nurlanish generatsiyasi bilan bog‘liq bo‘lib, unga berilgan kuchlanish va yorug‘ilk chiqaruvchi element orqali oqadigan tok bilan belgilangan. Ko‘rsatilgan prinsiplar optoelektronikani ilmiy asoslarini tashkil qiladi – bu yangi ilmiy-texnik yo‘nalish bo‘lib, bunda ma’lumotlarni uzatish, qayta ishlash va saqlash uchun ham elektrik, ham optik vositalar va usullar ishlatiladi.
Yarim o‘tkazgichlardagi barcha ko‘p turli optik va fotoelektrik hodisalarni quyidagi asosiylarga keltirsa bo‘ladi:
- yorug‘likni yutish va foto o‘tkazuvchanlik;
- n-p o‘tishdagi foto samara;
- elektrolyuminessensiya;
- stimullangan kogerent nurlanish.
Foto o‘tkazuvchanlik hodisasi deb elektromagnit nurlanish ta’sirida yarim o‘tkazuvchini elektr o‘tkazuvchanligini oshirish deyiladi.
Yarim o‘tkazuvchiga yorug‘lik berilganida valentli zonasidan o‘tkazuvchanlik zonasiga elektronlarni tashlash hisobiga unda elektron – teshikli juftlarni generatsiyasi bo‘lib o‘tadi. Buning natijasida yarim o‘tkazuvchini o‘tkazuvchanligi quyidagi miqdorga ko‘payadi:
∆δ = Ye (Me∆ni + MtDpi), (1)
bunda – Ye – elektron zaryadi; Me-elektronlar harakatchanligi; Mt-teshiklar harakatchanligi; ∆ni-generatsiyalangan elektronlar- ning konsentratsiyasi; ∆ri-generatsiyalangan teshiklarni konsentratsiyasi. Yarimo‘tkazuvchida yorug‘lik energiyani yutishini asosiy sababi bo‘lib elektronlarni valentli zonadan o‘tkazuvchanlik zonasiga o‘tkazishi bo‘lsa, ya’ni zonalararo o‘tish, unda fotonning yorug‘lik kvantini energiyasi quyidagi shartga qondirishili kerak:
hVkp ≥ ∆W, (2)
bunda h-plank doimiyligi; ∆W-yarimo‘tkazgichini taqiqlangan zonasini eni; Vkp-elektromagnit nurlashni kritik chastotali (foto o‘tkazuvchanlikni qizil chegarasi).
Vkp chastotali nurlanish foto o‘tkazuvchanlikni keltirib chiqaraolamaydi, chunki bunday nurlanishni hv<W kvant energiyasi elektronlarni valentli zonadan o‘tkazuvchanlik zonasiga o‘tkazish uchun yetarli emas. Agar hv>W bo‘lsa, unda ortiq bo‘lgan taqiqlangan zonaning eniga nisbatan kvantlar energiyasini qismi kinetik energiya ko‘rinishida elektronlarga uzatiladi.
Kritik chastota Vkr to‘lqinning chegaralangan uzunligi to‘g‘ri keladi:
tr = S / Mkr, (3)
bunda s-yorug‘lik tezligi (3-108м/s). chegaralangandan katta bo‘lgan to‘lqin uzunliklarida foto o‘tkazuvchanlik keskin pasayadi. Masalan, (binobarin) germaniy uchun cheklangan to‘lqin uzunligi taxminan 1.8 mkm tashkil etadi.
Biroq foto o‘tkazuvchanlikni pasayishi to‘lqin uzunligining kichik miqdorlarida ham kuzatiladi. Buni chastota ko‘paygan sari energiya yutilishini tez oshib borishi va yarim o‘tkazuvchiga tushayotgan elektromagnit energiyani chuqurlikka kirib borishini kamayishi bilan tushuntirsa bo‘ladi. Yutilish yupqa yuza qatlamida bo‘ladi va shu yerda zaryad tashuvchilarning asosiy soni hosil bo‘ladi. Faqat yuzasida ortiqcha tashuvchilarning katta soni paydo bo‘lishi yarim o‘tkazuvchini hamma hajmida o‘tkazuvchanlikka kam akslantiradi, chunki yuzali rekombinatsiyani tezligi hajmidan katta va ichiga kirib boradigan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilari rekombinatsiya tezligini yarimo‘tkazuvchi hajmida ko‘paytiradi.
Yarim o‘tkazuvchilarni foto o‘tkazuvchanligi infraqizil, ko‘rinadigan yoki taqiqlangan zona- ning eniga bog‘lik bo‘lib elektromagnit spektrning ultrabinafsha qismlarida uchrashi mumkin va u o‘z navbatida, yarimo‘tkazuvchini turiga, haroratiga, aralashmalar konsentratsiyasiga va elektr maydon kuchlanganligiga bog‘liq.
Yarim o‘tkazgichda bo‘sh zaryad ta- shuchilarning paydo bo‘lishiga olib keluvchi yuqorida ko‘rilgan yorug‘likni yutadigan me- xanizm foto faollik deyiladi. Modomiki bunda o‘tkazuvchanlik o‘zgarar ekan, demak, yarim o‘tkazuvchini ichki qarshiligi, ko‘rsatilgan hodisa fotorezistiv effekti asosiy qo‘llanishi yorug‘likka sezgirli yarim o‘tkazuvchi asboblarda – fotorezistorlarda o‘z ifodasini topadi, ular zamonaviy oatoelektronika va fotoelektron avtomatikada keng qo‘llaniladi.
|
