|
Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш босқичлари
|
| bet | 5/22 | | Sana | 20.12.2023 | | Hajmi | 0.55 Mb. | | #124948 |
Bog'liq Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш босқичл-fayllar.org 24, nisbiylik nazariyasi, olmosh 55, Kondiloma virusini davolashda kriyogen terapiya., 61a1f7e08f48b5.27930590, Elastiklik kuchlari, 2021 методикалык, Marketing 2015, Mexanika MQ fanidan Tajriba ishlari, 3- sinf nazorat ishlari o\'qituvchiga, Zoologiya 7 sinf mavzulashtirilgan, 600 machine learning project , waqit ham maydan, Biznesni tashkil etish ishchi dasturi, assaЯрим ўтказгичли ИМС, тузилмаси.
Ярим ўтказгичли IMS-bu elementlar yarimo'tkazgich substratining yer osti qatlamida ishlab chiqarilgan chip (shakl. 5). Ushbu IMS zamonaviy mikroelektronikaning asosini tashkil etadi.
Ярим ўтказгичли ИМС яратилишининг технологик жараёни.
Issiqlik oksidlanishi yarimo'tkazgich asboblarini ishlab chiqarishda ma'lum bo'lgan standart texnologik jarayonlardan farq qilmaydi. Silikon yarimo'tkazgich chiplari texnologiyasida oksidli qatlamlar keyingi texnologik jarayonlarda yarimo'tkazgich kristalining (elementlarning, chiplarning) alohida qismlarini izolyatsiya qilishga xizmat qiladi. Yarim Supero'tkazuvchilar integral mikrosxemalar ishlab chiqarishda eng ko'p tomonlama texnologik jarayon optik litografiya yoki fotolitografiya hisoblanadi. Fotolitografiya jarayonining mohiyati fotosensitiv qoplamalarda (fotorezistlar) yuz beradigan fotokimyoviy hodisalardan foydalanishga asoslangan.
Интеграл микросхемаларда легирлаш жараёни.
Легирлаш - яримўтказгич ҳажмига киритмаларни киритиш жараёни. ИМСлар тайёрлашда легирлаш схеманинг актив ва пассив элементларини ҳосил қилиш ҳамда зарур ўтказувчанликни таъминлаш учун керак. Ион легирлаш етарли энергиягача тезлатилган киритма ионларини ниқобдаги тирқишлар орқали кристалга киритиш билан амалга оширилади. Ион легирлаш универсаллиги ва осон амалга оширилиши билан характерланади. Ионлар токини ўзгартириб легирловчи киритмалар концентрациясини, энергиясини ўзгартириб эса – легирлаш чуқурлигини бошқариш мумкин.
Интеграл микросхемаларда эпитаксия ва термик оксидлаш жараёни.
Газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради. Термик оксидлаш – кремний сиртида оксид (SiO2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. У юқори (1000÷1200) 0С температураларда кечади.
|
| |
