Дарлингтон жуфтлиг, унинг схемасига изоҳ беринг.
Ushbu diagrammada R1 va R2 rezistorlari birinchi tranzistor asosida ofset hosil qiluvchi kuchlanish bo'linmasini tashkil qiladi. Murakkab tranzistor emitteriga ulangan rN qarshiligi chiqish davri hosil qiladi. Bunday qurilma keng .amalda, ayniqsa, yuqori oqim daromad talab qiladigan hollarda qo'llaniladi. Diagramma kirish signaliga yuqori sezuvchanlikka ega va yuqori chiqish manifoldu oqimi bilan ajralib turadi, bu esa ushbu oqimni nazorat qiluvchi (ayniqsa, past kuchlanishli) sifatida ishlatishga imkon beradi. Darlington sxemasidan foydalanish sxemalardagi tarkibiy qismlarning sonini kamaytirishga yordam beradi.
Таркибий транзисторда натижавий ток қийматини аниқланг.
Таркибий транзисторда натижавий ток узатиш коэффициенти алоҳида транзисторлар ток узатиш коэффициентларининг кўпайтмасига тенг.
Агар β1 ва β2 лар бир хил қийматга эга бўлса, масалан 100 га, ҳисоблаб топилган коэффициент
β= β1 ∙β2 = 10000 бўлади.
Лекин, бир хил VT1 ва VT2 ларда β1 ва β2 коэффициентлар IК1 ва IК2 коллектор токлари бир хил бўлгандагина бир–бирига тенг бўлади.
IЭ1>>IБ1=IЭ2 бўлгани учун IК2 >> IК1.
Шунинг учун β1<< β2 ва β= β1 ∙β2 амалда бир неча мингдан ошмайди.
Қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар.
Таркибий транзисторлар турли ўтказувчанликка эга бўлган транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. Бундай тузилмалар қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар деб аталади. Комплементар БТлар асосидаги Шиклаи таркибий транзистори тузилиши қуйидаги расмда келтирилган.
| 