|
Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш босқичлари
|
| bet | 14/21 | | Sana | 22.05.2023 | | Hajmi | 0.51 Mb. | | #63034 |
Bog'liq Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш бос ичл 5-amaliy ish\', 3-Amaliy topshiriqlari (1)ДКнинг уланиш турлари.
Амалда ДКнинг тўрт хил уланишидан фойдаланилади:
- симмтерик кириш ва чиқиш;
- симметрик кириш ва носимметрик чиқиш;
- носимметрик кириш ва симметрик чиқиш;
- носимметрик кириш ва чиқиш.
Носимметрик кириш ва чиқишли ДК схемасига изоҳ беринг.
Бунда фойдаланилмайдиган кириш кучланиши ўзгармас сатҳли қилиб олинади, масалан, умумий шинага уланади.
Агар кириш сигнали UКИР1га берилса, чиқишда инверсланмаган сигнал олинади.
Демак, UКИР1 инверсламайдиган кириш, UКИР2 эса – инверлайдиган кириш бўлади.
Динамик юкламали ДК схемасига изоҳ беринг.
ДКларда кучайтириш коэффициентини ошириш учун, RК резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади. Динамик юклама биполяр ёки майдоний транзисторлар асосида ҳосил қилинади. Юклама сифатида иккинчи БТГ ишлатилган ДК схемаси кейинги слайдда келтирилган. Иккинчи БТГ p – n – p турли VT3 ва VT4 транзисторлар асосида яратилган. Биринчи БТГ илгаригидек ДК сокинлик режимини белгилайди ва эмиттер қаршилиги сифатида ишлатилади.
Таркибий транзисторлар асосидаги ДК схемаси.
β нинг қиймати транзистор сокинлик токи IБ0 га боғлиқ бўлганлиги сабабли кириш қаршилигини ошириш учун ДКни кичик сигнал режимида ишлатиш керак.
Каскад кучайтириш коэффициенти ва ДК кириш қаршилигини сезиларли ошириш мақсадида таркибий транзисторлардан фойдаланилади. Кўпроқ Дарлингтон схемаси ишлатилади.
Таркибий транзисторлар қўлланилганда ДК кириш қаршилиги β марта ортади.
Дифференциал кучайтиргичнинг асосий параметрлари.
Asosiy parametrlarni ko'rib chiqing .
1) kuchlanish daromad
a) asimmetrik chiqishlarda:
b) nosimmetrik chiqish orqali:
2) kirish qarshiligi.
emitentning narxini oshirish uchun qarshilikni o'z ichiga oladi.
3) chiqish qarshiligi:
|
| |
