|
Yarimo‘tkazgichlar va ularda geteroo‘tish, gomoo‘tish
|
| bet | 57/84 | | Sana | 22.01.2024 | | Hajmi | 299,93 Kb. | | #143103 |
Bog'liq ELEKTRONIKA yakuniyYarimo‘tkazgichlar va ularda geteroo‘tish, gomoo‘tish.
Yarimo'tkazgichlar (half-wave rectifiers) diodlardan tashkil topgan elektr qurilmalaridir. Bu turiy qurilmalar AC (sinusoidal) kirish almashtiruvchilarini unidirectional (bittadan bir joyga) o'zgartirish uchun ishlatiladi. Yarimo'tkazgichlarda geteroo'tish (heterojunction) va gomoo'tish (homojunction) amaliyot qilish va elektronlarning haydashishi o'rtasidagi qurilmalar mavzulariga o'xshash holatlarni ifodalaydi.
Geteroo'tish (Heterojunction):
Geteroo'tish, iki turli n-turiy va p-turiy materialning bir-biriga bog'lanishi orqali hosil bo'lan o'tishdir.
Yarimo'tkazgichlarda geteroo'tish, diodning p-n o'tishi (p-n junction) sifatida qabul qilinadi. Bu yerda n-turidagi material va p-turidagi material turlicha bo'lib, ularning fermi sathida joylashishgan energetik zonalar o'zgaruvchan bo'lishi mumkin.
Gomoo'tish (Homojunction):
Gomoo'tish esa, bir va uning o'n lablariga gomishgan n-turiy va p-turiy materialdan tashkil topgan o'tishdir.
Yarimo'tkazgichlarda gomoo'tish, diodning p-n o'tishi (p-n junction) sifatida ifodalangan. Bu yerda n-turidagi material va p-turidagi material bir xil turiy bo'lib, ularning fermi sathida joylashishgan energetik zonalar o'zgaruvchan bo'lishi mumkin.
Geteroo'tish va gomoo'tish o'tishlarining ta'rifi, ularning energiya zonalaridagi o'zgarishlar, elektron haydashishi va diodning xususiyatlari uchun kritikdir. Geteroo'tish va gomoo'tishlarda yoritilgan o'tish (barrier) yuqoriga ko'tarilgan energiya hisoblanadi. Geteroo'tishda, bir turli materialdan boshqa turli materialga o'tib ketish uchun elektronlarning energiyasi o'zgaradi, shuning uchun o'tishni hosil qilish uchun yuqori energiya zarur bo'ladi. Gomoo'tishda esa, bir xil turiy materiallardan tashkil topgani uchun o'tish energiyasi kamroqdir.
Yarimo'tkazgichlarda geteroo'tish va gomoo'tishni tanlash bu qurilmaning ishlab chiqarilgan maqsadiga, yoritilgan o'tishning xususiyatlariga va elektronlar haydashishi jarayoniga qarab bajariladi.
|
| |
