|
Elektronika va sxemalar 3-laboratoriya ishi
|
| bet | 1/2 | | Sana | 22.07.2024 | | Hajmi | 133,38 Kb. | | #268164 |
Bog'liq 3-laboratoriya ishi. Elektronika va sxemalari 12
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Elektronika va sxemalar
3-laboratoriya ishi
Bajardi: Omonov Soxib
Guruh raqami : 030-22
Toshkent-2024
Maydoniy tranzistorlar va ularning turlari. Maydoniy tranzistorning ulanish sxemalari. Maydoniy tranzistorning statik xarakteristikalari. UI ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistorningning statik xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Umumiy istok ulanish sxemasida maydoniy tranzistorlarning NI Multisim dasturiy muhiti yordamida asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.
12-variant .
Ishni bajarish uchun topshiriq.
Variant bo‘yicha 2- jadvalda berilgan maydoniy tranzistor modeli, R qarshilik qiymatidan foydalanib, 1- rasmda keltirilgan prinsipial sxema NI Multisim dasturiy muhiti yordamida yig‘ilsin;
Maydoniy tranzistorning IS = f (USI) stok xarakteristikasi va IS=f (UZI) stok-zatvor xarakteristikasi o‘lchansin (natijalar 1-jadvalga kiritiladi);
Olingan o‘lchash natijalari asosida IS = f (USI) va IS=f (UZI) bog‘liklik grafiklari qurilsin, asosiy parametrlari hisoblansin, xulosalar keltirilsin.
1- rasm. Umumiy istok ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistorning uzatish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash sxemasi
Tajriba o‘tkazish orqali olingan natijalar
UI ulanish sxemasidagi MT uzatish va chiqish xarakteristikalar oilasi
1- jadval
|
| |
