Elektronika va sxemalar2 fani bo’yicha

Download 446.36 Kb.
Sana	21.08.2023
Hajmi	446.36 Kb.
	#79148

Bog'liq
Mustaqil ish 1
birja-leksiua, To\'rayev Xudoshukur, Yuqori molekulyar birikmalar.Babayev.B. (1), Crossword-Countries-nationalities, Mustaqil ishni bajarish II 2 semestr, 8-asinf ochiq dars 15.02.2020 (Umirzoqov Tohir) (4), Firmenniy Blank2022, Mohir qo\'llar to\'garagi ishlanmasi, 2-Ma’ruza Mavzu Panel va menyu yaratuvchi komponentlar Panel, , EKONOMETRIKA ASOSLARI, portal.guldu.uz-IShChI O’QUV DASTURI, Personal motivatsiyasi, Yagona va betakror, ijtimoiy ustanovkalarni vazifalari

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
ELEKTRONIKA VA SXEMALAR2 fani bo’yicha
MUSTAQIL ISH
Mavzu: Komplementar tranzistorlardan yasalgan mantiqiy elementlar
Bajardi: Qo’ziyev Y
Tekshirdi: Arziyev D
Reja:

Tranzistorning tuzilishi va ishlash prinsipi
Mantiqiy elementlar

Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.

Har xil tranzistorlar
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va ntipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.

Tranzistorning ishlash printsipini namoyish etuvchi sxema
Biz vizual namoyish etadigan sxemani yig’amiz transtistor ishi
Va uning kiritilishi printsipi. Bizda NPN tuzilmasi bilan tranzistor kerak bo’ladi, masalan, 2N3094, o’zgaruvchan yoki kesilgan va cho’ntagida chiroq uchun doimiy qarshilikka va yoritgichli lampochka.
Elektron nominatsiyalar diagrammada ko’rsatilgan.

Transtistor kuchaytirish rejimida yoqilganda, Emitter o’tish ochiladi va kollektor o’tish yopiq. Bu quvvat manbalarini ulash orqali olinadi.

Transistor-tranzistor mantigʻi (TTL) — bu bipolyar ulanish tranzistorlaridan qurilgan mantiqiy oila. Uning nomi oldingi rezistor-tranzistor mantig’i (RTL) va diod-tranzistor mantigʻidan (DTL) farqli oʻlaroq, tranzistorlar mantiqiy funktsiyani (birinchi „tranzistor“) va kuchaytiruvchi funktsiyani (ikkinchi „tranzistor“) bajarishini bildiradi.
TTL integral mikrosxemalari (IC) kompyuterlar, sanoat boshqaruvlari, sinov uskunalari va asboblari, maishiy elektronika va sintezatorlar kabi ilovalarda keng qoʻllanilgan[1].
1963-yilda Sylvania Electric Products tomonidan integral mikrosxemalar shaklida kiritilgandan soʻng, TTL integral mikrosxemalar bir nechta yarim oʻtkazgich kompaniyalari tomonidan ishlab chiqarilgan. Texas Instruments tomonidan ishlab chiqarilgan 7400 seriyasi ayniqsa mashxurlikka erishdi. TTL ishlab chiqaruvchilari mantiqiy eshiklar, flip-floplar, hisoblagichlar va boshqa sxemalarning keng assortimentini taklif qildilar. Asl TTL sxemasi dizaynining oʻzgarishlari dizaynni optimallashtirishga imkon berish uchun yuqori tezlik yoki kamroq quvvat sarfini taklif qiladi. TTL qurilmalari dastlab keramika va plastmassa ikki qatorli paket (lar)da va tekis oʻram shaklida ishlab chiqarilgan. Baʼzi TTL chiplari endi sirtga oʻrnatiladigan texnologiya paketlarida ham ishlab chiqariladi.
TTL kompyuterlar va boshqa raqamli elektronikaning asosiga aylandi. Juda katta miqyosli integratsiya (VLSI) CMOS integral mikroprotsessorlari koʻp chipli protsessorlarni yaroqsiz holga keltirganidan keyin ham TTL qurilmalari zichroq integratsiyalangan komponentlar oʻrtasida elim mantiqiy interfeysi sifatida keng qoʻllanilishini topdi.
Mantiqiy elementlar ularda ishlatiladigan elektron

elementlarning turiga koʻra ham boʻlinadi. Hozirgi vaqtda quyidagi mantiqiy elementlar eng koʻp qoʻllaniladi:
-RTL (rezistor-tranzistor mantigʻi)
-DTL (diod-tranzistor mantiqi)
-TTL (tranzistor-tranzistor mantiqi)

Odatda, TTL mantiqiy elementlarini kiritish bosqichi eng oddiy komparatorlar, turli usullar bilan amalga oshirilishi mumkin (koʻp emitterli tranzistorda yoki diodli birikmada). TTL mantiqiy elementlarida kiritish bosqichi, solishtirgichlar funksiyalaridan tashqari, mantiqiy funksiyalarni ham bajaradi. Buning ortidan push-pull (ikki kalitli) chiqishi bilan chiqish kuchaytirgichi keladi.
CMOS mantiqiy elementlarida kiritish bosqichlari ham eng oddiy komparatorlar hisoblanadi. Kuchaytirgichlar CMOS tranzistorlaridir. Mantiqiy funksiyalar parallel va ketma-ket ulangan tugmalar birikmasi orqali amalga oshiriladi, ular ham chiqish tugmalari hisoblanadi.

Xulosa

Tranzistorlarda quvvat o ‘zgartirishning ba’zi tomonlari gidrodinamik energiyani o‘zgartirish jarayoniga o’xshab ketadi. Emitter va kollektor sohalami do‘nglik bilan ajratilgan ikkita suv havzasiga o‘xshatish mumkin. Tranzistor tuzilmaning muvozanat holatiga, gidrogeologlar tili bilan aytganda, yuqori va pastki tub sathlari bir xil va do’nglik sathidan pastda yotgan holat to‘g‘ri keladi. EO‘ dagi to‘g‘ri va KO‘ dagi teskari siljishga yuqori tub sathi do‘nglik sathiga nisbatan yuqori ko’tarilgan, tubning pastki sathi esa, aksincha, sezilarli pasaytirilgan holat to‘g‘ri keladi.

Download 446.36 Kb.