Elektronika va Sxematexnika fanning maqsad va vazifalari

Download 1,15 Mb.
bet	4/7
Sana	18.12.2023
Hajmi	1,15 Mb.
	#122500

1 2 3 4 5 6 7

Bog'liq
Multipleksor asosidagi universal mantiqiy modullar, sozlash usullari, piramidal strukturalari

Emitterli takrorlagich

Maydonli tranzistorlarda yig‘ilgan kuchaytirgich kaskadlari ham bipolyar (ikki qutbli) tranzistorlardan yig‘ilgan kuchaytirgichlarga o‘xshab ishlaydi. Bunda maydonli tranzistorli kuchaytirgichning boshqaruv signali bo‘lib U_Z qulf (zatvor)ning kuchlanishi xizmat qiladi va kuchaytirgichning kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti umumiy manba (istok), R_d >> R_C (R_d  tranzistorning differentsial (alohida, farqli) chiqish qarshiligi):

^Ku ^^Uchiq ^/^UЗ
 SR_C
^/(1^SRИ ⁾^,^(4.16)

Bu yerda, C=I_S/U_Z – tranzistorning tarnov – qulf (stok-zatvor) xarakteristikasining qiyaligi; R_S va R_I - kuchaytirgichning tarnov (stok) va manba (istok) zanjiriga ulangan rezistorlar qarshiligi.
Maydonli tranzistorlardagi kuchaytirgichlarning yuqori kirish qarshiliklari tufayli, C₁ past sig‘imli ajratuvchi kondensatordan foydalanish mumkin.

Emitterli takrorlagich

Bipolyar tranzistorning umumiy kollektori asosida yig‘ilgan pog‘onada, emitterli takrorlagichda U_chiq chiqish kuchlanishi(C₂ ajratuvchi kondensator orqali) emitter zanjiriga ulangan R_E rezistordan olinadi (4.6a-rasm).

U_chiq kirish signali yo‘qligida zanjir bazasi orqali sokin toki (tok pokoya) oqib o‘tadi:

^^(R_BE R_E)R_B₂^

^RB 2 ^

^IBп
 U_п/_^R_B₁ _R
^

R  R R

 R  R ^^.
(4.17)

_ BE
E B 2  BE
E B2 _

4.6-rasm Bipolyar tranzistorning umumiy kollektori asosida yig‘ilgan
emitterli takrorlagich

R_B₁ va R_B₂ rezistorlarning qiymati shunday tanlanadiki, sokin holatdagi ishchi nuqtasi VT tranzistorning kirish xarakteristikasining ishchi qismining o‘rtasida joylashsin.Bunda o‘zgaruvchan U_chiq kirish signali berilganda emitter tokining o‘zgaruvchan tuzuvchisi paydo bo‘ladi va R_E
yuklama rezistorida U_чик R_Эi_Э. chiqish kuchlanishini hosil qiladi.
O‘zgaruvchan tok bo‘yicha emitterli takrorlagichning asosiy parametrlari, o‘rnini egallash (sxema zamcheniya) sxemasini tuzib va R_B₁ va R_B₂ va baza zanjiridagi qarshiligidagi yuklama elementlarini hisobga olib hisoblash mumkin:
^RБ ^^RБ1^RБ 2 ^/(^RБ1 ^^RБ 2 ⁾^.^(4.18)
^Rн^^RЭva bazadagi tok i_Б (U_кирU_чик) / h₁₁, bo‘lganda chiqish
kuchlanishi va kuchlanish bo‘yicha kuchaytirgich koeffitsienti quyidagiga teng:

^uchiq

1  h
^ukir
(1  h₂₂R_Э)
; (4.19)

¹¹ (1  h )R
21 Э
Keltirilgan ifodalardan ko‘rinib turibdiki, K_u koeffitsient 1 (bir)dan kichik, shuning uchun ham kuchaytirgich nomi – emitterli takrorlagich deb ataladi.

u
Koeffitsient h₂₂=10^-5…10^-6 Om, va R_E  10²…10⁴ Om, ekanligini hisobga olib K_u formulani soddalashtirish mumkin:

K_u 
(1 
h₂₁)R_Э

K  K
^Rkir

^h11
 (1 
h₂₁)R_Э
. Bunda ⁱ
_R_Э. (4.20)

Takrorlagichning kirish qarshiligi R_kir U_kir/ i_kir h₁₁/(1 K_u) , h₁₁
tranzistorning kirish qarshilidan ancha katta bo‘lib, bir necha o‘n va yuzlab kOm qiymatga ega bo‘ladi. R_B₁ va R_B₂ qarshiliklarning kattaligini hisobga olgan holda u quyidagi ko‘rinishni oladi.

^Rkir
^^Rkir ^RБ ^/(^Rkir

R_Б).

(4.21)

Chiqish qarshiligi
R_chiq h₁₁/(1 h₂₁)
bir necha yoki o‘nlab Om qiymatga

ega bo‘ladi. Shunday qilib, emitterli takrorlagich yuqori kirish va kichik chiqish qarshiligiga ega va bu esa uni yuqori omlik signal manbai va kuchaytirgich qurilmasining past omli yuklamasi bilan muvofiqlashtirishni osonlashtiradi.
Emitterli (manbali) takrorlagichlar kuchlanishni shakl, amplituda va fazaviy o‘zgarishsiz uzatishda qo‘llaniladi va bunda signal toki va quvvati sezilarli darajada kuchaytiriladi: emitterli takrorlagich kirish signali tokini h₂₁_E+1 marta va quvvatnini h₂₁_E marta oshiradi.

Download 1,15 Mb.

1 2 3 4 5 6 7

Download 1,15 Mb.