Fermi sathi. Energetik zonalar. Fermi energiyasi

Download 28.52 Kb.
Sana	04.03.2024
Hajmi	28.52 Kb.
	#166674

Bog'liq
Fermi sathi
Boshlang\'ich ta\'lim yo\'nalishi adabiyotlar ro\'yxati - копия, Vasilev 1990 576, Doc1, ijtimoiy pedagogika asoslari(1), 15 Mavzu Hozirgi zamon va din Reja, 3-Mavzu Global korruptsiya ijtimoiy madaniy inqiroz oqibati (1), 10- mavzu. Korrupsiyaga qarshi kurash mexanizmlari, Feodal. Jamiyat va uning yemirilishi davridagi iqtisodiy talimotlar, uy xo\'jaligi, MBBT, o‘zbekiston respublikasi prezidentining 07 02 2017 y pf-4947-son o‘zbekiston respublikasini yanada rivojlantirish bo‘yicha harakatlar strategiya, 29. Русский народный театр , BIOS nima, Intizomiy jazolangan xodimlar, 6-очик дарс Турдиев лотинда

Bu sahifa navigatsiya:

• Moddalarni o‘tkazgichlar (metallar), yarimo‘tkazgichlar va dielektriklarga ajratish prinsiplari. Yarimotkazgichlar
• Yarimoʻtkazgichlar
• Yarimo‘tkazgichlarda xususiy va aralashmali o‘tkazuvchanlik.
• 1 Birinchi avlod kompyuterlari va ulardagi qurilmalar haqida tarif bering.

Fermi sathi. Energetik zonalar. Fermi energiyasi, Fermi sathi — fermionlar (Fermi — Dirak statistikasiga boʻysunuvchi zarralar) tizimidagi egallangan holatlarning mutlaq nol tralardan eng yuqori energiyasi. Fermi energiyasi Pauli prinsipi (bir holatda bittadan ortiq fermion boʻla olmasligi)ning natijasidir. Noldan farkli, lekin Fermi energiyasidan ancha past trada fermionlar tizimining holati asosiy holatdan shu bilan farqlanadiki, bunda energiyasi Fermi energiyasidan katta boʻlgan holatlarda ham koʻp boʻlmagan sondagi zarralar boʻladi, energiyasi Fermi energiyasidan kichik boʻlgan holatlarda xuddi shu sondagi boʻsh oʻrin (kovak) lar boʻladi. Fermi energiyasi tushunchasidan qattiq jism fizikasida, yadro fizikasida, astrofizika va h.k.larda foydalaniladi Moddalarni o‘tkazgichlar (metallar), yarimo‘tkazgichlar va dielektriklarga ajratish prinsiplari. Yarimo'tkazgichlar oʻtkazuvchanligi jihatidan metall va dielektriklar orasidagi moddalar boʻlib, oʻz fizik xususiyatlarini turli tashqi taʼsirlar (masalan yoritish, isitish va hokazo) natijasida keng intervalda oʻzgartira olish xususiyatiga ega. Yarimoʻtkazgichlar elektronika va mikroelektronikada juda keng qoʻllanilib, zamonaviy elektr jihozlarning deyarli hammasi - kompyuterlardan tortib to uyali aloqa telefonlarigacha barchasi yarimoʻtkazgichli texnologiyaga asoslangan. Eng keng qoʻllaniladigan yarimoʻtkazgich modda kremniy boʻlib, boshqa moddalar ham keng qoʻllaniladi. Yarimoʻtkazgichlar — elektr tokini yaxshi oʻtkazuvchi moddalar (oʻtkazgichlar, asosan, metallar) va elektr tokini amalda oʻtkazmaydigan moddalar (dielektriklar) orasidagi oraliq vaziyatni egallaydigan moddalar. Mendeleyev davriy sistemasida II, III, IV, V va VI guruhlarda joylashgan koʻpchilik elementlar. ularning bir qator birikmalari yarimo'tkazgichlar jumlasiga kiradi. Ya.da ham metallardagi kabi elektr oʻtkazuvchanlik elektronlarning harakati tufayli yuzaga keladi 19 Yarimo‘tkazgichlarda xususiy va aralashmali o‘tkazuvchanlik. Yarim o’tkazgichlar xususiy va aralashmali yarim o’tkazgichlarga bo’linadi. T=0 K da xususiy yarim o’tkazgichlarning valent zonasi elektronlar bilan butunlay to’lgan bo’ladi, bu holda yarim o’tkazgich sof dielektrik bo’ladi. Agar temperatura T¹0 K bo’lsa, valent zonaning yuqori sat’lardagi bir qism elektronlar o’tkazuvchanlik zonasining pastki sat’lariga o’tadi. Bu holda elektr maydoni taosirida o’tkazuvchanlik zonasidagi elektronlarning xolati o’zgaradi. Bundan tashqari valent zonada hosil bo’lgan bo’sh joylar xisobiga ham elektronlar o’z tezligini o’zgartiradi. Natijada yarim o’tkazgichning elektr o’tkazuvchanligi noldan farqli bo’ladi, yaoni sof yarim o’tkazgichda erkin elektron va teshik vujudga keladi.Elektr maydoni taosirida butun kristall bo’ylab elektronlar maydonga teskari yo’nalishida, teshiklar esa maydon yo’nalishda harakatga keladi. Bunday elektr o’tkazuvchanlik faqat sof yarim o’tkazgiyalar uchun xos bo’lib, uni xususiy elektr o’tkazuvchanlik deyiladi. 1 Birinchi avlod kompyuterlari va ulardagi qurilmalar haqida tarif bering. elektron lampalar asosida qurilgan kompyuterlar (1945-1955 yillar) – Fon Neyman tamoili asosida qurilgan kompyuterlar. birinchi avlod kompyuterlariga mansub bo‘lgan - IAS (Immediate Address Storage) «to‘g‘ridan-to‘g‘ri adreslanuvchi xotira» degan nomga ega kompyuter edi. Fon Neyman kompyuteri beshta asosiy qismlardan iborat edi: xotira, arifmetik-mantiqiy qurilma, boshqarish qurilmasi va ma’lumotlarni kiritish-chiqarish qurilmalari. Ushbu kompyuterning xotirasi, har biri 40 bit uzunlikdagi 4096-ta so‘zlardan iborat edi. Bu 4096 x 5 bayt (40 bit = 5 x 8 bit) = 20480 bayt = 20 Kbayt xajmga ega tezkor xotira demakdir. 40 bitli har bir so‘z 20 bitli ikkita buyruqdan yoki 40 bit uzunlikdagi ishorali butun sondan iborat bo‘lishi mumkin edi. 20 bit uzunlikdagi har bir buyruqning 8 biti buyruqning xilini – ya’ni qo‘shish (ADD), ayrish (SUB), ko‘paytirish (MUL), ko‘chirib yozish (MOV) kabi buyruqlardan birini ko‘rsatsa, buyruqning qolgan 12 biti esa xotiradagi 4096 so‘zdan birini adreslash uchun xizmat qilar edi. Arifmetik-mantiqiy qurilma tarkibida 40 bit uzunlikka ega – akkumulyator deb nomlangan maxsus ichki registr bor edi. Ushbu kompyuterning buyruqlari, hozirgi kompyuterlarning buyruqlariga o‘xshab, tezkor xotiradan olingan ma’lumotlarni akkumulyatorga yozish, unda kerakli amallarni bajarish, so‘ngra esa natijalarni tezkor xotiraga qaytib yozish amallarini bajarar edilar. Bu kompyuter suriluvchi vergulli sonlar ustida amallar bajara olmas edi Download 28.52 Kb.

Download 28.52 Kb.