Geterotuzilmalar

2. Optik aloqa tizimlari ……... ……….. optik modullarga ega

4…….. uzatuvchi optik modulning bosh elementi

5……… elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi

6……. qabul qiluvchi optik modulning bosh elementi

7.Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar texnologiyasining takomillashuvi bilan chambarchars bog‘liq bo‘lib, hozirgi kungacha ……. bosqichni bosib o‘tdi.

8……. bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g‘altaklari, magnitlar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi.

9…………….. bosqich Li de Forest tomonidan 1906 yilda triod lampasining ixtiro qilinishidan boshlandi.

10…………… bosqich Dj. Bardin, V. Bratteyn va V. Shoklilar tomonidan 1948 yilda elektronikaning asosiy aktiv elementi bo‘lgan bipolyar tranzistorning ixtiro etilishi bilan boshlandi.

1. 
   ………. bosqich integral mikrosxemalar asosida elektron qurilma hamda tizimlar
   

1. 
   to‘rtinchi
   

2. 
   ...........– fizik, konstruktiv – texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar – integral mikrosxemalar va ularning qo’llanish prinsiplarini ishlab chiqish yo’lida izlanishlar olib borayotgan elektronikaning bir yo’nalishidir
   

1. 
   mikroelektronika
   

3. 
   1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji ………. qonuniga muvofiq bormoq-da, ya’ni har ikki yilda zamonaviy integral mikrosxemalardagi elementlar soni ikki marta ortmoqd****
   

1. 
   G. Mur
   

4. 
   …………. o‘lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi.
   

1. 
   nanoelektronika
   

5. 
   integral mikrosxemalarning, shu jumladan mikroprosessorlar va xotira mikrosxemalarining asosiy aktiv elementi bo’lib kremniyli ………– tranzistorlar xizmat qiladi.
   

1. 
   MDYA
   

6. 
   integral mikrosxemalarda elementlar bir – biri bilan ……… yo’li bilan ulanadi
   

1. 
   metallash
   

7. 
   Integral mikrosxema ……… deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan integral mikrosxemaning bo’lagiga aytiladi.
   

1. 
   Komponenti
   

8. 
   Elementlari yarimo’tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikro-sxemalar …….. integral mikrosxema deb ataladi.
   

1. 
   yarimo’tkazgich
   

9. 
   Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko’rinishida hosil qilingan mikrosxemalar ……… integral mikrosxema deb ataladi.
   

1. 
   Pardali
   

10. 
    Yupqa pardali integral mikrosxemalar qalinligi
    

1. 
   1-2 mkm
   

1. 
   ……. optik signalni elektr signalga aylantirish uchun xizmat qiladi
   

1. 
   fotodiod
   

2. 
   …………. optik diapazondagi elektromagnit tebranishlarni kuchaytirish va generasiyalash uchun xizmat qiluvchi kvant asbob.
   

1. 
   Lazer
   

3. 
   Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda ………….. rivojlanmoqd****
   

1. 
   funksional elektronika
   

4. 
   …………. asboblarda ferromagnit materiallar ishlatiladi
   

1. 
   magnitoelektron
   

5. 
   …………. deb, konstruksiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradio elementlar funksiyasini bajaruvchi integral mikrosxemaning qismiga aytiladi.
   

1. 
   Element
   

6. 
   integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =3 bo`lsa –
   

1. 
   kata
   

7. 
   integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =4÷5 bo`lsa –
   

1. 
   o’ta kata
   

8. 
   integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K < 1 bo`lsa –
   

1. 
   oddiy
   

9. 
   integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 1 < K ≤ 2 bo`lsa –
   

1. 
   o’rtacha
   

10. 
    integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 2 < K ≤ 4 bo`lsa –
    

1. 
   katta
   

1. 
   qalin pardali integral mikrosxemalar qalinligi
   

1. 
   10 mkmdan yuqori
   

2. 
   ……. integral mikrosxema deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi.
   

1. 
   Gibrid
   

3. 
   Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo’tkazgich integral mikrosxemalar ………. integral mikrosxemalarga ajratiladi.
   

1. 
   BT va MDYA
   

4. 
   integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =1 bo`lsa –
   

1. 
   oddiy
   

5. 
   integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =2 bo`lsa –
   

1. 
   o’rtacha
   

6. 
   ……… integral mikrosxemalarda signal uzluksiz funksiya sifatida o’zgaradi.
   

1. 
   analog
   

7. 
   ……… integral mikrosxemalar diskret ko’rinishda berilgan signallarni o’zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi.
   

1. 
   raqamli
   

8. 
   ………. usulida tarkibiga donor yoki aktseptor kiritmalar qo’shilgan o’ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi.
   

1. 
   Choxralskiy
   

9. 
   …….. usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo’shimcha tozalanadi
   

1. 
   zonali eritish
   

10. 
    ……… jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
    

1. 
   epitaksiya
   

1. 
   integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K ≥ 4 bo`lsa qanday mikrosxema hisoblanadi.
   

1. 
   o’ta katta
   

2. 
   integral mikrosxema elementlar soni 10 tagacha bo`lsa –
   

1. 
   oddiy
   

3. 
   integral mikrosxema elementlar soni 11÷100 bo`lsa –
   

1. 
   o’rtacha
   

4. 
   integral mikrosxema elementlar soni 101÷10 000 tagacha bo`lsa –
   

1. 
   katta
   

5. 
   integral mikrosxema elementlar soni > 10 000 ko`p bo`lsa –
   

1. 
   o’ta katta
   

6. 
   Yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi.
   

1. 
   fotolitografiya
   

7. 
   …… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo’llaniladi.
   

1. 
   pardalar
   

8. 
   ……. texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil qilinadi.
   

1. 
   planar
   

9. 
   ………. texnologiyasida elementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
   

1. 
   planar – epitaksial
   

10. 
    …….. tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
    

1. 
   integral rezistorlar
   

11. 
    integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K ≥ 4 bo`lsa qanday mikrosxema hisoblanadi.
    

2. 
   o’ta katta
   

12. 
    integral mikrosxema elementlar soni 10 tagacha bo`lsa –
    

2. 
   oddiy
   

13. 
    integral mikrosxema elementlar soni 11÷100 bo`lsa –
    

2. 
   o’rtacha
   

14. 
    integral mikrosxema elementlar soni 101÷10 000 tagacha bo`lsa –
    

2. 
   katta
   

15. 
    integral mikrosxema elementlar soni > 10 000 ko`p bo`lsa –
    

2. 
   o’ta katta
   

16. 
    Yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi.
    

2. 
   fotolitografiya
   

17. 
    …… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo’llaniladi.
    

2. 
   pardalar
   
3. 
   fotolitografiya
   
4. 
   epitaksiya
   
5. 
   termik oksidlash
   

18. 
    ……. texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil qilinadi.
    

2. 
   planar
   
3. 
   planar – epitaksial
   
4. 
   integral
   
5. 
   integral
   

19. 
    ………. texnologiyasida elementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
    

2. 
   planar – epitaksial
   

20. 
    …….. tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
    

2. 
   integral rezistorlar
   

1. 
   Yarimo’tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni ………… deb ataladi.
   

1. 
   legirlash
   

2. 
   ………… butun kristall yuzasi bo’ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi
   

1. 
   diffuziya yordamida legirlash
   

3. 
   ………….. yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi.
   

1. 
   ion legirlash
   

4. 
   Yarimo’tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga …………. deyiladi.
   

1. 
   Yemirish
   

5. 
   komplementar MDYA –invertorlarda ….. qo`laniladi
   

1. 
   n-MDYA va p-MDYA
   

6. 
   komplementar BT – invertorlarda ….. qo`laniladi
   

1. 
   n-p-n va p-n-p
   

7. 
   Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «1» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
   

1. 
   to`yinish
   
2. 
   

8. 
   Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «0» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
   

1. 
   Berk
   
2. 
   

9. 
   Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma ………… deb ataladi.
   

1. 
   barqaror tok generatori
   

10. 
    ……. hosil qilish uchun ixtiyoriy p–n o’tish: kollektor – asos, baza – kollektor, emitter – baza, yashirin n+ - qatlam – izolyatsiyalovchi p – soha ishlatilishi mumkin.
    

1. 
   integral kondenstorlar
   

1. 
   …………. integral tranzistor asosida hosil qilinadi
   

1. 
   integral diodlar
   

2. 
   Tranzistor – tranzistorli mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
   

1. 
   ko’p emitterli
   

3. 
   Integral –injektsion mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
   

1. 
   ko’p kollektorli tranzistorlar
   

4. 
   ………..– tranzistorlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda
   

1. 
   MDYA
   

5. 
   ………. sxemasida: 3 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
   

1. 
   Uilson tok ko’zgusi
   

6. 
   ………. sxemasida: 2 ta transistor, 3 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
   

1. 
   aktiv tok transformatori
   

7. 
   ………………… ko’p kaskadli o’zgarmas tok kuchaytirgichlarda kaskadlarni kuchlanish bo’yicha o’zaro muvofiqlashtirishda keng qo’llaniladi.
   

1. 
   o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
   

8. 
   ………. sxemasida: 1 ta transistor, 1 ta resistor, 1 ta BTG va unga parallel ulangan resistor, 2 ta manbai mavjud
   

1. 
   kuchlanish sathini siljituvchi universal sxema
   

9. 
   differensial kuchaytirgichda ………. kirishlari mavjud
   

1. 
   invers va noinvers
   

10. 
    ………..ning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o’zgarganda chiqish toki qiymatini o’zgarmas saqlashdan iborat
    

1. 
   barqaror tok generatori
   

1. 
   O’zgarmas tok qiymatini cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo’lgan …………ta’minlashi mumkin
   

1. 
   ideal tok manbai
   

2. 
   Aktiv rejimda …………sxemada ulangan BTning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori VAXiga yaqin bo’ladi
   

1. 
   UB
   

3. 
   temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni ta’minlash uchun amalda elektrodlari tutashtirilgan ………… tranzistor ishlatiladi
   

1. 
   kollektor – baza
   

4. 
   Sodda ……sxemasida: 2 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta kuchlanish manbai mavjud
   

1. 
   barqaror tok generatori
   

2. 
   o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
   

5. 
   Quvvat kuchaytirgichlarning chiqish kaskadlarida ……… dan foydalaniladi.
   

1. 
   tarkibiy tranzistorlar
   

6. 
   …….. -inverslaydigan va inverslamaydigan kirishlarga, bir xil signal berilganda nolga teng bo’lgan chiqish kuchlanishiga va cheksiz katta keng o’tkazish polosasiga ega
   

1. 
   ideal kuchaytirgich
   

7. 
   …….. - kichik signal rejimida kuchaytirgichning tokni uzatish koeffisienti
   

1. 
   h21e
   

8. 
   Kaskad kuchaytirish koeffisienti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida …………dan foydalaniladi.
   

1. 
   tarkibiy tranzistorlar
   

9. 
   sinfaz signallar:
   

1. 
   amplitudalari teng va fazalari bir xil signallar
   

10. 
    …… - amplitudalari teng va fazalari bir xil bo`ladi
    

1. 
   sinfaz signallar
   

1. 
   Dinamik yuklamali differensial kuchaytirgich sxemasida ….. BTG qo`laniladi
   

1. 
   ikkita
   

2. 
   Differensial kuchaytirgichning ……. xil ulanish sxemasi mavjud
   

1. 
   to’rt
   

3. 
   differensial kuchaytirgichning asosiy parametrlaridan biri - ……. hisoblanadi
   

1. 
   sinfaz signallarni so’ndirish koeffisienti
   

4. 
   Agar signal operatsion kuchaytirgichning …………… kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal 1800 ga siljidi
   

1. 
   inverslaydigan
   

5. 
   Agar signal operatsion kuchaytirgichning ………….. kirishga berilsa, u holda chiqishdagi signal kirish signali bilan bir xil fazada bo’ladi.
   

1. 
   inverslamaydigan
   

6. 
   operatsion kuchaytirgichlar rivojlanishning ……. bosqichidan o’tdilar
   

1. 
   uch
   

7. 
   operatsion kuchaytirgich funksional sxemasi - ………dan iborat
   

1. 
   uch kaskad
   

8. 
   operatsion kuchaytirgichning………… uning kirish kaskadi va chiqish kaskadlarini bog`laydi
   

1. 
   muvofiqlashtiruvchi kaskadi
   

9. 
   …………. sinf kuchaytirgichlar katta nochiziqli buzilishlarga ega
   

1. 
   B
   

10. 
    Nochiziqli buzilishlarni kamaiytirish uchun tranzistorlarning ………… elektrodlariga siljituvchi kuchlanish beriladi
    

1. 
   baza
   

1. 
   ……. operatsion kuchaytirgichlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi
   

1. 
   differensial kuchaytirgich
   

2. 
   ……….. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo’ljallangan qurilma
   

1. 
   operatsion kuchaytirgich
   

3. 
   operatsion kuchaytirgich ……….. kirishga ega
   

1. 
   ikkita
   

4. 
   …….. usulda ifodalanayotgan kattalik, unga proporsional bo’lgan bir signal ko’rinishida ifodalanadi.
   

1. 
   Analog
   

5. 
   …….. usulda ifodalanayotgan kattalik, har biri berilgan kattalikning bitta raqamiga mos keluvchi bir nechta signallar ketma – ketligi ko’rinishida ifodalanadi
   

1. 
   Raqamli
   

6. 
   ………… elektron qurilma uzluksiz signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan
   

1. 
   Analog
   

7. 
   Analog elektron qurilma ………signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan elektron qurilmalar
   

1. 
   Analog
   

8. 
   …. analog elektron qurilmalar kamchiligi
   

1. 
   xalaqitbardoshlikning kichikligi
   

9. 
   operatsion kuchaytirgich kirish va chiqish qarshiliklari har doim ham asosiy parametrlar tarkibiga kiritilmaydi, ularni kirish va chiqish ……..qiymatlaridan aniqlash mumkin
   

1. 
   tok
   

10. 
    kuchaytirgich chiqish signali amplitudasini kirish signali amplitudasiga nisbatini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
    

1. 
   amplituda chastota
   

1. 
   kuchaytirgich chiqishidagi tebranishlar fazasini kirishdagi tebranishlar fazasiga nisbatan siljishini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
   

1. 
   faza chastota
   

2. 
   Elektron qurilmalar, jumladan komputerlarda qayta ishlanayotgan ma’lumotlar, natijalar va boshqa axborotlar ko’p hollarda ………….ko’rinishida ifodalanadi.
   

1. 
   elektr signallar
   

3. 
   Axborotni …… usulda uzatish mumkin
   

1. 
   analog va raqamli
   

4. 
   Analog signallarni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar –……… deb ataladi
   

1. 
   disrket elektron qurilmalar
   

5. 
   ……….ni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar – disrket elektron qurilmalar deb ataladi
   

1. 
   analog signallar
   

6. 
   ................da birlamchi signal vaqt bo’yicha kvantlanadi va odatda o’zgarmas chastotadagi impulslar ketma – ketligiga o’zgartiriladi.
   

1. 
   impulsli elektron qurilmalar
   

7. 
   Kvantlash turiga qarab …….. elektron qurilmalar impulsli, releyli va raqamli guruhga bo’linadi
   

1. 
   disrket
   

8. 
   Kvantlash turiga qarab disrket elektron qurilmalar uch guruhga bo’linadi: ………
   

1. 
   impulsli, releyli va raqamli
   

9. 
   analog elektron qurilmalar kamchiligi bu….
   

1. 
   axborotlarni uzoq muddat saqlashning murakkabligi
   

10. 
    analog ko’rinishdagi birlamchi axborotlarni raqamli usullarda qayta ishlash uchun …….. lozim
    

1. 
   kvantlash va kodlash
   

1. 
   analog signalni raqamli signalga o`zgartirish uchun …… lozim
   

1. 
   kvantlash va kodlash
   

2. 
   Uzluksiz signalni ma’lum nuqtalardagi qiymatlari bilan almashtirishga ……….deyiladi.
   

1. 
   kvantlash
   

3. 
   Kvantlash natijasida signal ixtiyoriy emas, balki aniq, ………. deb ataluvchi qiymatlarni oladi
   

1. 
   diskret
   

4. 
   Hisoblash va axborot texnikasi evolusiyasi qurilmalar o’rtasida axborot almashinish uchun ……. – bitli kattalikni paydo qildi
   

1. 
   8
   

5. 
   8 – bitli katalik ….. deb ataladi.
   

1. 
   bayt
   

6. 
   mantiqiy inkor bu ….
   

1. 
   inversiya
   

7. 
   mantiqiy inkor bu ….
   

1. 
   EMAS amali
   

8. 
   mantiqiy qo’shish bu ….
   

1. 
   YOKI amali
   

9. 
   …………… birlamchi analog signalni zinasimon funksiyaga o’zgartiradi.
   

1. 
   releyli elektron qurilmalar
   

10. 
    kvantlangan signal bir necha elementar signallardan tuzilgan shartli kombinatsiyalar ko’rinishida ifodalash ……….. deb atalad
    

1. 
   kodlash
   

1. 
   Kodlash turli ma’lumotlar (harflar, tovushlar, ranglar, komandalar va boshqalar)ni ma’lum standart shaklda, masalan ………. simvollari ko’rinishida ifodalash imkonini beradi.
   

1. 
   ikkilik
   

2. 
   ………sanoq tizimida ixtiyoriy sonni 0 yoki 1 raqamlari yordamida yozish mumkin ekan
   

1. 
   Ikkilik
   

3. 
   Kichik asosga ega bo’lgan sanoq tizimidan katta asosga ega bo’lgan sanoq tizimiga o’tish
   

1. 
   Mumkin
   

4. 
   …………… yordamida axborotni yozish va o’qish, o’chirish va qayta tiklash, hamda saqlanayotgan axborotni indikatsiya qilish mumkin.
   

1. 
   Triggerlar
   

5. 
   Sanoq tizimlarining …….. turlari mavjud
   

1. 
   pozitsion va nopozitsion
   

6. 
   …………deb kirish signallari ustida aniq bir mantiqiy amal bajaradigan elektron qurilmaga aytiladi
   

1. 
   mantiqiy element
   

7. 
   Ishlash prinsipiga ko’ra …… MElarga bo’linadi
   

1. 
   ombinatsion va ketma-ketli(tadriji)
   

8. 
   …………….. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, xotirasiz mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
   

1. 
   Kombinatsion
   

9. 
   mantiqiy ko’paytirish bu ….
   

1. 
   HAM amali
   

10. 
    Funksiya qiymatlarini ifodalovchi jadval ………. jadvali deb ataladi.
    

1. 
   Haqiqiylik
   

1. 
   Bir funksiya argumentlarini boshqa funksiya argumentlari bilan almashtirish amali …………. deb ataladi.
   

1. 
   Superpoztsiya
   

2. 
   ………………..da birlamchi analog signal ham vaqt bo’yicha, ham kattaligi bo’yicha kvantlanadi.
   

1. 
   raqamli elektron qurilmalar
   

3. 
   ……….. – integral elektron qurilma bo’lib, raqamli signal ko’rinishida berilgan axborotlarni talab etilgan holda o’zgartirishga mo’ljallangan.
   

1. 
   raqamli itegral sxema
   

4. 
   Bipolyar tranzistorli elektron kalit
   

1. 
   Invertor
   

5. ko’p emitterli tranzistor asosidagi sxema

1. 
   tranzistor – tranzistorli mantiq
   

6. 
   ko’p kollektorli tranzistor asosidagi sxema
   

1. 
   integral –injektsion mantiq
   

6. 
   …………… sxemasi: 1 ta manba, ko`p emitterli transistor, bipolyar transistor, 2 ta resistor, chiqish elektrodi dan tashkil topgan.
   

1. 
   sodda invertorli tranzistor – tranzistorli mantiq ME
   

6. 
   ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida ………….. negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi.
   

1. 
   integral –injektsion mantiq
   

6. 
   ……………. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
   

1. 
   ketma – ketli(tadriji)
   

6. 
   ………..deb shunday elektron qurilmaga aytiladi-ki, uning kirishdagi boshqaruv kuchlanishi qiymatiga bog’liq holda ikkita turg’un holatdan birida: uzilgan yoki ulangan bo’lishi mumkin.
   

1. 
   elektron kalit