Impact Factor: 2 issn-l: 2544-980x maydon Tranzistorlarining Afzalligi Va Ularning O`Ziga Xos Xususiyatlari




Download 0,49 Mb.
Pdf ko'rish
bet1/6
Sana08.12.2023
Hajmi0,49 Mb.
#113751
  1   2   3   4   5   6
Bog'liq
101-106 Maydon Tranzistorlarining Afzalligi Va Ularning O`Ziga Xos Xususiyatlari
Sulaymonov Shodibek 5-mustaqil ish, KIBER 6M, 11-mavzu Sinfdan va maktabdan tashqari tarbiyaviy ishlar konsep, MARSHRUTIZATSIYA ALGORITMI-7, reyting-daftar-308211102024, 2-kurs ЙЎЛЛАНМА, g, french, 1-Amaliy, 7-Amaliy, ERGASHEVA M, Reja Issiqlik o’tkazuvchanlik, 4-Testlar , ТВК конструкцияси фанидан ЯН (2), 12-mavzuNeytrallanish reaksiyasining issiqlik effektini aniqlash


Vol. 37 (2023): Miasto Przyszłości +62 811 2928008 .  
101 
Miasto Przyszłości 
Kielce 2023 
Impact Factor: 9.2
ISSN-L: 2544-980X
 
Maydon Tranzistorlarining Afzalligi Va Ularning O`Ziga Xos Xususiyatlari 
 
Yunusova Ra’no G’aybullayevna 
1
 
 
Annotatsiya: Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish uchun o‘tkazuvchi 
kanaldagi elektr o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish hisobiga elektr maydon o‘zgarishi bilan 
boshqariladigan yarim o‘tkazgichli aktiv asbobga aytiladi. Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar 
va quvvatni kuchaytirish uchun mo‘ljallangan. MT larda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok 
tashkil bo‘lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. 
MTlarda tok hosil bo‗lishida faqat bir turli — asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) 
qatnashgani sababli ular ba‘zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi.  
MTlarda :asosiy zaryad tashuvchilarni harakatlantiruvchi elektrod-istok ( tok manbai), asosiy zaryad 
tashuvchilar boradigan elektrod - stok, o'rtadagi boshqaruvchi elektrod esa - zatvor deyiladi.Istok bilan 
stok oralig'idagi qatlam kanal deyiladi. 
Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlari: xarakteristika tikligi S, differensial (ichki qarshiligi) 
, µ kuchaytirish koeffitsienti hisoblanadi. 
Maydoniy tranzistorlarning bir necha afzalliklari: 
1. Katta kirish qarshiligiga ega. ( p-n o'tishli maydonli tranzistorlarda 
, zatvori 
izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlarda 
bo'ladi.) 
2. Xususiy shovqin juda kam. Tok hosil qilishda faqat bitta turdagi zaryad tashuvchi ishtirok etadi
shuning uchun rekombinatsiya yo'q, rekombinatsiya shovqin yo'q. 
3. Harorat va radiatsiya ta'siriga chidamli. 
4. Integral sxemalarda juda katta zichlikda tranzistorlar hosil qilinadi (integratsiya darajasi yuqori). 

Download 0,49 Mb.
  1   2   3   4   5   6




Download 0,49 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Impact Factor: 2 issn-l: 2544-980x maydon Tranzistorlarining Afzalligi Va Ularning O`Ziga Xos Xususiyatlari

Download 0,49 Mb.
Pdf ko'rish