|
«Informaciya qáwipsizligi» baǵdarı 2-kurs 305-21 topar studentı Erkaboyev Furqattıń
|
| bet | 1/5 | | Sana | 29.07.2023 | | Hajmi | 317.7 Kb. | | #77588 |
Bog'liq Erkaboyev Furqat Keńesbayev Azizbek
ÓZBEKSTAN RESPUBLIKASÍ INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ HÁM KOMMUNIKACIYALARÍN RAWAJLANDÍRÍW MINISTRLIGI
MUHAMMED AL-XOREZMIY ATINDAǴÍ TASHKENT INFORMACIYALÍQ
TEXNOLOGIYALARÍ UNIVERSITETI
NÓKIS FILIALÍ
TELEKOMMUNIKATSIYA TEXNOLOGIYALARI HÀM KÀSIP TÀLIM FAKULTETI
« Informaciya qáwipsizligi» baǵdarı
2-kurs 305-21 topar studentı
Erkaboyev Furqattıń
« Elektronika hám sxemaları2 »
páninen jazılǵan
ÓZ BETINSHE JUMISI
Tayarlaǵan _________________ F.Erkaboyev
Qabıllaǵan _________________ B.Fayzullayev
Nókis-2022
Tema: BT da jasalǵan UB kúsheytgish sxemasın izertlew
Jobası:
I.Kirisiw
II.Tiykarǵı bólim
2.1.BT haqqında ulıwma túsinik
2.2. BT da jasalǵan UB kúsheytgish sxemasın izertlew
2.3. BT nıń fizik parametrleri
III.Juwmaqlaw
IV.Paydalanılǵan ádebiyatlar
Kirisiw
BTda elektrodlar ush bolǵanı sebepli, úsh qıylı jalǵanıw sxemaları ámeldegi: ulıwma baza (UB); ulıwma emitter (UE); ulıwma kollektor (UK). Bunda BT elektrodlarınan biri sxemanıń kirisiw hám shıǵıw shınjırları ushın ulıwma, onıń ózgeriwshen tok (signal ) boyınsha potensialı bolsa nolge teń etip alınadı. BTning suwretde keltirilgen jalǵanıw sxemaları aktiv rejimge uyqas.
1.-Súwret. BT jalǵanıw sxemalari (izbe-izlikte: UB, UE, UK)
Bipolyar tranzistor dep óz-ara tásirlesiwshi eki p-n ótiw hám ush elektrod (sırtqı shıǵıwlar ) ga iye bolǵan yarım ótkizgish ásbapǵa aytıladı. Tranzistordan tok aǵıp ótiwi eki túrdegi zaryad tasıwshılar - elektron - geweklerdiń háreketine tiykarlanǵan.
Bipolyar tranzistor p-n-p hám n-p-n ótkezgishlikke iye bolǵan ush yarım ótkizgishten shólkemlesken (1 a hám b - súwret). Keleside keń tarqalǵan n-p-n strukturalı bipolyar tranzistordı kórip shıǵamız.
Tranzistordıń kúshli legirlengen shet tarawı (n+ - tarawdıń) emitter dep ataladı hám ol zaryad tasıwshılardı baza dep atalıwshı orta tarawǵa (p - tarawdıń) injeksiyalaydi. Keyingi shet tarawdıń (n - tarawdıń) kollektor dep ataladı. Ol emiitterga salıstırǵanda kúshsizlew legirlengen bolıp, zaryad tasıwshılardı baza salasından ekstraksiyalash ushın xızmet etedi. Emitter hám baza aralıǵindaǵı ótiw emitter ótiw, kollektor hám baza aralıǵindaǵı ótiw bolsa kollektor ótiw dep ataladı.
Sırtqı kernew dárekleri (Ueb, Ukb) járdeminde emitter ótiw tuwrı jóneliste, kollektor ótiw bolsa - keri baǵıtda jıljıydı. Bul halda, tranzistor aktiv yamasa normal rejimde isleydi jáne onıń kúsheytiw ózgeshelikleri kórinetuǵın boladı.
1948 -jıl D. Bardin hám v. Bratteyn noqatlı n-p ótiwler menen islep turıp, eki n-p ótiwli qurılma quwatı boyınsha elektr terbelislerdi kúsheytiw qábiletine egaligini guwası boldı. Bul qurılmanı olar tranzistor dep atawdı (“Transfer” - ózgertiriwshi hám “resistor” - qarsılıq - ingliz sózlerinen alınǵan ). Búgingi kúnde bir yamasa bir neshe n-p ótiwli hám úsh yamasa odan kóp úshleri bolǵan elektr ózgertiriwshi yarım ótkizgishli ásbap tranzistor dep ataladı.
Tranzistorlar konstruksiyası boyınsha noqatlı hám tegis bolıwı múmkin, biraq, eger noqatlı tranzistorlar aldın payda bolıwına qaramastan, olardıń nostabil islewi soǵan alıp kelindi, búgingi kúnde tek tegis tranzistorlar islep shiǵarıladı. Tegis tranzistor yarım ótkeriwshiniń monokristalli bolıp, ol jaǵdayda eki aymaq bir tipdagi ótkezgishlikke iye, keri tipdagi ózgeriwshenlikke iye bolǵan aymaq menen bólingen. Bul ásbaplardı tiykarǵı waziypası elektr terbelislerdi kúsheytiw yamasa generatsiyalashdan ibarat. Ápiwayı p-n-p hám n-p-n ótkezgishlikke iye bolǵan bipolyar tranzistorlar tómendegi súwretlerde óz sawleleniwin tapqan (2 -3 -súwret).
2-súwret
3-súwret
Tranzistorlar maksimal jumısshı chastotaǵa qaray tómendegilerge bólinedi.
Tómen chastotaǵa isleytuǵın tranzistorlar olardı chastota shegarası f =3- 30 mGs :
Joqarı chastotaǵa isleytuǵın tranzistorlar olardı chastota shegarası f
=30 -300 mGs :
Oǵada joqarı chastotaǵa isleytuǵın tranzistorlar olardı chastota shegarası f =300 mGs :
Bulardan tısqarı qanday quwatda isley alıwına qaray:
kishi quwatlı tranzistorlar R=0, 3 Wt ge shekem ;
ortasha quwatlı tranzistorlar R=0, 3-3, 0 Wt ge shekem ;
úlken quwatlı tranzistorlar R=3, 0 Wt den joqarı quwatlarǵa bólinediler.
Yarım ótkizgishli triod elektron ásbaplarınıń bir túri bolıp, tranzistor dep ataladı. Dúzilisi hám islew usılına qaray tranzistorlar bipolyar jáne onıpolyar tranzistorlarǵa ajratıladı.
Bipolyar tranzistorlardıń islewi p-n ótiw hádiysesine, unipolyar tranzistordıń islewi bolsa, bir túrdegi ótkezgishlikke iye bolǵan yarım ótkizgishtiń ótkezgishligin elektr maydanı járdeminde basqarıwına tiykarlanǵan.
4-suwret
Bipolyar tranzistor yarım ótkizgish monokristalda eki p-n ótiw salasın payda etiw tiykarında yasaladi. Onı ótkezgishligi alısıp keletuǵın 3 tarawǵa ajıratıw múmkin.
Eger monokristallnıń kólemi menen shegaralanǵan bolsa, payda bolǵan tegis tranzistor p-n-p túrdegi tranzistor dep ataladı. Kerisinshe, gewek ótkezgishlik sfera arasında bolsa n-p-n túrdegi tranzistor payda boladı. Bul tranzistorlardıń sxemada belgileniwi hám potensial to'sig'ining kórinisi 4-suwretde kórsetilgen.
|
| |
