Комплементар мдя транзисторларда ясалган мантиқий елементлар (кмдям)

Ҳозирги кунда електроника соҳаси тез ривожланиб бораётган соҳалардан бири ҳисобланади. Електроника – фан ва техниканинг ҳавосиз бўшлиқ, газ ва қаттиқ жисмда електр токининг ҳаракатига асосланган електрон асбоб ва қурулмаларни яратиш, ҳамда улардан амалда фойдаланиш билан шуғулланадиган соҳасидир. Електрон қурулмаларни халқ хўжаллигида кенг қўллаш фақат иқтисодий емас, балки ижтимоий моҳиятга ҳам егадир, чунки бунда ишчи меҳнатининг мазмуни ҳам ўзгаради, яъни унинг иши ижодий тус олади. Електроникани халқ хўжалиги ва маиший хизматда кенг қўллаш натижасида инсон қисман жисмоний меҳнатдан озод бўлади ва бўш вақтини ўзининг маънавий ва маъданий савиясини оширишга сарф етади. Микроелектрониканинг асосий қурилмаси бўлган ярим о`тказгич асбоблар ҳам тез суратларда ривожланиб бормоқда. Ярим ўтказгич асбоб ҳисобланувчи транзисторлар ҳам шулар жумласидандир. Комплементар МДЯ – транзисторларда ясалган мантиқий елементлар (КМДЯМ). Икки киришли елемент схемаси 9.8 – расмда келтирилган. Иккаола киришга мантиқий нолга мос сигнал берилса н – каналли ВТ1 ва ВТ2 транзисторлар беркилади, п – каналли ВТ3 ва ВТ4 транзисторлар очилади. Берк транзисторларнинг каналидаги ток жуда кичик (10-10A). Демак, манбадан ток деярли истеъмол қилинмайди ва схеманинг чиқишида Ем га яқин потенциал ўрнатилади (мантиқий бир даражаси). Aгар бирор кириш ёки иккала киришга мантиқий бир даражаси берилса, ВТ1 ва ВТ2 транзисторлар очилади ва елемент чиқишида потенциал нолга яқин бўлади. Елемент 2ЁКИ-ЕМAС амалини бажаради. Истеъмол қуввати 0,010,05 мВтни, тезкорлиги еса 1020 нс ни ташкил етади.

ВТ1 транзистор емиттер – коллектор оралиғи калит вазифасини бажаради. Сигнал манбаи ва юклама сифатида худди шундай схемалар ишлатилади. Aгар киришга мантиқий бирга мос келувчи юқори потенциал берилса, ВТ1 транзистор очилади ва тўйиниш режимида бўлади. Унинг чиқишидаги потенциал нол потенциалига мос келади. Киришга мантиқий нолга мос келувчи потенциал берилса, ВТ1 транзисторнинг емиттер ўтиши беркилади. Коваклар токи IQ (қайта уланиш токи) ВТ1 транзисторнинг коллектор ўтишини тескари йўналишда улайди. Бунинг натижасида ВТ1 чиқиш қаршилиги кескин ортади ва унинг чиқишида мантиқий бир потенциали ҳосил бўлади. Яъни мазкур схема юқорида кўрилган схемалар каби инвертор вазифасини бажаради. Мантиқий амалларни бажариш инвертор чиқишларини металл симлар билан бирлаштириш натижасида амалга оширилади. 9.10 б – расмда ҲAМ амалини бажариш усули кўрсатилган. Ҳақиқатдан ҳам, агар Х1 ёки Х2 киришлардан бирига юқори потенциал берилса U1KIR, натижада бирлашган чиқишларда (A нуқта) паст потенциал ҳосил бўлади U0. Натижада ва инверс ўзгарувчиларнинг конъюкцияси бажарилади. Улар ВТ1 ва ВТ3 инвертор чиқишларида ҳосил бўлади: I2M елементининг тезкорлиги 10100 нс ва истеъмол қуввати 0,010,1 мВт. Кристаллда битта I2M елементи КМДЯ –елментга нисбатан 34 марта кичик, ТТМ – елементига нисбатан еса 510 марта кичик юзани егаллайди.