Комплементар мдя транзисторларда ясалган мантиқий елементлар (кмдям)

ВТ1 транзистор емиттер – коллектор оралиғи калит вазифасини бажаради. Сигнал манбаи ва юклама сифатида худди шундай схемалар ишлатилади. Aгар киришга мантиқий бирга мос келувчи юқори потенциал берилса, ВТ1 транзистор очилади ва тўйиниш режимида бўлади. Унинг чиқишидаги потенциал нол потенциалига мос келади. Киришга мантиқий нолга мос келувчи потенциал берилса, ВТ1 транзисторнинг емиттер ўтиши беркилади. Коваклар токи IQ (қайта уланиш токи) ВТ1 транзисторнинг коллектор ўтишини тескари йўналишда улайди. Бунинг натижасида ВТ1 чиқиш қаршилиги кескин ортади ва унинг чиқишида мантиқий бир потенциали ҳосил бўлади. Яъни мазкур схема юқорида кўрилган схемалар каби инвертор вазифасини бажаради. Мантиқий амалларни бажариш инвертор чиқишларини металл симлар билан бирлаштириш натижасида амалга оширилади. 9.10 б – расмда ҲAМ амалини бажариш усули кўрсатилган. Ҳақиқатдан ҳам, агар Х1 ёки Х2 киришлардан бирига юқори потенциал берилса U1KIR, натижада бирлашган чиқишларда (A нуқта) паст потенциал ҳосил бўлади U0. Натижада ва инверс ўзгарувчиларнинг конъюкцияси бажарилади. Улар ВТ1 ва ВТ3 инвертор чиқишларида ҳосил бўлади: I2M елементининг тезкорлиги 10100 нс ва истеъмол қуввати 0,010,1 мВт. Кристаллда битта I2M елементи КМДЯ –елментга нисбатан 34 марта кичик, ТТМ – елементига нисбатан еса 510 марта кичик юзани егаллайди.

Кўриб ўтилган мантиқий ИМС негиз елементларининг асосий параметрлари жадвали

Кўриб ўтилган мантиқий ИМС негиз елементларининг асосий параметрлари жадвали

Parametr

Negiz element turi

TTM

TTMSh

n - MDYa

Kuchlanish manbai, V

5

5

5

Signal mantiqiy o’tishi (U1ChIQ- U0ChIQ), V

4,5-0,4

4,5-0,4