Ushbu kaskad uchun aytib o’tilganlarning barchasi
p-n-p
tranzistor asosidagi
kaskadlar uchun ham o’rinli bo’ladi. Bunda kuchlanish manbaining qutbini va
toklar yo’nalishini o’zgartirish yetarli bo„ladi.
Kuchaytirgich kaskadning kirish kuchlanishi Δ
U
KIR
miqdorga o’zgardi deb
faraz qilaylik. Bu baza tokining ortishiga olib keladi. Tranzistorning emitter va
kollektor toklari hamda kaskadning chiqish kuchlanishi Δ
U
CHIQ
orttirma oladi.
Shunday qilib, kirish kuchlanishi (toki)ning har qanday o’zgarishi chiqish
kuchlanishi (toki)ning proporsional o„zgarishiga olib keladi. Qiymat jihatdan
ushbu o„zgarishlar kaskadning kuchaytirish koeffitsiyenti bilan aniqlanadi.
Birlamchi asosiy parametrlar bo’lib tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsiyenti
α, emitterning
r
E
, kollektorning
r
K
va bazaning
r
B
o’zgaruvchan tokka qarshiliklari,
ya‟ni ularning differensial qiymatlari xizmat qiladi.
r
E
qarshilik EO’ qarshiligi va
emitter soha qarshiligidan,
r
K
qarshilik esa KO’ qarshiligi va kollektor soha
qarshiligi yig’indisidan iborat bo„ladi. Emitter va kollektor sohalar qarshiligi
o’tishlar qarshiligiga nisbatan juda kichik qiymatga ega bo’lgani sababli ular
e’tiborga olinmaydi.
Ikkilamchi parametrlarning (
h
va
y
- parametrlar) barcha tizimi tranzistorni
to„rt qutbli sifatida ifodalashga asoslanadi.
UE ulangan kuchaytirgich kaskadning eng muhim parametrlarining
qiymatlari 8.2-jadvalda keltirilgan.
