Fan o’qituvchisi: Raxmatov I.I.
Kafedra mudiri: Raxmatov I.I.
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat
Variant
Yarimo’tkazgichli xotira qurilmalari.
Xotira qurilmasi - elektron hisoblash mashinasi (EHM), raqamli hisoblash mashinasi (RHM) va kompyuterlarning axborotlarni qayd kilish, saqlash va operator izlaganda "qaytarib berish" uchun moʻljallangan qismi. Asosan integral mikrosxemalardan iborat. Xotira qurilmasida axborotlarni qayd qilishda axborotlarni eltuvchi material (perfokarta, perfolentami mexanik tarzda surish, magnit materiallar (magnit disk, magnit lenta va boshqalar)ning magnit xossasini oʻzgartirish, dielektriklarda elektrostatik zaryadlarni toʻplash, tovush va ultratovush tebranishlaridan foydalanish, oʻta oʻtkazuvchanlik hodisasini qoʻllash va boshqa amallar bajariladi.
Xotira qurilmasi, asosan, oʻta operativ, operativ va tashqi qurilmalardan iborat boʻladi. Axborotlarni izlash usuliga koʻra, adresli (har bir xotira uyasiga zarur raqam qoʻyiladi va axborot aniq bir adres boʻyicha izlanadi) hamda assotsiativ (axborotlar alomatlar yigindisi boʻyicha izlanadi) Xotira qurilmasi farqlanadi. Xotira qurilmasining axborotlar oʻchmaydigan (diod matritsalar, perfolentalar va boshqalardagi axborotlar) va oʻchadigan (magnit eltuvchilar, ferromagnit oʻzaklar va boshqalardagi axborotlar) turlari bor. Xotira qurilmasining asosiy ish koʻrsatkichi birligi bit yoki bayt (8 bit)da oʻlchanadigan sigʻim, yaʼni bir vaqtda Xotira qurilmasida joylashishi mumkin boʻlgan belgilar soni.
Inson miyasi eng mukammal Xotira qurilmasi hisoblanadi. Unda (10—15)109 ga yakin asab hujayrasi (uyasi) — neytronlar mavjud boʻlib, ularning har biri xotira hujayrasi (uyasi)ni tashkil qiladi.
Kompyuterning "miyasi" — mikroprotsessor maʼlumot yoki dasturlarni aynan xotiradan oladi va natijalarni unga qayd kiladi. Kompyuter diskdan maʼlumotlarni "oʻqib", maxsus qismida saqlaydi va ish jarayonida undan bevosita foydalanib turadi. Ana shu maxsus kiyem operativ xotira deb ataladi. Kompyuterning imkoniyatlari operativ xotira sigʻimiga bogʻliq. Kompyuterda operativ xotira 1 Mbayt yoki undan kichik boʻlsa, u faqat MS DOS OT muhitida, agar 4 Mbayt boʻlsa, MS DOS OT, Windows 3.1 muhitida, 32 Mbayt va undan katta boʻlsa, lokal tarmoqdar (internet, elektron pochta — Email) da ishlashi mumkin. Koʻpchilik kompyuterlarda operativ xotira orasiga qoʻshimcha KEShxotira oʻrnatiladi. Koʻp ishlatiladigan maʼlumotlar ana shu xotiraga kayd kilinadi. IBM PC kompyuterida yana xotiraning BIOS (doimiy xotira) va CMOS (yarim doimiy xotira) turlari mavjud. Ularda kompyuter qurilmalarini tekshirish dasturlari, operatsion tizimni yuklash va kompyuter qurilmalariga xizmat koʻrsatish vazifalarini bajarish dasturlari saqlanadi. Elektron texnikasining rivojlanishi, bionika yutuqyaaridan samarali foydalanish tufayli sigʻimi inson miyasi sigʻimiga yaqinlashib qoladigan Xotira qurilmasi yaratishga muvaffaq boʻlindi.
Bipolyar taranzistorlarning umumiy emitterli ulanish sxemasida kirish satatik xarakteristikasi
Kuchlanish manbai qutblari va tranzistor toklarining yo‗nalishi tranzistorning aktiv rejimiga mos keladi. UB ulanish sxemasi qator kamchiliklarga ega bo’lib, juda kam ishlatiladi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma‘lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo‗lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin. UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo’lib U = const bo‗lgandagi I= f (U) bog‗liqlik, U sxemasi uchun esa U = const bo’lgandagi I=f(U) bog‗liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri odatda to’g’ri yo’nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko’rinishiga ko’ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (3- rasm).
Bipolyar tranzistorlarning xususiy xossalari asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning baza orqali uchib o’tish vaqti va o’tishlarning to’siq sig’imlarining qayta zaryadlanish vaqti bilan aniqlanadilar. Juda kichik kirish signallari va aktiv ish rejimi uchun bipolyar tranzistorni chiziqli to’rtqutblik ko’rinishida ifodalash mumkin va bu to’rtqutblikni biror parametrlar tizimi bilan belgilash mumkin. Bu parametrlarni h–parametrlar deb atash qabul qilingan. Ularga quyidagilar kiradi: h11 – chiqishda qisqa tutashuv bo’lgan vaqtdagi tranzistorning kirish qarshiligi; h12 – uzilgan kirish holatidagi kuchlanish bo’yicha teskari aloqa koeffisienti; h21 –chiqishda qisqa tutashuv bo’lgan vaqtdagi tok bo’yicha kuchaytirish (uzatish) koeffisienti; h22 –uzilgan kirish holatidagi tranzistorning chiqish o’tkazuvchanligi. Barcha h – parametrlar oson va bevosita o’lchanadi. Elektronika bo’yicha avvalgi adabiyotlarda kichik signalli parametrlarning chastotaviy bog’liqliklariga juda katta e‘tibor qaratilgan. Hozirgi vaqtda 10 GGs gacha bo’lgan chastotalarda normal ishni ta‘minlaydigan tranzistorlar ishlab chiqarilmoqda. Bunday xollarda talab qilinayotgan chastota xarakteristikalarini olish uchun ma‘lumotnomadan kerakli tranzistor turini tanlash kerak.
Teskari ulanishda p-n o’tish hodisasi
energiyaga ega bo‘lgan ko‘pgina zaryad tashuvchilar p-n o‘tish
orqali qo‘shni sohalarga diffuziya hisobiga p-n o‘tish maydoniga qarama–qarshi ravishda siljiydilar. Ular diffuziya tokini yuzaga keltiradilar. Asosiy zaryad tashuvchilarning p-n o‘tish orqali harakati bilan bir vaqtda, p-n o‘tish ular uchun tezlatuvchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatayogan maydon ta’sirida asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar ham harakatlanadilar. Asosiy bo‘lmagan zaryad tashuchilar oqimi dreyf tokini yuzaga keltiradi. Tashqi maydon ta’sir ettirilmaganda dinamik muvozanat o‘rnatiladi, ya’ni diffuziya va dreyf toklarining absolyut qiymatlari teng bo‘ladi. Lekin diffuziya va dreyf toklari o‘zaro qarama–qarshi yo‘nalishda yo‘nalganligi uchun, p-n o‘tishdagi natijaviy tok nolga teng bo‘ladi.
Agar p-n o‘tishga tashqi kuchlanish manbai U ulansa, u holda muvozanat sharti buziladi va tok oqib o‘ta boshlaydi. Agar kuchlanish manbaining musbat qutbi p-turdagi sohaga, manfiy qutbi esa n-turdagi sohaga ulansa, bunday ulanish to‘g‘ri ulanish deb ataladi
|
