CoSi 2 /Si chеgаrаsidа аtоmlаrning prоfil bo’yichа tаqsimlаnishi. 5.5




Download 4,13 Mb.
Pdf ko'rish
bet68/124
Sana31.05.2024
Hajmi4,13 Mb.
#258278
1   ...   64   65   66   67   68   69   70   71   ...   124
Bog'liq
NANOTEXNOLOGIYA ASOSLARI (UMUMIY) 22.06.2020 (1)

 
CoSi
2
/Si chеgаrаsidа аtоmlаrning prоfil bo’yichа tаqsimlаnishi.
5.5.
Kichik energiyali ionlar implantatsiyasi. 
Energiyaga bog’liq ravishda ion inplantatsiya usulini shartli ravishda 
3turga bo’lish mumkin:
1 - kichik energiyali E
i
≈0.2-10 keV 
2 - o’rta energiyali E
i
≈10-50 keV 
3 - katta energiyali E
i
>50 keV. 
O’rta va katta energiyali ionli inplantatsiyasi yarimo’tkazgichlarda p yoki n 
tipli aralashmalar hosil qilish uchun ishlatiladi. So’ngi yillarda ular chuqur 
qatlamlarda nanonuqtalar olish uchun ham ishlatilmoqda. Kichik energiyali ionlar 
inplantatsiyasi asosan qattiq jismni yuza qatlamlarini modifikatsiya qilish uchun, 
hamda nanofazalar, nanoklasterlar, nanokristallar va nanoplenkalar olish uchun 
qo’llanilmoqda. Modifikatsiya jarayonini sirtda reaksiyasiz amalga oshirish 
mumkin, buning natijasida sirtning fizik xususiyatlari o’zgarib boradi va 
ikkilamchi emissiya xususiyati oshib boradi. Ion bombardirovka – mishenga 
urilgan ionlar kristall ichida qolishi ham yoki qolmasligi ham mumkin. Ion 
inplantatsiyada esa ionlar mishen ichida qoladi.
Kichik energiyali ionlar inplantatsiyasida ionlar asosan qattiq jismning yuza 
va yuza osti qatlamlariga joylashadi. Ionlar monokristall yuziga tushganda
CoSi
2
С,
аt.% 
80 
60 
40 
20 

50 100 150 200
d, Å
C
Si 
C
Co 
Si 
C
Co

аt.% 
30 
20 
10 

300 900 1500 d, Å 
CoSi
2
Si 
Chegaraviy 
qatlam 


127 
ularning ayrimlari kanallar bo’ylab o’z harakatini davom ettirishi va bu uzoq 
masofalargacha davom etishi mumkin 
5.11 –rasm.
 
Ion inplantatsiya jarayonida sirtda yuz beradigan hodisalar 
Kanallanish ikki xil bo’ladi: o’q va tekislik bo’yicha. Ionlarni asosiy qismi 
betartib tarqalib yuza osti qatlamlarga joylasha boshlaydi, bunday joylashish 
diffusion joylashish deb ataladi. Ular energiyaga bog’liq ravishda muayyan bir 
chuqurlikda joylashadi. Ionlar joylashgan qatlamlarni ionli legirlangan qatlam deb 
ataladi. Ionli legirlangan qatlam va bu qatlamning pastida, legirlangan qatlamdan 
ko’ra 2-3 barobar katta bo’lgan qatlamlarni kristall panjarasi buzuladi va amorflana 
boshlanadi. 
Kerakli brikmani hosil qilish uchun, amorf qatlamlarni kristallash uchun ion 
inplantatsiyadan so’ng, haroratli yoki lazer nuri bilan ishlov beriladi. 
5.12-rasm.

Download 4,13 Mb.
1   ...   64   65   66   67   68   69   70   71   ...   124




Download 4,13 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



CoSi 2 /Si chеgаrаsidа аtоmlаrning prоfil bo’yichа tаqsimlаnishi. 5.5

Download 4,13 Mb.
Pdf ko'rish