β= β1 ∙β2 = 10000 bo‘ladi.
Lekin, bir xil VT1 va VT2 larda β1 va β2 koeffitsientlar IK1 va IK2 kollektor toklari bir xil bo‘lgandagina bir – biriga teng bo‘ladi.
IE1>>IB1=IE2 bo‘lgani uchun IK2 >> IK1.
Shuning uchun β1<< β2 va β= β1 ∙β2 amalda bir necha mingdan oshmaydi.
Tarkibiy tranzistorlar turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan tranzistorlar asosida ham hosil qilinishi mumkin. Bunday tuzilmalar qo‘shimcha simmetriyaga ega bo‘lgan tarkibiy tranzistorlar deb ataladi. Komplementar BTlar asosidagi Shiklai tarkibiy tranzistori tuzilishi keyingi rasmda keltirilgan.
4.2.-rasm. Shiklai tarkibiy tranzistori
Bunda kirish tranzistori sifatida p-n-p o‘tkazuvchanlikka ega tranzistor, chiqish tranzistori sifatida esa n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega tranzistor ishlatiladi. Natijaviy toklar yo‘nalishlari, rasmdan ko‘rinishicha, p-n-p tranzistorning toklari yo‘nalishiga mos keladi. Tok uzatish koeffitsienti β= β1+ β1*β2 ga teng bo‘ladi va amalda Darlington tranzistorining β siga teng bo‘ladi.
Tarkibiy tranzistor maydoniy va bipolyar tranzistorlar asosida hosil qilinishi ham mumkin. Keyingi rasmda n – kanali p-n o‘tish bilan boshqariluvchi MT va n-p-n tuzilmali BT asosida hosil qilingan tarkibiy tranzistor sxemasi keltirilgan. Ushbu sxema maydoniy va bipolyar tranzistorlarning xususiyatlarini o‘zida mujassamlashtirgan – bu juda katta kirish qarshiligiga va tok bo‘yicha, demak quvvat bo‘yicha ham, juda katta kuchaytirish koeffitsientiga egaligidan iborat.
4.3.-rasm. MT va BTdan iborat tarkibiy tranzistor
4.4.-rasm.Uilson tok ko‘zgusi sxemasi
Sxemada boshqaruvchi VT1 va VT2 tranzistorlarning baza toklari qarama - qarshi yo‘nalgan.
VT1 va VT2 tranzistorlar egizak. Ularning ishlash rejimlari bir – birinikidan kollektor – baza kuchlanish bo‘yicha farq qiladi. VT1 tranzistorning kollektor – baza kuchlanishi VT2 tranzistorning emitter – baza kuchlanishiga teng, ya’ni qiymati kichik. VT2 tranzistorning kollektor– baza kuchlanishi esa R rezistordagi va RYu zanjirdagi kuchlanish pasayishlari bilan aniqlanadi va sezilarli darajada katta bo‘lishi mumkin.
Lekin, baza toki kollektor – baza kuchlanishi qiymatiga sust bog‘langan, shuning uchun IB1= IB2. Emitter toklari ham sodda BTG sxemasidagi holat sabablariga ko‘ra bir – biriga teng IE1= IE3. Natijada quyidagi ifoda kelib chiqadi.
Bu ifodadan sodda BTG sxemada kirish va chiqish toklarining qaytarilishi Uilson tok ko‘zgulari sxemadagiga qaraganda yuqoriroqligi ko‘rinib turibdi.
Qator integral sxemalarda tayanch toki I1 (I2 << I1) qiymati katta bo‘lgan kichik tokli BTGlar talab etiladi. Ushbu hollarda sodda BTGning takomillashgan sxemasidan foydalaniladi.
Bu sxema tok transformatori sxemasi deb ataladi. Uning uchun
ifoda o‘rinli.
Ideallashtirilgan o‘tish VAX dan foydalanib,
yozish mumkin.
|
