|
ma’ruza: Elektronika va sxemalar fani, maqsadi va vazifalari
|
| bet | 5/25 | | Sana | 17.05.2024 | | Hajmi | 70,71 Kb. | | #239465 |
Bog'liq Ma’ruza Elektronika va sxemalar fani, maqsadi va vazifalari Rej-fayllar.org| Fotolitografiya - yarimo‘tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni. Ushbu sohalar kimyoviy yemirishdan himoyalangan bo‘lishi shart. Fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur ta’sirida o‘z xususiyatlarini o‘zgartiruvchi, fotorezist deb ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi.
2.2.-rasm. Fotorezist tuzilmasi
Fotorezist oksidlangan kremniy plastinasi sirtiga surtiladi va kvarts shisha niqob orqali yoritiladi. Niqoblar shaffof va shaffof emas sohalarga ega bo‘lgani uchun fotorezistning ma’lum sohalariga yorug‘lik (ultrabinafsha nur) ta’sir etib, uning xususiyati o‘zgartiriladi. Bunday niqoblar fotoshablonlar deb ataladi.
2.3.-rasm. Fotoshablon tuzilmasi
2.4.-rasm.Yorug‘lik ma’sir etmagan fotorezist olib tashlangan plastina.
2.5.-rasm. Kremniy (SiO2)oksidi yemirilishi
2.6.-rasm. Fotorezistni olib tashlash
IMS tayyorlashda fotolitografiya jarayonidan bir necha marta (5÷7 marta) foydalaniladi (negiz qatlamlar, emitterlar, omik kontaktlar hosil qilishda va x.z.). Bunda har gal o‘ziga xos “rasm”li fotoshablonlar ishlatiladi.
Legirlash - yarimo‘tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni. IMSlar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish hamda zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak. Diffuziya yordamida legirlash butun kristall yuzasi bo‘ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi.
Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi. Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi. Ionlar tokini o‘zgartirib legirlovchi kiritmalar kontsentratsiyasini, energiyasini o‘zgartirib esa – legirlash chuqurligini boshqarish mumkin.
Yemirish - yarimo‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoni.
Yemirish yarimo‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda “darcha”lar ochish va turli ko‘rinishga ega bo‘lgan “chuqurchalar” hosil qilish uchun qo‘llaniladi.
Yarimo‘tkazgich sirtini tozalash va “darcha”lar hosil qilish uchun izotrop yemirishdan foydalaniladi, bunda yarimo‘tkazgich barcha kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab bir xil tezlikda eritiladi.
|
| |
