• Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar
  • IMSlarning belgilanish tizimi




    Download 70,71 Kb.
    bet4/25
    Sana17.05.2024
    Hajmi70,71 Kb.
    #239465
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   25
    Bog'liq
    Ma’ruza Elektronika va sxemalar fani, maqsadi va vazifalari Rej-fayllar.org

    IMSlarning belgilanish tizimi
    • IMSlar 6ta elementdan iborat bo‘lgan belgilanish tizimi yordamida klassifikatsiyalanadi:


    • Birinchi element (K – harfi) – IMS keng ko‘lamda qo‘llanilish uchun mo‘ljallanganligini bildiradi.


    • Eksport uchun mo‘ljallanganlari EK harflari bilan belgilanadi.


    • Ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (A- plastmassali planar, Ye-metall-polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan,


    • I-shishakeramikli planar, B-qobiqsiz va x.z.).


    • Uchinchi element (bitta son) – IMSning konstruktiv-texnologik turini bildiradi (1,5,6,7-yarimo‘tkazgichli, 2,4,8-gibrid, 3-boshqa: pardali, keramik, vakuumli).


    • To‘rtinchi element (ikkita yoki uchta son) – IMS seriyasining tartib raqamini bildiradi. Ikkita son birlalikda-aniq seriya raqamini bildiradi.


    • Beshinchi element (ikkita harf) – IMSning funktsional vazifasini bildiradi.


    • Oltinchi element bir turdagi IMS seriyalari ichidagi ishlanma tartib raqamini bildiradi.




    Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar
    Yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy material bo‘lgan - kremniy monokristal quymalari olishdan boshlanadi (Choxralskiy usuli). Hosil bo‘lgan kremniy quymasi n– yoki r–turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin. Zonali eritish usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi.
    Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
    Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.
    Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000÷1200) 0S temperaturalarda kechadi.

    2.1.-rasm. IMS tuzilmasi



    Download 70,71 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   25




    Download 70,71 Kb.