|
Raqamli Texnalogiyalar Vazirligi Muhammad al-Xorazinjirinmiy nomidagi
|
| bet | 1/10 | | Sana | 25.05.2024 | | Hajmi | 216,83 Kb. | | #254047 |
Bog'liq 619-22 elektronika
Raqamli Texnalogiyalar Vazirligi
Muhammad al-Xorazinjirinmiy nomidagi
Toshkent Axborot Texnalogiyalar Universiteti
Farg`ona filiali
Kompyuter injiniringi yo`nalishi
619-22 guruh talabasi
Ismoilova Muyassarxonning
“Elektronika va sxemalar 2 “
Fanidan tayyorlagan
Mustaqil ishi
Topshirdi: Ismoilova Muyassarxon
Qabul qildi: Joʻrayeva Gulnozaxon
Mavzu: IMS TAYYORLASH TEXNOLOGIYASI. IMS AKTIV VA PASSIV ELEMENTLARI
Reja:
Kirish
IMS tayyorlash texnologiyasi.
IMS aktiv va passiv elementlari
IMS texnalogiyasini ishlash prinspi
Tayyorlov operatsiyalari. Yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy material bo‘lgan - kremniy monokristal quymalari olishdan boshlanadi. Monokristal quymalar hosil qilishning bir qancha usullari mavjud.
Choxralskiy usulida tarkibiga donor yoki akseptor kiritmalar qo‘shilgan o‘ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi. Eritma eritgan monokristal o‘z o‘qi atrofida asta-sekin aylantirilib ko‘tariladi. Monokristal ko‘tarilishi bilan eritma kristallanadi va kremniy monokristali hosil bo‘ladi. Hosil bo‘lgan kremniy quymasi n– yoki p–turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin.
Zonali eritish usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi. Bunda kristallning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristallning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. Kiritmalarning erigan fazada eruvchanligi qattiq holatdagi eruvchanligiga qaraganda katta bo‘lsa, o‘sha kiritmalar suyuq fazaga o‘tib kristallning ikkinchi uchiga siljib boradi, va o‘sha erda to‘planadi. Kiritmalar to‘plangan soha tozalash jarayonlari tugagandan so‘ng kesib tashlanadi.
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristall ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. Asos bunda mustahkamlikni ta’minlash va kristallanayotgan qatlam takrorlashi zarur bo‘lgan kristall panjara sifatida xizmat qiladi. Keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlamda IMSning aktiv va passiv elementlari hosil qilinadi.
Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki p–turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.
|
| |
