|
Маъруза o’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi
|
bet | 46/69 | Sana | 23.05.2024 | Hajmi | 1,78 Mb. | | #251021 |
Bog'liq Маъруза o’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vaz (1)11-rasm. Molekula suyuqlik ichida (a-holat) va suyuqlik sirtida (b-holat)
Demak, suyuqlik sirtini kattalashtirish uchun ish sarf qilish kerak. Suyuqlik sirtini 1 sm2 yoki 1 m2 ga kattalashtirish uchun sarf qilish zarur bo’lgan energiya miqdori shu suyuqlikning sirt tarangligi deyiladi yoki fazalararr chegara sirtning 1 sm2 yoki 1 m2 yuzasiga muvofiq keluvchi erkin energiyaga sirt taranglik deyiladi. Sirt taranglik koeffitsienti – “” bilan ifodalanib, qo’yidagi birliklarda o’lchanishi mumkin:
SI sistemasida jm2nm2nm; SGS sistemasida ergsm2dina*msm2 dinasm; I jm21000 ergsm2nm1000 dinasm.
Sirt taranglik qo’yidagi faktorlarga bog’liq:
1) suyuqlik tabiatiga; molekulararo tortishish kuchi kancha katta bo’lsa, sirt taranglik shuncha katta bo’ladi;
2) temperaturaga; temperatura ortgan sari sirt taranglik kamayadi;
3) ikkinchi faza tabiatiga bog’liq: Antonov qoidasiga ko’ra, ikki suyuqlikning fazalararo sirt tarangligi o’sha suyuklikning havo bilan chegaralangan holatdagi sirt tarangliklari ayirmasiga teng, ya’ni:
suvbenzol suvxavo - benzolxavo
4) erigan modda tabiatiga bog’lik shunga ko’ra erigan moddani 3 turga bo’lish mumkin:
1. Sirt aktiv modda - sirt taranglikni kamaytiruvchi,
2. Sirt befark modda - sirt taranlikni o’zgartirmaydigan,
3. Sirt noaktiv modda - sirt taranglikni oshiradigan modda (12-rasm)
( 1) - sirt-aktiv modda
(2) - sirt-befark modda
(3) - sirt-noaktiv modda
rasm. Sirt taranglikni kontsentratsiya ortishi bilan o’zgarishi.
Dispers sistemalarning sirt xossalarini o’zgartirishda sirt-aktiv moddalarning ahamiyati kattadir. Sirt-aktiv modda “SAM” deb fazalararo chegara sirtda yig’ilib, sirt energiyasini kamaytiruvchi moddalarga aytiladi. Ularga spirtlar, fenol, karbon kislotalar, organik aminlar, sulfokislotalar va boshqalar kiradi. Demak, SAM molekulasi ikki qismdan iborat: gidrofob (organik radikal) va gidrofil qismlardan (kutbli gruppalar). SAM molekulasini qo’yidagi shakl “O ”da belgilash qabul qilingan. Bu shaklning sferik qismi qutbli gruppalarni (gidrofil qismi), to’g’ri chiziqli qismi esa uglevodorod radikalini ifodalaydi. SAM ning sirtga aktivligi uglevodorod radikali uzunligiga bog’liqdir. Dyuklo-Traube qoidasiga ko’ra, uglevodorod radikalida metilen (- SN2 -) gruppani bir birlikka ortishi bilan sirt aktivlik 3 - 3,5 marta ortadi (13-rasm).
a b
rasm. Sirt taranglik (a) va adsorbtsiyaning (b) uglevodorod radikali uzunligiga bog’likligi.
Suyuqlik sirtidagi adsorbtsiya bilan suyuqlikning sirt tarangligi orasidagi miqdoriy bog’lanishni ifodalash uchun 1876 yilda V.Gibbs o’zining qo’yidagi tenglamasini taklif etgan:
tenglamada: G - erigan moddaning suyuqlik sirt birligaga yig’ilgan miqdori, ya’ni adsorbtsiya, S - eritma kontsentratsiyasi, R - gaz doimiysi, T - absolyut temperatura, ddC - kontsentratsiya o’zgarishi bilan sirt taranglikning o’zgarishi. Bu kattalik sirt aktivlik deb ataladi:
q-ddC
Eritma kontsentratsiyasi ortishi bilan sirt taranglik kamaysa, ya’ni ddC manfiy bo’lsa, adsorbtsiya musbat qiymatga ega bo’ladi. Agar eritma kontsentratsiyasi ortishi bilan suyuqlikning sirt tarangligi ko’paysa, ddC musbat qiymatga ega bo’lib, adsorbtsiya sodir bo’lmaydi.
Tajribada sirt-aktiv moddaning turli kontsentratsiyali eritmalari uchun sirt taranglik o’lchanib, olingan natijalar asosida f (S) sirt taranglik izotermasi tuziladi. Sirt taranglik izotermasi asosida adsorbtsiya izotermasini tuzish mumkin. Buning uchun sirt taranglik egrisining ixtiyoriy nuktalaridan ordinata o’ki bilan kesishguncha urunmalar o’tkazamiz. Shu nuqtalardan abtsissa o’qiga tik chiziklar tushiramiz va z1, z2, z3... kesmalarni topamiz (14-rasm). Topilgan z-larning qiymatidan foydalanib Gibbs tenglamasini soddalashtiramiz. AVD uchburchakdan, z va s larning qiymatlarini belgilab olamiz.
14-rasm. Sirt taranglik (1) va adsorbtsiya (2) izotermalari
Bu tenglamadan har qaysi kontsentratsiyaga muvofik, keluvchi adsorbtsiya qiymati topiladi.
|
| |