|
Mavzu: Bipolyar Tranzistorlarning tuzulishi
|
| bet | 4/8 | | Sana | 18.05.2023 | | Hajmi | 67 Kb. | | #61464 |
Bog'liq Bipolyar Tranzistorlarning tuzulishi. Bipolyar turlari ishlashi statik haraktersitikalari va parametrlar JIZZAX VILOYATIDAGI SELLAR VA ULARDAN SAMARALI FOYDALANISH, 3. PUXTALIK KO\'RSATKICHLARNING TARQOQLIGI STATISTIK SINOVLAR USULI, Transformatorlar va ularning ishlash prinsipi, MATEM, 60110500 – Boshlang‘ich ta’lim (KUNDUZGI), Abdullo Fayzullayev, 5-Ma\'ruza, АТБ Қишлоқ, ми электроника амалий, 2 mustaqil ish, Mahsulot ishlab chiqarish va sotish hisobi Reja Kirish Asosiy q, Fayllarni arxivlash jarayoni, 6 -mavzu. Matn va uning turlari. Mikro matn va makro matn. Reja-fayllar.org, 8-MARCH 2.Tranzistor turlari:
Tranzistor uchta sohadan iborat yarimo‘tkazgichli asbob. Uning tuzilishi keltirilgan. O‘rta qismi baza deb atalib, aralashma konsentratsiyasi chetki qismlariga nisbatan kam va yupqa bo‘ladi. Baza qalinligi LB, elektron yoki kovakning rekombinatsiyalashgunga qadar yugurib o‘tgan masofasi LD ga nisbatan kichik. LB < LD bo‘lsa, yupqa baza deb yuritiladi. LD shuningdek, diffuziya siljish uzunligi deb ham ataladi. Chetki qismlaridan biri emitter, ikkinchisi kollektor deb ataladi. Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi, in’eksiya, ya’ni injeksiyalanadi degan ma’noni anglatadi. Mana shu xususiyati bilan elektron lampadagi katoddan termoelektron emissiya hodisasi tufayli elektronlar hosil bo‘lishi orasidagi farq tushuntiriladi. Tranzistor va vakuumli triod ishlash prinsipi jixitidan ham farq qiladi. Triodda to‘rga kuchlanish berilmasa ham, anod toki hosil bo‘ladi. Tranzistorda esa baza toki bo‘lmasa, kolektor toki ham bo‘lmaydi. ko‘rsatilgan tranzistor diskret tranzistor deb ataladi. Bu tranzistorda r-p o‘tishlar yarimo‘tkazgichli plastinaning qarama- qarshi tomonlarida joylashgan. O‘tishlari bir tomonga joylashgan tranzistorlar ham mavjud. Bunday tranzistorlar integral tranzistorlar deb ataladi. Emitter sohasida aralashma miqdori ko‘proq bo‘ladi. Kolektor zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash (sug‘urib olish) vazifasini bajaradi. Tranzistorning bazasi p yoki r o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lishi mumkin. Shunga ko‘ra chetki qismlari r yoki p o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Demak, tranzistor r-p-r yoki p-r-p strukturali bo‘ladi. Tarnzistorda ikkita r-p o‘tish mavjud. Buni hisobga olgan holda tranzistorni ketma- ket ulangan ikkita bog‘langan diod sifatida qarash mumkin Uning chetki uchlariga (evitter- kollektorga ) kuchlanish ulanganda r-p o‘tishlarning biri to‘g‘ri o‘tish bo‘lsa, ikkinchisida teskari bo‘lganligidan xar ikkala yo‘nalishda ham sistemadan tok o‘tmaydi. Kirish diodiga to‘g‘ri, chiqish diodiga esa to‘g‘ri kuchlanishga nisbatan bir necha marta katta bo‘lgan teskari kuchlanish beriladi. Bunda to‘g‘ri kuchlanish juda kichik bo‘lsa ham emitterdan bazaga kiritilayotgan zaryad tashuvchilarning soni ancha ko‘p bo‘ladi. Ba’zan kiritilgan zaryad tashuvchilarning ko‘pgina qismi diffuziya natijasida kollektorga o‘tadi, qolgan qismi esa bazadagi zaryad tashuvchilar bilan qo‘shilib o‘z zaryadlarini yo‘qotadi. Kollektorga o‘tib olgan zaryad tashuvchilar uning o‘tkazuvchanligini va kuchli elektr maydoni ta’sirida kolektor zanjiridagi tokning qiymatini ancha oshiradi. Shunga ko‘ra kollektordagi tok emitter tokiga proporsional ravishda o‘zgarib, qiymat jihatdan unga taxminan teng bo‘ladi. Tranzistorlarning asosiy ko‘rsatkichlaridan biri tok kuchaytirish koeffitsienti bo‘lib, quyidagicha ifodalanadi: Tranzistorlar uch hil ulanadi: umumiy baza (UB) bo‘yicha ulash, umumiy kollektor (UK) bo‘yicha ulash, umumiy emitter (UE) bo‘yicha ulash.Tranzistorlarni UE bo‘yicha ulanganda quvvat bo‘yicha eng katta kuchaytirish koeffitsienti olinadi. Shu sababli amalda umumiy emitter sxemalar qo‘llaniladi. Hozirgi vaqtda tranzistorlar turli asboblarda ko‘p ishlatiladi. Dastlab elektron lampalarda ishlaydigan turli murakkab apparatlar endilikda esa tranzistorlarda ishlamoqda.
Maydonli tranzistorlar:
Tranzistorlar tuzilishiga karab kuyidagi turlarga bo‘linadi. a) bipolyar tranzistorlar b) unipolyar yoki maydonli tranzistorlar v) zatvori izolyatsiyalanagan maydonli tranzistorlar Maydonli tranzistorlarda chikish toki kirish kuchlanishi bilan boshkarib turiladi. Bipolyar tranzistorlarda ikki xil-asosiy va asosiy bulmagan zaryadlar muxim rol uynasa, maydonli tranzistorlada tok asosiy tok tashuvchilar yordamida hosil kilinadi. Shu sababli ular unipolyar tranzistorlar deb yuritiladi. Bipolyar tranzistorlada chikish toki baza yoki emitterning kirish toki bilan boshkariladi. Maydonli tranzistorlarda tokni boshkarish elektr maydoni vositasida amalga oshiriladi. Shu sababli ularning kirish karshiligi juda katta bo‘ladi: Maydonli tranzistorlar n-yoki r-o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan kristalldan tayyorlanadi. Kristallning qarama-qarshi tomonlaridan ulanish uchlari chiqarilib, ulardan biri istok (buloq), ikkinchisi stok (o‘pkon) deb ataladi. Istok va stok oralig‘iga diffuziya yo‘li bilan r-tur kristallga yupqa n-soxa, n-tur kristallda r-soxa hosil kilinadi. Natijada kristalning shu kismida r-n o‘tish yuzaga keladi ,Bu soxaga ulanish uchlari biriktirilib, unga turli ishorali kuchlanish beriladi. Kuchlanishning ishorasiga qarab, istok va stok oralig‘idagi kanalning qarshiligi o‘zgarib turadi Shu sababli bu uchinchi elektrd zatvor deb ataladi va u tranzistorda boshqaruvchi elektrod vazifasini bajaradi. Keyingi yillarda maydonli tranzistorlar ikki zatvorli kilib chikarilmokda Ikkinchi zatvor birinchi zatvorga ulab qo‘yiladi va u kanalni pastki tomondan cheklaydi.
|
| |
