230
АРСЕНИД ГАЛЛИЙЛИ АФН – ЭЛЕМЕНТЛАР
Нурдинова Розияхон Абдухаликовна
доцент Ферганского филиала ТУИТ имени Мухаммада ал-Хоразмий
Райимжонова Одинахон Содиқовна
Мухаммад ал-Хоразмий номидаги ТАТУ Фарғона филиали доценти
Эргашев Шоҳбозжон Умарали ўғли
ассистент Ферганского филиала ТУИТ им. Мухаммада ал-Хоразмий
Тошпулатов Шерали Мухаммадалиевич
ассистент Ферганского филиала ТУИТ им. Мухаммада ал-Хоразмий
Арсенид галлий оптронлар учун қулай фото қабул қилгич ҳамда
ёруғлик манбаси ясашда ишлатиладиган яримўтказгич материал
ҳисобланади. Унинг кристалидан ҳам, юпқа пардаларидан ҳам
фотоэлектрик ўзгартиргичларда фойдаланиш мумкин. Арсенид галлийдан
ясалган генератор типидаги кристалл ёки парда кўринишидаги
фотоэлектрик ўзгартиргичлардан оптоэлектроникада фойдаланилса,
оптронлар автоном мустақил ички энергия ҳисобига ишловчи, юқори
самарадор оптоэлектрон қурилмалар ясашга асос бўлади [1]. Агар
фотоэлектрик ўзгартиргич сифатида арсенид галлийли АФН - элементдан
фойдаланилса, оптроннинг самарадорлиги ва имкониятлари янада ортади
[2]. Арсенид галлийнинг кристалини ҳамда юпқа пардаларини ҳам қулай
рекомбинация ва генерация жараёнларини танлаб, оптоэлектроника учун
фотогенератор ёки фото қабул қилгич (фотоэлектрик ўзгартиргич)
сифатида ишлатиш мумкин [3]. Фундаментал ютилиш чеккаларида
ютилиш коэффиценти кескин ортиб 10
х
см
-1
қийматга етади, кейин
фотонлар энергияси (nV) ортиши билан секин - аста ортишда давом этади.
Бу ҳолат GaAs дан қисқа тўлқинлар (0,24 мкм) соҳасида ҳам фаол
фотоўзгартиргичлар тайёрлаш мумкинлигини кўрсатади. Мазкур ишда
GaAs дан АФН - элемент тайёрлаб, унинг вольт - ампер
характеристикалари ва люкс - вольт характеристикаларини ўрганишдан
олинган натижалар тахлил қилинади.
Oliy va o‘rta ta’lim tizimida pedagogik – psixologik muammolarning zamonaviy yechimlari
Международная научно-техническая конференция «Практическое применение технических и
цифровых технологий и их инновационных решений», ТАТУФФ, Фергана, 4 мая 2023 г.
231
АФН - элемент тайёрлаш ишлатиладиган GaAs юпқа пардаларини
махсус ишлаб чиқилган технология бўйича вакуумда GaAs ни буғлантириб
ўтқазиш йўли билан олинади [5]. Материални буғлантириб, диэлектрик
тагликга
ўтқазиш
учун
махсус
тайёрланган
буғлатгичлардан
фойдаланилади [6]. Юпқа GaAs пардаларини тайёрлашда унинг қай
мақсадда ишлатилишига қараб, аниқ оптимал режим топиш керак.
Арсенид галлий АФН - элемент учун асосий технологик параметрлар
сифатида вакуум камерадаги босим, таглик ҳарорати, малекуляр оқимнинг
тагликга қиялатиб ўтказиш бурчаги ҳисобланади. Таглик сифатида шиша,
кварц, слюда ва бошқалардан фойдаланилган. Буғлатгич алюмин оксиддан
ясалган. Парда тайёрлашнинг оптимал технологик параметрлари сифатида,
босим 10
5
тор, таглик ҳарорати 100
0
С, ўтқазиш бурчаги 40
0
ва парда
қалинлиги 0,2 ÷ 0,3 мкм қийматлар танланган. Мазкур технологик
параметрларда тайёрланган АФН - элементлар 5·10
4
лк ёритилганликда 400
вольтгача аномал юқори фотокучланиш ҳосил қилган. Юпқа пардани
ўтказиш жараёнида буғлатгич (Al
2
О
3
) ҳарорати 750
0
С атрофида бўлган
АФН - элемент юпқа пардаларининг ёруғлик тушмаган (қоронғуликдаги)
ҳолатдаги қаршилиги 5·10
12
Ом бўлган электрон микроскопик
текширишлар негизида GaAs юпқа пардалари поликристалл тузилишга эга
бўлиб, супер кўп сондаги кетма - кет жойлашган микрозаррачалар
(кристалит) қаторидан ташкил топганлиги аниқланган (1-расм).
Бундай кўп сонли тизимларни назарий жиҳатдан тахлил қилиш учун
Принс - Кумерровнинг бирлашган модели негизида АФН - элемент юпқа
пардаси муқобил фотоэлектрик схема билан алмаштирилди [7]. Муқобил
фотоэлектрик схема учун тузилган тенгламалар тизимини биргаликда
ечиб, система вольт - ампер характеристикаси учун ток ва кучланиш
боғланиши топилади. GaAs АФН - элементнинг юпқа пардаси учун
ёритилмаган ҳолатга мос боғланиш 2-расмда кўрсатилган. Вольт - ампер
боғланиш (ВАХ) учун топилган назарий графиклар координата бошига
нисбатан симметрик бўлиб, у асосан уч қисмдан иборат. Бошланғич
Современные решения проблем системы высшего, среднего образования и их решения
Международная научно-техническая конференция «Практическое применение технических и
цифровых технологий и их инновационных решений», ТАТУФФ, Фергана, 4 мая 2023 г.
|
