Oliy va o‘rta ta’lim tizimida pedagogik – psixologik muammolarning zamonaviy yechimlari
Международная научно-техническая конференция «Практическое применение технических и
цифровых технологий и их инновационных решений», ТАТУФФ, Фергана, 4 мая 2023 г.
235
улушда бўлишини кўрсатади. Замонавий АФН - эффект назарияси супер
кўп қатламли бир жинсли эмасликлар занжири негизида қурилган [7]. Унга
мувофиқ
АФН
-
элементнинг
ёритилгандаги
ВАХ
ёруғлик
интенсивлигининг етарли катта қийматларида
кўринишга келади.
Бу ерда
хад V=0 (қисқа туташув) ҳолатдан топилган
тажрибадаги қийматга мос келади. Қўшни микроўтишлардаги тўйиниш
токи I
s
≈ ƞαβ токи бўлиб, ƞ ва α - коэффицентлар микроўтишларнинг
фотосезгирлигини характерлаб, ёруғлик тўлқин узунлиги, ютилиш
коэффиценти, парда қалинлиги, диффузия йўли узунлиги каби оптик ва
структуравий катталикларга боғлиқ. Характеристика координата бошидан
ўтмаслиги, структура топологияси воситасида ҳосил бўладиган электрет
ҳолат билан боғлиқ бўлиши керак.
ХУЛОСА
GaAs АФН - элементларида аномал юқори фото кучланиш,
фотомагнит кучланиш ва ички технологик электрет ҳолат мавжуд. Вольт -
ампер боғланиши воситасида структурада супер кўп қаватли бир жинсли
эмасликлар занжирида n - n
+
ва p - p
+
контактлар кўринишидаги ўтишлар
мавжудлиги аниқланган. Реал структураларда ўтишлар орасида ўзаро
таъсир мавжуд эмас.
