Muhammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnalogiyalari universiteti




Download 285,07 Kb.
Pdf ko'rish
Sana17.12.2023
Hajmi285,07 Kb.
#121590
Bog'liq
5-mustaqil ish



Muhammad al-Xorazmiy nomidagi 
Toshkent axborot texnalogiyalari universiteti 
Qarshi filiali “Kompyuter injiniringi” Fakulteti 
KI-11-21S guruh talabasi Qudratov Shavkat 
RAQAMLI QURILMALARNI LOYIHALASH
5-MUSTAQIL ISH


Reja; 
1.RAQAMLI QURILMALARINI LOYIHALASHTIRISH USULLARI 
2.RAQAMLI QURILMALARNI PILATALARGA JOYLASHTIRISH 
Zamonaviy axborot va kommunikatsiya texnologiyalari raqamli 
mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirishni keng qo‘llanishini talab 
qiladi. Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish fani 
dasturi axborot va kommunikatsiya texnologiyalariga uchun 
zarur bo‘lgan raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirishni: 
mantiqiy elementlar, kombinatsion turdagi funktsional 
qurilmalar, ketma-ket turdagi funktsional qurilmalar, xotira 
qurilmalar, raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashni istiqbolli 
yo‘nalishlari bo‘yicha boshlang‘ich tushunchalar va ularning 
amaliy tatbiqlaridan tashkil topgan. 
Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratildi. IMSlarning hajmi ixcham, 
og‘irligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori bo‘lib, 
hozirgi kunda uch konstruktiv texnologik variantlarda 
yaratilmoqda: qalin va yupqa pardali, yarimo‘tkazgichli va 
gibrid. 
1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Mur 
qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy 
IMSlardagi elementlar soni ikkimarta ortmoqda. Hozirgi kunda 
elementlar soni 106÷109 ta bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS) va giga 
yuqori (GYUIS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda. 
Raqamli (mantiqiy) elektron qurilmalar turli belgilariga ko‘ra 
sinflanishlari mumkin. Ishlash printsipiga ko‘ra barcha MElar ikki 
sinfga bo‘linadilar: kombinatsion va ketma-ketli. 


Kombinatsion qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish 
signallari kirish o‘zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan 
belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo‘lgan, xotirasiz 
mantiqiy qurilmalarga aytiladi. Kombinatsion qurilmalar HAM-
EMAS, VA-EMAS, YOKI-EMAS va boshqa alohida elementlar
yordamida, yoki o‘rta ISlar, yoki katta va o‘ta katta IS tarkibiga 
kiruvchi ISlar ko‘rinishda tayyorlanadi. 
Ketma – ketli qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish 
signallari kirish o‘zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan 
belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni 
kirish o‘zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, 
xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi. Ketma – ketli 
qurilmalarga triggerlar, registrlar, schetchiklar misol bo‘la oladi. 
Ikkilik axborotni ifodalash usuliga ko‘ra qurilmalar potentsial 
va impuls raqamli qurilmalarga bo‘linadi. Potentsial raqamli 
qurilmalarda mantiqiy 0 va mantiqiy 1 qiymatlariga elektr 
potentsiallarning umuman bir – biridan farqlanuvchi: yuqori va 
past sathlari belgilanadi. Impuls raqamli qurilmalarda mantiqiy 
signal qiymatlariga (0 yoki 1) impulslar sxemasi chiqishida 
ma’lum davomiylik va amplitudaga ega bo‘lgan impulsning 
mavjudligi, ikkinchi holatiga esa – impulsning yo‘qligi to‘g‘ri 
keladi. 
Raqamli texnikada ikkita holatga ega bo‘lgan, nol va bir yoki 
«rost» va «yolg‘on» so‘zlari bilan ifodalanadigan sxemalar 
qo‘llaniladi. Biror sonlarni qayta ishlash yoki eslab qolish talab 
qilinsa, ular bir va nollarning ma’lum kombinatsiyasi 
ko‘rinishida ifodalanadi. U holda raqamli qurilmalar ishini 
ta’riflash uchun maxsus matematik apparat lozim bo‘ladi. 
Bunday matematik apparat Bul algebrasi yoki Bul mantiqi deb 


ataladi. U mashxur matematik Irland olimi D. Bul ishlab 
chiqqan. 
Mantiq algebrasi «rost» va «yolg‘on» – ko‘rinishdagi ikkita 
mantiq bilan ishlaydi. Bu shart «uchinchisi bo‘lishi mumkin 
emas» qonuni deb ataladi. Ushbu tushunchalarni ikkilik sanoq 
tizimidagi raqamlar bilan bog‘lash uchun «rost» ifodani 1 
(mantiqiy bir) belgisi bilan, «yolg‘on» ifodani 0 (mantiqiy nol) 
belgisi bilan belgilab olamiz. Ular Bul algebrasi konstantalari 
deb ataladi. 
Umumiy holda, mantiqiy ifodalar har biri 0 yoki 1 qiymat 
oluvchi x1, x2, x3, …xn mantiqiy o‘zgaruvchilar 
(argumentlar)ning funktsiyasi hisoblanadi. Agar mantiqiy 
o‘zgaruvchilar soni n bo‘lsa, u holda 0 va 1lar yordamida 2n ta 
kombinatsiya hosil qilish mumkin. Masalan, n=1 bo‘lsa: x=0 va 
x=1; n=2 bo‘lsa: x1x2=00,01,10,11 bo‘ladi. Har bir 
o‘zgaruvchilar majmui uchun
u 0 yoki 1 qiymat olishi mumkin. Shuning uchun n ta 
o‘zgaruvchini 22n ta turli mantiqiy funktsiyalarga o‘zgartirish 
mumkin, masalan, n=2 bo‘lsa 16, n=3 bo‘lsa 256, n=4 bo‘lsa 
65536 funktsiya. 
n o‘zgaruvchining ruxsat etilgan barcha mantiqiy 
funktsiyalarini uchta asosiy amal yordamida hosil qilish 
mumkin: 

Mantiqiy inkor (inversiya, EMAS amali), mos o‘zgaruvchi 
ustiga «–»belgi qo‘yish bilan amalga oshiriladi; 

Mantiqiy qo‘shish (diz’yunktsiya, YOKI amali), «+» belgi 
qo‘yish bilanamalga oshiriladi; 



Mantiqiy ko‘paytirish(kon’yunktsiya, HAM amali), «·» belgi 
qo‘yishbilan amalga oshiriladi. 
Ifodalar ekvivalentligini ifodalash uchun «=» belgisi qo‘yiladi. 
Mantiqiy funktsiyalar va amallar turli ifodalanish
shakllariga ega bo‘lishlari mumkin: algebraik, jadval, so‘z bilan 
va shartli grafik (sxemalarda). Mantiqiy funktsiyalarni berish
uchun mumkin bo‘lgan argumentlar majmuidan talab
qilinayotgan mantiqiy funktsiya qiymatini berish yetarli. 
Funktsiya qiymatlarini ifodalovchi jadval haqiqiylik jadvali deb 
ataladi. Ikki o‘zgaruvchi uchun to‘liq mantiqiy funktsiyalar
majmui keltirilgan. 
Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyhalashni istiqbolli 
Turli maqsadlarga xizmat qiluvchi zamonaviy elektron 
qurilmalarda yuzaga montaj qilish uchun Surface Mounting 
Details (SMD) komponentalar qo‘llaniladi.Bu texnologiya qator 
afzalliklarga ega bo‘lib: 

Mahsulotlarni avtomatik usulda yig‘ish, yig‘malarning 
yuqori sifatliligini va ishonchliligini ta’minlaydi; 

Yig‘ish jarayoniga ketadigan vaqtni kamaytirish imkonini 
beradi. 
SMD texnologiyasi tufayli bosma platalar o‘lchamlari va mos 
ravishda ularni tayyorlash narhi 1,5-3 marta kamaydi. Bu SMD 
komponentalar narhining pastligi bilan birgalikda mahsulot 
tannarhining arzonlashuviga olib keldi. Ishlab chiqaruvchilarda 
montajning boshqa usullari bilan o‘rnatilishi murakkab bo‘lgan 
ixtiyoriy kelishilgan o‘lchamlardagi (eng kichik o‘lchamlar bilan 
birgalikda kichik qadamlarni e’tiborga olgan holda) 


komponentlardan foydalanish imkoniyati paydo bo‘ldi. Qutbli 
elementlarni noto‘g‘ri o‘rnatilishi va yanglish nominaldagi 
komponentalar o‘rnatilishi bilan bog‘liq muammo mutlaqo 
yo‘qoldi. 
SMD – komponentalar bosma platalar yo‘lakchalariga 
to‘g‘ridan – to‘g‘ri kavsharlanadi. 
Yuzaga montaj qilish texnologiyasida tayyorlangan 
Texnologik jarayonning moslashtiriluvchanligi va ishlab 
chiqarish liniyasini boshqa mahsulot ishlab chiqarishga qayta 
qurish tezligining kattaligi, xatto kam miqdordagi platalarni 
liniyalarda yig‘ishni maqsadga muvofiq qilib qo‘ydi. 
Past temperaturali keramika texnologiyasi Low Temperature 
Co-firedCeramics (LTCC) hozirgi kunda tez rivojlanmoqda va 
turli sohalardafoydalanish uchun, masalan, past va o‘rta 
integratsiya darajasidagi yuqori va o‘ta yuqori chastotalarda 
ishlovchi mikrosxemalarda qo‘llanilmoqda. Nisbatan past 
chastotali sohada LTCC asosda GSM, CDMA, TDMA va 
Bluetooth qo‘llanishlar uchun qurilmalar tayyorlanmoqda, 
millimetrli to‘lqin sohasida esa MMDS va LMDS qo‘llanishlar 
keng tarqalmoqda. Ushbu texnologiya elektron sanoat sohasida 


elektron qurilmalarni tijorat va harbiylar uchun ommaviy ishlab 
chiqarishda arzon yechimni ta’minlamoqda. 
Mikroelektronika o‘zining yarim asrlik tarixi davomida IMSlar 
elementlari o‘lchamlarini kamaytirish yo‘lida Mur qonuniga 
muvofiq rivojlanmoqda.1999 yilda mikroelektronika texnologik 
ajratishning 100 nmlidovonini yengib nanoelektronikaga 
aylandi.Hozirgi vaqtda 45 nmli texnologik jarayon keng 
tarqalgan.Bu jarayon optik litografiyaga asoslanishini aytib 
o‘tamiz. 
Mikroelektron qurilmalar (IMSlar) yaratishning ananaviy, 
planar jarayon kabi, usullari yaqin 10 yillik ichida iqtisodiy, 
texnologik va intellektual chegaraga kelib qolishi mumkin, 
bunda qurilmalar o‘lchamlarini kamaytirish va ularni tuzilish 
murakkabligining oshishi bilan harajatlarning eksponentsial 
oshishi kuzatiladi. Muammoni nanotexnologiyalar usullarini 
qo‘llagan holda yangi sifat darajasida yechishga to‘g‘ri keladi. 
MDYA tranzistorlarda zatvorosti dielektrigi ananaviy ra-vishda 
SiO2 ishlatiladi, 45nm o‘lchamli texnologiyaga o‘tilganda 
dielektrik qalinligi 1nmdan kichik bo‘ladi. Bunda zatvor osti 
orqali sizilish toki ortadi.Kristalning 1sm2 yuzasida energiya 
ajralish 1kVtga yetadi. Yupqa dielektrik orqali tok oqish 
muammosi SiO2ni dielektrik singdiruvchanlik koeffitsienti ε 
katta boshqa dielektriklarga, masalan ε ~20÷25 bo‘lgan gafniy 
yoki tsirkoniy oksidlariga almashtirish yo‘li bilan xal etiladi. 
Kelgusida tranzistor kanali uzunligi 5 nmgacha 
kamaytirilganda, tranzistordagi kvant hodisalar uning 
xarakteristikalariga katta ta’sir ko‘rsata boshlaydi va xususan, 
stok – istok orasidagi tunnellashuv toki 1 sm2 yuzada 
ajraladigan energiyani 1 kVt ga yetkazadi.Planar 
texnologiyaning zamonaviy protsessorlar, xotira qurilmalari va 


boshqa raqamli IMSlar hosil qilishdagi yutuqlari o‘lchamlari 
90nm, 45nm va hatto 28nmni tashkil etuvchi IMSlar ishchi 
elementlarini hosil qilish imkonini yaratganligi bugungi kunda 
ko‘pchilik tadqiqotchilar tomonidan nanotexnologiyalarning 
qo‘llanilish natijasidek qaralmoqdaligini aytib o‘tamiz. Bu 
mavjud ISO/TK 229 nuqtai nazaridan to‘g‘ri. Lekin planar 
jarayon bi-rinchi IMSlar paydo bo‘lishi bilan, o‘tgan asrning 60-
yillarida hech qanday nanotexnologiyalar mavjud bo‘lmagan 
vaqtda paydo bo‘ldi va shundan beri printsipial o‘zgargani yo‘q. 
1999-yildan boshlab fazoviy koordinatalarning biri bo‘ylab 
tranzistorning o‘lchami bir necha o‘n nmga (1 nm=10-9m) 
kamaydi, ya’ni mikroelektronika o‘rniga nanoelektronika keldi. 
Ta’riflar-ning bittasiga muvofiq nanoelektronika o‘lchamlari 
0,1÷100 nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich tuzilmalar 
elektronikasidir. 
Yarimo‘tkazgich IMSlar analog mikroelektron apparatlar 
hisoblash texnikasi tizimlari va qurilmalarining element bazasini 
tashkil etadi. Mikroelektronika rivojining asosiy tendentsiyasi 
integratsiya darajasini Mur qonuniga muvofiq orttirishdan 
iborat.Integratsiya darajasini oshirishning bitta yo‘li tranzistor 
tuzilmalarning o‘lchamlarini kichiklashtirishdan iborat. 

Download 285,07 Kb.




Download 285,07 Kb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Muhammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnalogiyalari universiteti

Download 285,07 Kb.
Pdf ko'rish