• IMS optronlarni tadqiq etish.
  • Raqamli IMESlar kllasifikatsiyasi,markalanishi va sxemalarda shartli belgilanishi.
  • Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti farg’ona filiali “kompyuter injiniring” fakulteti




    Download 0,59 Mb.
    bet2/3
    Sana15.05.2024
    Hajmi0,59 Mb.
    #234514
    1   2   3
    Bog'liq
    elektronika mustaqil ishi

    Kuchaytirgich deb, manba energiyasini kirish signali qonuniyatiga mos ravishda chiqish signali energiyasiga o‘zgartiruvchi qurilmaga aytiladi.
    Kuchaytirishni ta’minlash uchun ideal kuchaytirgich o‘z tarkibida kirish signali ta’sirida qarshiligini chiziqli o‘zgartuvchi elementga ega bo‘lishi zarur.
    Lekin hozirgi kungacha qarshiligini chiziqli o‘zgartuvchi kuchaytirgich elementlar mavjud emas. Shuning uchun kuchaytirishni amalga oshirishi mumkin bo‘lgan boshqariluvchi element sifatida BT va MTlar ishlatiladi. Nochiziqli Qarshilik qiymati tranzistorning ulanish usuli, boshqaruvchi signal qiymati va ishorasiga bog‘liq bo‘ladi. Tranzistorlarning asosiy kamchiliklari bo‘lib VAXining nochiziqligi va temperaturaga bog‘liqligi hisoblanadi.
    a) b)

    IMS optronlarni tadqiq etish.
    Optronlar ishlashini va parametrlarini o‘lchash uslublarini o‘rganish.
    Optronlar – funksional elektronikaning zamonaviy yo‘nalishlaridan biri – optoelektronikaning asosiy struktura elementi hisoblanadi.
    Eng sodda diodli optron (1. a – rasm) uchta elementdan tashkil topgan:
    fotonurlatgich 1, nur o‘tkazgich 2 va foto qabul qilgich 3 bo‘lib, yorug‘lik nuri tushmaydigan germetik korpusga joylashtirilgan. Kirishga elektr signali berilsa fotonurlatgich qo‘zg‘otiladi. Yorug‘lik nuri nur o‘tkazgich orqali foto qabul qilgichga tushadi va unda chiqish elektr signali yuzaga keladi. Optronning asosiy xususiyati shundaki, undagi elementlar o‘zaro nur orqali bog‘langan bo‘lib, kirish bilan chiqishlar esa elektr jihatdan bir – biridan ajratilgan. SHu xususiyatidan kelib chiqqan holda, YUqori kuchlanishli va past kuchlanishli zanjirlar bir – biri bilan oson muvofiqlashtiriladi. Diodli optronning shartli belgisi 1. b – rasmda, uning konstruksiyasi esa 1. v – rasmda keltirilgan.

    a) b)

    v)
    Raqamli IMESlar kllasifikatsiyasi,markalanishi va sxemalarda shartli belgilanishi.
    IMS tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlari, ularning topologiyasi bilan tanishish va IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqish. Qisqacha nazariy ma’lumot: Elektronika o‘zining yarim asrlik tarixi davomida IMSlar elementlari o‘lchamlarini kamaytirish yo‘lida rivojlanmoqda. 1999 yilda mikroelektronika texnologik ajratishning 100 nmli dovonini engib nanoelektronikaga aylandi. Hozirgi vaqtda 45 nmli texnologik jarayon keng tarqalgan. Bu jarayon optik litografiyaga
    asoslanishini aytib o‘tamiz.
    Mikroelektron qurilmalar (IMSlar) yaratishning ananaviy, planar jarayon kabi, usullari yaqin 10 yillik ichida iqtisodiy, texnologik va intellektual chegaraga kelib qolishi mumkin, bunda qurilmalar o‘lchamlarini kamaytirish va ularni tuzilish murakkabligining oshishi bilan harajatlarning eksponensial oshishi kuzatiladi. Muammoni nanotexnologiyalar usullarini qo‘llagan holda yangi sifat darajasida echishga to‘g‘ri keladi. 1. Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar. ta listga IMS tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlarini yozish va rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash.
    Laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.
    Laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ish va ishlatib ko‘rsatish.
    Programmasini tuzish IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqish va berilgan IMSlar majmuidagi har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika berish: funksional vazifasi, texnologiyasining turi, qo‘llanish sohasi, asosiy parametrlari. Namoyish qiluvchi maket va ko‘rgazmali qurollar bilan tanishib chiqing. Berilgan majmuadagi IMSning nomini, turining klassifikatsiyasini va har bir IMS turkumini aniqlang.
    Ma’lumotnomadan foydalanib o‘rganilayotgan IMSga xarakteristika bering: bajaradigan vazifasi, qo‘llanio‘sohasi, asosiy elektr parametrlari. IMS tayyorlash asosiy bosqichlaridan






    Download 0,59 Mb.
    1   2   3




    Download 0,59 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti farg’ona filiali “kompyuter injiniring” fakulteti

    Download 0,59 Mb.