Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro
atama — BJT,
Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli
texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar
bipolyar tranzistorlarni
siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada
keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid
koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun
William Shockley
,
John
Bardeen
va
Walter
Brattain
fizika boʻyicha
Nobel mukofoti
bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan
arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib
chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati
tufayli,
elektromagnit rele
va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan
oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar
va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy
pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
Maydoniy tranzistor yoki unipolyar tranzistorlarning yaratilishi
avstriya-
vengriyalik
fizik
Yuliy Edgar Lilienfild
nomi bilan bogʻliq. U tokni boshqarishning
yangi yoʻlini taklif qilgan. U taklif qilgan usulga koʻra, tok uzatish yoʻli boʻylab
unga koʻndalang elektr maydon qoʻyiladi. Bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga
taʼsir qilib, oʻtkazuvchanlikning yoʻnalishini oʻzgartiradi. Ushbu kashfiyot
uchun
Kanada
(
1925-yil
22-oktabrda
) va
Germaniyada
(
1928-yilda
) patent olgan.
1934-yilda nemis fizigi
Oskar Xayl
ham
Buyuk Britaniyada
ixtiro qilgan „kontaktsiz
rele“si uchun patent olgan. Maydoniy tranzistorlar sodda
elektrostatik effektga
asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy
boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun
juda koʻp vaqt ketdi.
1920-yilda patentlangan va hozirda kompyuter sanoatining asosini tashkil etadigan
birinchi MDS maydoniy tranzistor birinchi boʻlib 1960-yilda amerikalik
olimlar
Kang
va
Atallaning
ishidan soʻng yaratilgan boʻlib, ular kremniy sirtini
oksidlash orqali uning sirtida dielektrikining kremniy dioksidining juda
yupqa
qatlamini hosil qilishni taklif qildilar. Bu qatlam oʻtkazgich kanalidan metall
zatvorni izolyatsiya qilish vazifasini bajarardi. Bunday bunday tuzilishga MOS
strukturasi deyiladi (Metall-oksid-yarim oʻtkazgich, inglizcha metall-oxide-
semiconductor).
XX asrning 90-yillaridan boshlab esa MOS-struktura bipolyar tranzistorlardan
yetakchilikni tortib oldi.
