|
Zamonaviy elektronika elementlarini tigel yordamida ostirish usullari
|
| bet | 12/20 | | Sana | 15.07.2024 | | Hajmi | 2,12 Mb. | | #267675 |
Bog'liq mustaqil ish (no41)Zamonaviy elektronika elementlarini tigel yordamida ostirish usullari
Ostirish usullari kop bolib ulardan asosiylari jumlasiga quyidagilar kiradi.
Toza moddalardan va legirlangan kirishmali ota toyingan eritmalardan ostirish.
Eritmalardan ostirish.
Bug fazasidan ostirish.
Stexiometrik tarkibdagi suyuq fazadan kristallarni ostirish usullari 2 ga bolinadi. Elektronika elementlarida qollaniladigan yarim otkazgichlarni tigel yordamida ostirish usullari va tigelsiz usullar. Bu usul bir necha korinishga bolinadi. Jumladan, yonaltirilgan kristallizatsiya usuli, «gorizontal» va «vertikal» Bridjmen usuli, sohali eritish usuli va CHoxralskiy usuli.
Bu usullarning asosini issiqlikni yonaltirilgan holda uzatish tashkil qiladi. Bunga misol tariqasida 1.1-rasmda CHoxralskiy usuli keltirilgan.
Vertikal pechlar uchun xarakterli narsa kristallizatsiya frontini kuzatish mumkin emasligidir. YAna bir kamchilik osayotgan kristallning tigel devorlari bilan doimiy kontaktda bolib turishidir. Olchamlari kerakligicha katta monokristallar olish uchun, butun texnologik jarayon davomida kristallanish chegarasi qavariq shaklli bolishi kerak.
Rasm 2.1 . Kristallarni CHoxralskiy usuli bilan ostirish qurilmasi.
1 vakuum yoki inert gaz muhit; 2 kristallni tortuvchi sterjen; 3- dastlabki ostirishni belgilovchi kristall; 4 osib borayotgan kristall; 5 platinadan qilingan tigel; 6 yuqori chastotali induktor; 7 induksion tok tasirida qizdiriluvchi grafit; 8 silikat kremniy(germaniy) kristalli; 9 kristallizatsiya fronti; 10 silikat kremniy (germaniy).
Buning uchun tigel devorlarining harorati suyuq faza haroratidan doimiy yuqori bolishi kerak. Natijada tigel devorlarida parazit kristallanish markazlari hosil bolishining oldi olinadi.
Sohali ostirish (2.2-rasmga qarang). Bu usulning CHoxralskiy usulidan farqi shundaki, bu usulda ikkita pech ishlatiladi, biri harorati Ter., ikkinchisi harakatchan konstruksiyali qisqa zonali harorati T>Ter. Bu usulda erigan modda platinali tigl devorlari bilan kamroq kontaktda bolgani uchun ostirilayotgan kristall kamroq ifloslanadi. Eriyotgan va erigan soha qalinligini va uning siljish tezligini ozgartirish imkoniyati mavjud. SHuning uchun bu usul pezoelektrik yarim otkazgichli materiallarni yaxshiroq tozalash imkoniyatini beradi.
Rasm 2.2. Elektronika elementlarida ishlatiladigan monokristallarni eritmalardan ostirishning tigelsiz usullari.
a Varneyl usuli; b vertikal sohali eritish; v «tomchidan» tortish usuli; g «kolmakdan» tortish usuli. 1,5 shtoklar, 2-kristall manb (namuna), 3-erigan kristall, 4-osayotgan kristall, v1 va v11- shtoklarning aylanish tezliklari.
CHoxralskiy usuli. Bu usul asosan sanoat kolamida yarim otkazgichli silikat Ge va silikat (Si) ishlab chiqarishda ishlatiladi. 2.1- Rasmda CHoxralskiy usulining prinsipial sxemasi berilgan. YUqoridagi usuldan uning farqlaridan biri bu tigelsiz usul bolib ostirilayotgan monokristall olchamini nazorat qilish mumkin, hamda osish suratini nazorat qilish imkoniyati mavjud.
|
| |
