|
Мундарижа
|
| bet | 15/20 | | Sana | 15.07.2024 | | Hajmi | 2,12 Mb. | | #267675 |
Bog'liq mustaqil ish (no41)Rasm 2.5 . Kirishmalarning taqsimlanish koeffitsientini aniqlashga doir.
3-hol. Agar kirishma erituvchining erish haroratini kamaytirsa (M: silikat vismut kristaliga kremniy (Si) yoki germaniy (Ge) qoshilgan hol), taqsimlanish koeffitsienti K<1 va Ckr.c.. Osish jarayonida kristallda kirishma miqdori kamayib boradi.
Odatda kristall ostirish uchun erituvchi tanlanadi. Erituvchini tanlashning 2-holi mavjud.
Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kirmagan moddani ishlatish. Bu modda kristallga nisbatan kirishma ham bolishi mumkin MU: Sn-Si, Pb-Si, Bi- Ge, Sn-Ge, In-Ge va hokazo.
Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kiruvchi moddani ishlatish. Bu hol birikmali kristallarga xos. MU: Bi2O3 - GeO2, Bi2O3 - Bi2SiO3 (Bi12GeO20 va Bi12SiO20) hokazo. Bu hol uchun osayotgan kristall tozaligi tanlab olingan komponentlar tozaligiga boglik.
Eritmadan ostirish afzalliklarga ega bolib, u ostirish jarayonining nisbatan pastroq haroratda bolishi bilan boglik. Jumladan: a) Tker. bolgani uchun birikmali materiallar ostirilganda birikma komponentlarining parsial bosimi kamroq boladi MU: Bi2O3 - GeO2, Bi2O3 - Bi2SiO3. Kristall ostiralayotgan asbob-anjomlarga nisbatan (MU: ostirish konteynerlariga nisbatan) qoyiladigan shartlar birmuncha yumshaydi.
Zamonaviy elektronika elementlari plenkalarini eritmalardan ostirish usullari
Zamonaviy elektronika elementlarini plenkalarini eritmadan ostirishning ayrim usullarini qisqacha korib otamiz.
1)Toyintirilgan eritmadan yonaltirilgan kristallizatsiya usuli. Birikmali yarim otkazgichlar ostirish usullaridan biri bolib hisoblanadi. AV birikmali yarim otkazgichli materialni ostirish uchun uch sohali pechdan foydalaniladi. Kvarsdan yasalgan (oldindan havosi sorilgan) ampulaga uchmaydigan A komponent va tozalangan uchadigan V komponenta kiritilgan. Havosi sorilgandan song, ampula berkitilib uch sohali pechga kiritiladi. Pechning harorati T1 dan eritmada V komponentaning malum bug bosimini hosil qilishi uchun T2 gacha kotariladi. Uchinchi pechning harorati T3 bolib, u ikkinchi pech bilan T2-T3 gradient hosil qiladi. Konteynerni malum tezlikda mexanik siljitish natijasida T2-T3 gradient tasirida yonaltirilgan kristallanish jarayoni hosil qilinadi.
2) Gradientli sohali ostirish usuli. Bu usul asosan avval sintez qilingan epitaksial qatlamlar olish uchun ishlatiladi. Ostirish qurilmasi konstruktiv birlashtirilgan ikki qismdan iborat boladi. Ostirish uchun taglik vazifasini bajaradigan yarim otkazgich joylashgan sohada bir jinsli harorat olish vazifasini bajaruvchi birinchi pech va yuqorida joylashgan ikkinchi pech vazifasini bajaruvchi isitish lampasi (nur qaytargichi bilan birga)dan iborat. Ikkinchi pechni yoqish natijasida yarim otkazgichli taglik ustida yuqoriroq harorat hosil boladi, yani avvaliga T1 bolgan bolsa, taglik yuzasida T2 hosil qilinadi va ayirma T2-T1 ga teng boladi va birinchi usulga oid jarayonlar hosil boladi.
|
| |
