Namangan Institute of Engineering and Technology nammti uz

Download 15,56 Mb. Pdf ko'rish
bet	212/693
Sana	13.05.2024
Hajmi	15,56 Mb.
	#228860

1 ... 208 209 210 211 212 213 214 215 ... 693

Bog'liq
Тўплам

Namangan Institute of Engineering and Technology nammti.uz
Рис. 1. Спектры оптических переходов между разрешенными зонами и дефектными состояниями 1 - от дефекта к зоне проводимости, 2 - от валентной зоны к дефекту a- n 1

Ключевые слова: Дефекты в аморфных полупроводниках, типы оптических переходов
электронов, спектры коэффициента оптического поглощения, спектры дефектного
поглощения
Спектральные характеристики коэффициента дефектного поглощения зависят от
энергетического положения дефектов и от распределения плотности состояний в дефектах и
разрешенных зонах. Спектральные характеристики коэффициента дефектного поглощения
аморфных полупроводников вычисляются по методу приближения Девис-Мотта из формулы
Кубо-Гринвуда следующим образом [1]:



0
0
)
(
)
(
~
)
(














d
g
g
. (1)
где ε
0
- самая высокая энергетическая положения электронов, участвующих в
оптических переходах, g(ε) - и g(ε+ћω) - начальная и конечная плотности электронных
состояний, участвующих в оптических переходах. В работах [2] показано, что при расчете
спектров коэффициента дефектного поглощения в аморфных полупроводниках плотности
состояний в дефектах можно выбрать в виде распределений Гаусса или гиперболического
секанса. Распределение плотности состояний в хвостах разрешённых зон является

Namangan Institute of Engineering and Technology
nammti.uz
10.25.2023
Pg.192
экспоненциальным, а на границах разрешенных зон распределение плотности состояний в
виде степенного или гиперболического секанса [3].
Рис. 1. Спектры оптических переходов между разрешенными зонами и дефектными
состояниями 1 - от дефекта к зоне проводимости, 2 - от валентной зоны к дефекту a- n
1
= n
2

Download 15,56 Mb.

1 ... 208 209 210 211 212 213 214 215 ... 693

Download 15,56 Mb.

Pdf ko'rish