Namangan Institute of Engineering and Technology
nammti.uz
10.25.2023
Pg.193
Если распределение плотности в разрешенных зонах
имеет линейную зависимость,
чтобы получить аналитическое решение интеграла (1), его нужно разделить на два
составляющие: распределения гиперболического секанса и гауссовского. В
случае такой
замены погрешность ошибки не превышает от ошибок эксперимента. Аналитические
решения этих интегралов получены в работе [4].
Полученные расчетные результаты этих выражений, показаны на рисунке 1-
b. Видно,
что эти кривые на рисунках 1-
а и 1-
b одинаковы.
Эти результаты показывают, что спектры
коэффициента дефектного поглощения, не зависит от степени распределения плотности
состояний в разрешенных зонах. В этих спектрах слабые максимумы находятся в
энергетическом положении, где энергия поглощенного фотона равно на
ħω=ε
C
-ε
D
и
ħω=ε
D
-ε
V.
.
Известно, что энергетическое зависимость плотности состояний в валентной зоны и
зоны проводимости очень сложна и может иметь несколько максимумы и минимумы [4].
Учитывая это, мы предполагаем, что плотность нелокализованных электронных состояний на
границах разрешенных зон подчиняется распределению
гаусса или гиперболическую
секанса. Аналитические решения этих интегралов получены в работе [4].
Результаты расчетов, полученные из выражений, показаны на рисунке 2. Как видно из
рисунка, спектры дефектного поглощения имеет явные максимумы и энергетические
положение этих максимумов находится в
ħω=ε
C
-ε
D
или
ħω=ε
D
-ε
V.
.
