|
Namangan Institute of Engineering and Technology
Pdf ko'rish
|
| bet | 95/693 | | Sana | 13.05.2024 | | Hajmi | 15,56 Mb. | | #228860 |
Bog'liq ТўпламNamangan Institute of Engineering and Technology
nammti.uz
10.25.2023
Pg.82
подобные лазерные устройства не теряли главные преимущества – компактность, простоту и
легкость в управлении, определённые требования предъявляются к модуляторам
электрических импульсов. Необходимы структуры, в которых лазерные и управляющие
элементы были бы интегрированы в единую монолитную или гибридную схему. Первое, как
правило, является сложной технологической проблемой, а, второе, требует широкополосного
согласования низкоомного лазерного диода с СВЧ трактом.
Метод. В настоящей работе показаны перспективы использования в качестве источника
модулирующих импульсов фотонно - инжекционных импульсных тиристоров (ФИИТ).
Структура содержит оптически и электрически связанные обычный n
+
-p
0
-n
0
(GaAs) и опто
транзистор P-p-N(AlGaAs) –n
0
-p(GaAs). Фактически имеется вертикаль-ная схема интеграции
лазера и модулятора импульсов. Как было показано в [1,3] при включении тиристора через
встроенную в него двойную гетеро структуру протекает импульс тока в 10 А с фронтом 200 пс,
длительностью 0,5 - 5 нс и предельной частотой до 50 кГц. Тем самым, создаются условия для
эффективной модуляции усиления оптического излучения в активной области двойную гетеро
струк-турy (ДГС).
Динамика излучения полупроводникового лазера описывается скоростными
уравнениями [2]. Численное решение этих уравнений для лазера на основе двойную гетеро
структуру, встроенной в ФИИТ, даёт следующие зависимости плотности электронов N и
фотонов S в активной области ДГС-лазера от времени (см. рис.).
Плотность тока накачки j = 10
4
A/см
2
|
| |
