Namangan Institute of Engineering and Technology
nammti.uz
10.25.2023
Pg.83
[3]. Султанов А.М. Разработка технологии создания и
исследование фотонно-
инжекцион-ных коммутаторов на основе гетероструктур
GaAs-AlGaAs. 1992. Дисс. на соис.
учёной. степ. канд. физ.-мат. наук., Санкт-Петербург,
ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ OСНОВЫ СОВРЕМЕННОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ И
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
А.М.Султанов
НамИTИ
E-mail: sulix80@ mail.ru
Аннотация Целю данной работы является исследование гетерострурные материалы и
созданные на их основе субнаносекундные полупроводниковые приборы – коммутаторы, а
также изучение режима субнано- и пикосекундная включения фотонно-инжекционных
коммутатора созданная на основе слабо-легированного GaAs и его твердых растворов AlGaAs
и их перспективы применения в волоконно-оптических линиях связи, радиолокации, ракета
технике, космических отраслях и оптоэлектронике.
Ключевые слова: Гетеро структурные полупроводники, гетеропереходы, слаболеги-
рованные слои, коммутация импульса, субнано- и пикосекундная коммутация импульсов,
оптоэлектронные приборы.
Введение. В настоящее время быстро развивается субнано- и пикосекундная
импульсная
техника,
что
связано
с
потребностями
лазерной,
локационной,
радиопередающей техники, а также техники физического эксперимента.
Одна из основных
возникающих при этом проблем - создание ключевого прибора данного способного
коммутировать большие мощности (от сотен Вт до МВт в импульсе) при высокой надёжности
и стабильности параметров коммутации. Однако, известные полупроводниковые приборы,
такие как туннельные диоды, СВЧ транзисторы, диоды с накоплением заряда коммутируют
мощности не более нескольких ватт.
Наиболее мощные приборы - кремниевые диодные, транзисторные и тиристорные
обострители [1], оптоэлектронные ключи [2] требуют очень
сложных схемы для запуска,
имеют низкую предельную рабочую температуру, а также небольшие предельно допус-тимые
частоты повторения импульсов.
В современной микроэлектронике все больший интерес представляют применения
большие сложных полупроводниковых структур, которые образуются при совместном
использовании материалов разного вида. В качестве простого примера можно вспомнить об
уникальных свойствах переходов металл-полупроводник и создаваемых на их основе диодов,
биполярных и полевых транзисторов Шоттки.
Но еще более перспективными
являются приборы, в которых для создания полу-
проводниковых структур совместно используются разные химические элементы. Такие
структуры называются гетерогенными или гетеро структурами. А основным элементом
гетероструктур различного типа является гетеропереход.
Гетеропереход – это переход, который образуется в
месте контакта различных по
химическому составу полупроводников. На границе раздела изменяется обычно ширина
запрещенной зоны ∆Е, подвижность носителей тока, их эффективные массы и др.
характеристики полупроводников. Идеальная стыковка кристаллических решёток в
полупроводниковый гетеропереход возможна лишь при совпадении типа, ориентации и
периода кристаллических решёток сращиваемых материалов.
