|
KREMNIY ASOSIDA BINAR KLASTERLI QUYOSH ELEMENTLARINI LABORATORIYA VARIANTINI
Pdf ko'rish
|
| bet | 104/693 | | Sana | 13.05.2024 | | Hajmi | 15,56 Mb. | | #228860 |
Bog'liq ТўпламKREMNIY ASOSIDA BINAR KLASTERLI QUYOSH ELEMENTLARINI LABORATORIYA VARIANTINI
YARATISH TEXNOLOGIYASINI TAXLIL QILISH
A.A.Daliyev, M.Sh.Nabiyev
Namangan Muhandislik-Texnologiya Instituti
Annotatsiya:
Ushbu
tezisda
Texnologiyani
takomillashtirish
darajasida
A
II
B
VI
kontsentratsiyalarini oshirib (maksimal 10
16
sm
-3
yetadi) bilan kremniy panjarasida Zn
--
Se
++
nanoklasterlari paydo bo
ʼ
lishiga erishish mumkin usullari tahlili olib borilgan.
Kalit so’zlar: Past haroratli diffuziya, legirlash yo
ʼ
li, legirlangan kremniy, infraqizil va
ultrabinafsha nurlar.
Texnologiyani takomillashtirish darajasida A
II
B
VI
kontsentratsiyalarini oshirib (maksimal 10
16
sm
-3
yetadi) bilan kremniy panjarasida Zn
--
Se
++
nanoklasterlari paydo bo
ʼ
lishiga erishish mumkin (1-
rasm). Bu tubdan yangi material bo
ʼ
lib, u fundamental xossalarini takrorlamaydi va undagi jarayonlar
dastlabki namunadagi kabi bo
ʼ
lmaydi. Jumladan yangi materialning yuzasi va hajmining lokal
joylarida Zn
--
Se
++
nanoklasterlari hisobiga to
ʼ
g
ʼ
ri o
ʼ
tishlar yuzaga keladi va harakatchanlik, zaryad
tashuvchilarning yashash vaqti hamda yorug
ʼ
lik yutilish koeffitsientlari ham boshqacha bo
ʼ
ladi.
Demak bir kristall panjarasida tub material Si, Si, Si va Si, Si
2
ZnSe strukturalari
hamda Zn
--
Se
++
nanokristallining xususiyatlari namoyon bo
ʼ
ladi, ya
ʼ
ni har xil ta
ʼ
qiqlangan sohaga ega
yangi material hosil qilinadi. Shundan kelib chiqib yangi material asosida fotoenergetika sohasida
quyosh elementilar tayyorlash va optoelektronikada yangi sinf infraqizil datchiklari hamda kremniy
materiali asosida yorug
ʼ
lik diodlari ishlab chiqilishi mumkin.
|
| |
