|
Использованная литература
Pdf ko'rish
|
| bet | 94/693 | | Sana | 13.05.2024 | | Hajmi | 15,56 Mb. | | #228860 |
Bog'liq ТўпламИспользованная литература
1.
Мотт Н., Дэвис Э. «Электронные процессы в некристаллических веществах», М.,
«Мир», 1982.
2.
Бродский М. «Аморфные полупроводники», М., «Мир», 1982.
3.
Zainobidinov S., Ikramov R.G., Jalalov R.M., Urbach enegy and tails of the density of states
in amorphous semiconductors. Zh. Prikl. Spektrosk. 2011, Vol.78, pp. 243.
ПАРАМЕТРЫ СУБНАНО – И ПИКОСЕКУНДНОЙ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ
ТИРИСТОРНЫХ ФОРМИРОВАТЕЛЕЙ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСОВ.
А.М.Султанов
Наманганский Инженерно-технологический институт, Узбекистан, 160115, Наманган,
ул. Касансайская 7.
Аннотация: Разработана технология и найдено оптимальное решение проблем
генерации сверхкоротких оптических импульсов большой пиковой мощности на основе
гетероструктур GaAs и AlGaAs оптически и электрически связанные обычный n
+
-p
0
-n
0
(GaAs) и
опто транзистор P –p-N(AlGaAs)-n
0
–p(GaAs).
Ключевые слова: Гетеро структуры, полупроводниковый лазер, оптоэлектронные
приборы, фотонно-инжекционный импульсный тиристор.
Введение: Интерес к проблеме генерации сверхкоротких оптических импульсов
большой пиковой мощности обусловлен широким их применением в различных областях,
таких, как оптическая связь, метрология, системы обработки информации, спектроскопия и
т.д.
Важной особенностью полупроводниковых лазеров является возможность быстрой
непосредственной модуляции излучения путём инжекции тока. Метод прямой токовой
модуляции усиления использует эту особенность и позволяет генерировать короткие
оптические импульсы непосредственно в лазерном элементе. При этом, для того, чтобы
|
| |
