|
Namangan Institute of Engineering and Technology
Pdf ko'rish
|
| bet | 98/693 | | Sana | 13.05.2024 | | Hajmi | 15,56 Mb. | | #228860 |
Bog'liq ТўпламNamangan Institute of Engineering and Technology
nammti.uz
10.25.2023
Pg.85
Заключение. Представляет интерес изучение влияния изовалентных атомов на процесс
формирования плавных р
0
-n
0
переходов, поскольку их применение позволяет изменять
уровень концентрации и спектр мелких примесей и глубоко уровневых ловушек за счёт
взаимодействия с фоновыми примесями в расплаве и изменения собственных точечных
дефектов в эпитаксиальных слоях. Возможность дальнейшего повышения эффективности
данной технологии связана с выяснением зависимостей характеристик переключения ФИИК
от условий выращивания центрального высоковольтного р
0
-п
0
перехода. Это делает работу,
посвященную исследованию механизма формирования плавных высоковольтных р
0
-n
0
переходов, получению импульсных коммутаторов высокого быстродействия на их основе,
изучению связи условий выращивания эпитаксиальных структур и рабочих характеристик
прибора, актyальной как в научном отношении, так и для решения практических задач.
Литература
[1]. Ашкинази Г., Золотаревский Л., Тимофеев В., Мазо Л., Шульга А., Войтович В.,
Тагесаар М., Оленштейн И., Юйрике Х., Челноков В. Силовые высокотемпературные высоко-
частотные приборы на основе арсенида галлия // Известия Академии наук Эстонской ССР.
1984.
[2]. Войтович В., Гордеев А., Думаневич А.
Чем заменить SiC-диоды Шоттки
// Силовая
электроника. 2009. № 5.
[3]. Войтович В., Гордеев А., Думаневич А.
GaAs-диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar
Invertors и замены синхронных выпрямителей
// Силовая электроника. № 6.
[4]. Ashkinazi G. GaAs Power Devices. Israel.
[5]. Passlack M., Droopad R., Rajagopalan K., Abrokwah J., Zurcher P. HIGH MOBILITY III-V
MOSFET TECHNOLOGY // CS Mantech Conference. Austin, Texas, USA. May 14–17, 2007.
[6]. Sarkar T., Mazumder S. K. Epitaxial Design of Direct Optically Controlled GaAs/AlGaAs —
based Heterostructure Lateral Superjunction Power Device for Fast Repetitive Switching // IEEE
Transactions on Electron Devices. Vol. 54. № 3. March, 2007.
[7] .Vainshtein S. N., Yuferev V. S., Kostamovaara J. T., Kulagina M. M., Moilanen H. T.
Significant Effect of Emitter Area on the Efficiency, Stability and Reliability of Picosecond Switching
in a GaAs Bipolar Transistor Structure // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 57, № 4. 2010.
[8]. Султанов А.М. 1992. Разработка технологии создания и исследование фотонно-
инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs. Дисс. на соиск. канд.
физ.-мат. наук. Россия, Санкт-Петербург. ФТИ им. А.Ф. Иоффе. РАН.
|
| |
